功率晶體管
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英飛凌 CoolGaN?功率晶體管賦能SounDigital放大器，更小尺寸、更高保真
【2025年3月3日, 德國(guó)慕尼黑訊】由于市場(chǎng)對(duì)于音頻設(shè)備的緊湊、輕便、高集成度和節(jié)能的需求越來越高，領(lǐng)先的音頻設(shè)備制造商在不斷提高音質(zhì)的同時(shí)，也在努力滿足這一需求。另外，他們還必須實(shí)現(xiàn)無(wú)縫連接、保證成本效益，并提供對(duì)用戶友好的功能，這使得音頻產(chǎn)品的開發(fā)變得更加復(fù)雜。為了解決這些難題，SounDigital在其全新1500 W D類放大器中集成了英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 CoolGaN?晶體管，支持800 kHz開關(guān)頻率和五個(gè)通道，借助英飛凌先進(jìn)的氮化鎵（GaN）技術(shù)，將其能效提升了 5%，能量損耗降低了 60%。
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Efficient Energy Technology(EET)的SolMate? 選用EPC氮化鎵器件，使效率倍增和延長(zhǎng)了產(chǎn)品使用壽命
Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新、用于陽(yáng)臺(tái)的小型發(fā)電廠的先驅(qū)。EET公司選用了宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管(EPC2204), 用于其新型SolMate?綠色太陽(yáng)能陽(yáng)臺(tái)產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實(shí)現(xiàn)了最佳折衷，這對(duì)于要求嚴(yán)格的硬開關(guān)應(yīng)用至關(guān)重要，同時(shí)在緊湊的封裝中實(shí)現(xiàn)100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設(shè)計(jì)顯著縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
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CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺(tái)積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”
英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) (SoC) 在臺(tái)積電 2023 年歐洲技術(shù)研討會(huì)創(chuàng)新區(qū)榮獲“最佳演示”獎(jiǎng)。
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TI 提出了新的指數(shù)驅(qū)動(dòng)因素
國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 ( ISSCC ) 是對(duì) CMOS 晶體管縮放的慶?；顒?dòng)。但在他的 ISSCC 全體會(huì)議上，TI 的首席技術(shù)官 Ahmad Bahai 要求采取不同的觀點(diǎn)。他沒有計(jì)算我們可以在微米級(jí) CMOS 中渲染的晶體管數(shù)量，而是描述了一系列因素，包括巧妙的設(shè)計(jì)和專門的封裝。
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EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而設(shè)計(jì)，在極小的芯片級(jí)封裝中，實(shí)現(xiàn) 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值電流，是多電平轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電、太陽(yáng)能逆變器、激光雷達(dá)和 LED 照明的理想器件。
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意法半導(dǎo)體推出新的射頻LDMOS功率晶體管
中國(guó)，2021年8月13日——意法半導(dǎo)體的STPOWERLDMOS晶體管產(chǎn)品家族新最近新增多款產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族有三個(gè)不同的產(chǎn)品系列，均是針對(duì)各種商用和工業(yè)用射頻功率放大器(PA)優(yōu)化設(shè)計(jì)。STPOWERLDMOS的產(chǎn)品特色是高能效和低熱阻，封裝芯片可處理高射頻功率，兼?zhèn)涠虒?dǎo)通溝道...
