如何保護汽車逆變器設計中的功率晶體管

隨著油電混合車和電動車技術的演進，逆變器驅動技術已經進入汽車領域，從空調機和加熱系統(tǒng)等低功率應用，一直到驅動和再生制動系統(tǒng)等高功率應用，所有這些系統(tǒng)的共通點是需要通過保護逆變器設計中的功率開關晶體管來

如何保護汽車逆變器設計中的功率晶體管

隨著油電混合車和電動車技術的演進，逆變器驅動技術已經進入汽車領域，從空調機和加熱系統(tǒng)等低功率應用，一直到驅動和再生制動系統(tǒng)等高功率應用，所有這些系統(tǒng)的共通點是需要通過保護逆變器設計中的功率開關晶體管來

如何保護汽車逆變器設計中的功率晶體管

隨著油電混合車和電動車技術的演進，逆變器驅動技術已經進入汽車領域，從空調機和加熱系統(tǒng)等低功率應用，一直到驅動和再生制動系統(tǒng)等高功率應用，所有這些系統(tǒng)的共通點是需要通過保護逆變器設計中的功率開關晶體管來

飛思卡爾Airfast方案新增48V LDMOS射頻功率晶體管

21ic訊 飛思卡爾半導體公司為先進的Airfast射頻功率產品系列推出最先兩款產品，以滿足市場對符合成本效益，同時又能夠支持飛速提升的數據速率、多重無線標準以及不斷增加的網絡復雜性的射頻功率解決方案的需求。新產

功率晶體管的過熱保護電路

功率晶體管的保護電路

恩智浦推出采用2x2-mm無引腳DFN封裝的中功率晶體管

21ic訊 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 近日發(fā)布業(yè)內首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封裝的中功率晶體管。這款BC69PA晶體管采用獨特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封裝，是恩智浦中功率晶體管家族中的

ST高頻功率晶體管延長醫(yī)療影像設備使用壽命

意法半導體（ST）推出新一代高頻功率晶體管。新產品可有效延長如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設備的運行時間，并可提高應用性能及降低設備成本。 經制程升級后，意法半導體最新的射頻功率MOSFET晶體管可承受

大功率晶體管驅動電路的設計及其應用

摘要：介紹了大功率晶體管（GTR）基極驅動電路的設計，分析了基極驅動電路的要求及其設計方法，并給出一種實用的驅動電路。 關鍵詞：大功率晶體管；基極驅動電路；分析；設計 　 1 引言 作為逆變電路中的核心部

富士通展示GaN功率晶體管的試制晶圓

富士通半導體在“CEATEC JAPAN 2010”（2010年10月5～9日，幕張Messe會展中心）上，展示了集成GaN功率晶體管的直徑150mm的硅晶圓。在該元件量產線所在的會津若松市的工廠中進行了試制。面向2012年的正式量產，將于20

恩智浦超高頻(UHF)射頻功率晶體管發(fā)布

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 今天宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場上功能最強大的LDMOS廣播發(fā)射機晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DV

LDMOS超高頻射頻功率晶體管BLF888A（NXP）

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場上功能最強大的LDMOS廣播發(fā)射機晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB

全新650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管（英飛凌）

英飛凌科技股份公司推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及體二極管高牢固性融合在一起?；?/p>

兩款LDMOS射頻功率晶體管MRF8P20160HSR3和MRF8P20100HSR3（freescale）

飛思卡爾半導體公司今天推出兩款LDMOS射頻功率晶體管。在中國，時分同步碼分多址存?。═D-SCDMA）無線網絡被廣泛應用，而這些射頻功率晶體管已經專為服務于上述網絡的基站中所使用的功率放大器進行了優(yōu)化。 這些先進

IC Insight：2010功率晶體管市場達到新高

按IC Insight報道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶體管銷售額在2010年有望增長31%,達到創(chuàng)記錄的109,6億美元。自從功率晶體管在2000年達到創(chuàng)記錄的增長32%后,此次的31%的增長也是相當亮麗。IC Insight預測, 功率晶體

英飛凌宣布與飛兆半導體侵權訴訟達成和解

關鍵字: 超結功率晶體管 飛兆 英飛凌 英飛凌科技公司日前宣布，該公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及

英飛凌和飛兆達成侵權訴訟和解協(xié)議

國際電子商情訊 英飛凌科技股份公司宣布，與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率

英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協(xié)議

英飛凌科技股份公司宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的

英飛凌和仙童半導體結束專利爭端

北京時間12月30日午間消息（舒允文）英飛凌科技周二宣布，公司與仙童半導體（Fairchild Semiconductor International Inc，FCS）之間的專利侵權訴訟已達成和解，雙方簽署了一項交叉許可協(xié)議。2008年11月，仙童半導體

英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協(xié)議

英飛凌科技股份公司宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的