如何保護(hù)汽車逆變器設(shè)計(jì)中的功率晶體管

隨著油電混合車和電動車技術(shù)的演進(jìn)，逆變器驅(qū)動技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入汽車領(lǐng)域，從空調(diào)機(jī)和加熱系統(tǒng)等低功率應(yīng)用，一直到驅(qū)動和再生制動系統(tǒng)等高功率應(yīng)用，所有這些系統(tǒng)的共通點(diǎn)是需要通過保護(hù)逆變器設(shè)計(jì)中的功率開關(guān)晶體管來

如何保護(hù)汽車逆變器設(shè)計(jì)中的功率晶體管

隨著油電混合車和電動車技術(shù)的演進(jìn)，逆變器驅(qū)動技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入汽車領(lǐng)域，從空調(diào)機(jī)和加熱系統(tǒng)等低功率應(yīng)用，一直到驅(qū)動和再生制動系統(tǒng)等高功率應(yīng)用，所有這些系統(tǒng)的共通點(diǎn)是需要通過保護(hù)逆變器設(shè)計(jì)中的功率開關(guān)晶體管來

如何保護(hù)汽車逆變器設(shè)計(jì)中的功率晶體管

隨著油電混合車和電動車技術(shù)的演進(jìn)，逆變器驅(qū)動技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入汽車領(lǐng)域，從空調(diào)機(jī)和加熱系統(tǒng)等低功率應(yīng)用，一直到驅(qū)動和再生制動系統(tǒng)等高功率應(yīng)用，所有這些系統(tǒng)的共通點(diǎn)是需要通過保護(hù)逆變器設(shè)計(jì)中的功率開關(guān)晶體管來

飛思卡爾Airfast方案新增48V LDMOS射頻功率晶體管

21ic訊 飛思卡爾半導(dǎo)體公司為先進(jìn)的Airfast射頻功率產(chǎn)品系列推出最先兩款產(chǎn)品，以滿足市場對符合成本效益，同時(shí)又能夠支持飛速提升的數(shù)據(jù)速率、多重?zé)o線標(biāo)準(zhǔn)以及不斷增加的網(wǎng)絡(luò)復(fù)雜性的射頻功率解決方案的需求。新產(chǎn)

功率晶體管的過熱保護(hù)電路

功率晶體管的保護(hù)電路

恩智浦推出采用2x2-mm無引腳DFN封裝的中功率晶體管

21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 近日發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封裝的中功率晶體管。這款BC69PA晶體管采用獨(dú)特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封裝，是恩智浦中功率晶體管家族中的

ST高頻功率晶體管延長醫(yī)療影像設(shè)備使用壽命

意法半導(dǎo)體（ST）推出新一代高頻功率晶體管。新產(chǎn)品可有效延長如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間，并可提高應(yīng)用性能及降低設(shè)備成本。 經(jīng)制程升級后，意法半導(dǎo)體最新的射頻功率MOSFET晶體管可承受

大功率晶體管驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用

摘要：介紹了大功率晶體管（GTR）基極驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)，分析了基極驅(qū)動電路的要求及其設(shè)計(jì)方法，并給出一種實(shí)用的驅(qū)動電路。 關(guān)鍵詞：大功率晶體管；基極驅(qū)動電路；分析；設(shè)計(jì) 　 1 引言 作為逆變電路中的核心部

富士通展示GaN功率晶體管的試制晶圓

富士通半導(dǎo)體在“CEATEC JAPAN 2010”（2010年10月5～9日，幕張Messe會展中心）上，展示了集成GaN功率晶體管的直徑150mm的硅晶圓。在該元件量產(chǎn)線所在的會津若松市的工廠中進(jìn)行了試制。面向2012年的正式量產(chǎn)，將于20

恩智浦超高頻(UHF)射頻功率晶體管發(fā)布

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場上功能最強(qiáng)大的LDMOS廣播發(fā)射機(jī)晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DV

LDMOS超高頻射頻功率晶體管BLF888A（NXP）

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場上功能最強(qiáng)大的LDMOS廣播發(fā)射機(jī)晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB

全新650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管（英飛凌）

英飛凌科技股份公司推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起?；?/p>

兩款LDMOS射頻功率晶體管MRF8P20160HSR3和MRF8P20100HSR3（freescale）

飛思卡爾半導(dǎo)體公司今天推出兩款LDMOS射頻功率晶體管。在中國，時(shí)分同步碼分多址存?。═D-SCDMA）無線網(wǎng)絡(luò)被廣泛應(yīng)用，而這些射頻功率晶體管已經(jīng)專為服務(wù)于上述網(wǎng)絡(luò)的基站中所使用的功率放大器進(jìn)行了優(yōu)化。 這些先進(jìn)

IC Insight：2010功率晶體管市場達(dá)到新高

按IC Insight報(bào)道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶體管銷售額在2010年有望增長31%,達(dá)到創(chuàng)記錄的109,6億美元。自從功率晶體管在2000年達(dá)到創(chuàng)記錄的增長32%后,此次的31%的增長也是相當(dāng)亮麗。IC Insight預(yù)測, 功率晶體

英飛凌宣布與飛兆半導(dǎo)體侵權(quán)訴訟達(dá)成和解

關(guān)鍵字: 超結(jié)功率晶體管 飛兆 英飛凌 英飛凌科技公司日前宣布，該公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及

英飛凌和飛兆達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議

國際電子商情訊 英飛凌科技股份公司宣布，與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率

英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議

英飛凌科技股份公司宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的

英飛凌和仙童半導(dǎo)體結(jié)束專利爭端

北京時(shí)間12月30日午間消息（舒允文）英飛凌科技周二宣布，公司與仙童半導(dǎo)體（Fairchild Semiconductor International Inc，F(xiàn)CS）之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解，雙方簽署了一項(xiàng)交叉許可協(xié)議。2008年11月，仙童半導(dǎo)體

英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議

英飛凌科技股份公司宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的