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EPC新推80 V和200 V eGaN?FET,進(jìn)一步擴(kuò)大其高性能氮化鎵產(chǎn)品陣容
這些新一代氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET) 滿足了目前電動(dòng)出行(eMobility)、交付和物流機(jī)器人，以及無(wú)人機(jī)市場(chǎng)所需的緊湊型 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和具成本效益、高分辨率的飛行時(shí)間(ToF)的新需求。
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關(guān)于鋰離子電池需要均衡的幾點(diǎn)原因及注意事項(xiàng)解析
在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的鋰離子電池，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)鋰離子電池均衡。
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關(guān)于同步整流降壓轉(zhuǎn)換器損耗，你知道怎么處理嗎？
什么是同步整流降壓轉(zhuǎn)換器損耗?你知道嗎?本文開始探討同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的損耗。首先，我們來看一下同步整流降壓轉(zhuǎn)換器發(fā)生損耗的部位。然后，會(huì)對(duì)各部位的損耗進(jìn)行探討。
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意法半導(dǎo)體推出世界首款驅(qū)動(dòng)與GaN集成產(chǎn)品開創(chuàng)更小、更快充電器電源時(shí)代
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出世界首個(gè)嵌入硅基半橋驅(qū)動(dòng)芯片和一對(duì)氮化鎵(GaN)晶體管的MasterGaN?產(chǎn)品平臺(tái)，這個(gè)集成化解決方案將有助于加快下一代400W以下輕便節(jié)能的用于消費(fèi)電子和工業(yè)充電器和電源適配器的開發(fā)速度。
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恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管
中國(guó)上海，2013年6月20日訊 – 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，
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EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的氮化鎵(GaN)功率晶體管及集成電路的播客系列
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)依據(jù)《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》第三版教科書的增訂內(nèi)容，更新了首7個(gè)、合共14個(gè)教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的理論、設(shè)計(jì)基礎(chǔ)及應(yīng)用，例如激光雷達(dá)、DC/DC轉(zhuǎn)換及無(wú)線電源等應(yīng)用。
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為增強(qiáng)型GaN功率晶體管匹配門極驅(qū)動(dòng)器
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。
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新款350V GaN功率晶體管
EPC2050尺寸僅為1.95 mm x 1.95 mm(3.72 mm2)，因而設(shè)計(jì)人員無(wú)需再在尺寸和性能之間做出取舍。鑒于EPC2050小巧的體積，采用高效率半橋驅(qū)動(dòng)器的柵極驅(qū)動(dòng)器占用的面積比同類硅解決方案小五倍。盡管其芯片級(jí)封裝尺寸較小，但EPC2050能夠比塑料封裝的MOSFET更高效地處理
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增長(zhǎng)14％！2018年功率晶體管銷售額再創(chuàng)新記錄
集微網(wǎng)消息，根據(jù)IC Insights的2019年OSD報(bào)告，功率晶體管的銷售額增長(zhǎng)率達(dá)到兩位數(shù)，2018年增長(zhǎng)14％，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的163億美元，更是打破2017年增長(zhǎng)11％的紀(jì)錄。
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功率晶體管助高效率、高功率密度轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)
在新式發(fā)電/節(jié)能技術(shù)及裝置的背后，高頻切換電源轉(zhuǎn)換器扮演著極重要的角色。高頻切換電源轉(zhuǎn)換技術(shù)，乃是利用半導(dǎo)體功率組件以“高頻切換”方式，結(jié)合各式能量轉(zhuǎn)換組件如
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EPC推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz頻率時(shí)可實(shí)現(xiàn)97%效率的氮化鎵功率晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其占板面積只是1.1平方毫米、最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))為25 mΩ及脈沖輸出電流高達(dá)37 A 以支持高效功率轉(zhuǎn)換。
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EPC推出高頻單片式氮化鎵半橋功率晶體管 推動(dòng)12 V轉(zhuǎn)至1.8 V系統(tǒng)在5 MHz、14 A輸出電流 MHz、14 A輸出電流
PC2111氮化鎵半橋功率晶體管幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)具更高效率的負(fù)載點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用，在14 A、12 V轉(zhuǎn)至1.8 V、5 MHz開關(guān)時(shí)實(shí)現(xiàn)超過85%效率，及在10 MHz開關(guān)時(shí)實(shí)現(xiàn)超過80%效率。宜普
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EPC推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率晶體管
21IC訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出面向多種應(yīng)用的EPC2046功率晶體管，包括無(wú)線充電、多級(jí)AC/DC電源供電、機(jī)械人應(yīng)用、太陽(yáng)能微型逆變器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導(dǎo)通電阻RDS(on)為25 mΩ、脈沖輸出電流為55 A。
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海拉、氮化鎵系統(tǒng)及凱特琳大學(xué)聯(lián)合發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先電動(dòng)汽車
汽車電子專家海拉，聯(lián)合領(lǐng)先的氮化鎵功率晶體管制造商氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems)，以及凱特琳大學(xué)先進(jìn)電力電子實(shí)驗(yàn)室充電技術(shù)領(lǐng)域?qū)W者成功研制了一臺(tái)兩電平電動(dòng)汽車充電
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