宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出增強(qiáng)型氮化鎵IC系列的最新成員-- EPC2110。EPC2110是一種具有120 VDS、20 A的雙路共源極器件,它采用非常纖薄的封裝(1.35 mm x 1.35 mm),于柵極施加5 V電壓時(shí)的最高RDS(on) 為 60 mΩ。由于EPC2110具備超高開關(guān)頻率、超低RDS(on)、異常低的QG及采用非常纖薄的封裝,因此這種氮化鎵IC可以實(shí)現(xiàn)高性能。
全新eGaN FET (EPC2039)具備優(yōu)越性能、大功率及采用超小型封裝的優(yōu)勢(shì),其價(jià)格也可以支付得起。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2039功率晶體管。該產(chǎn)品是一種具備高功率密度的增強(qiáng)型氮化鎵((eGaN)功率晶體管,其尺寸只是1.82 mm2、80 VDS、6.8 A及在柵極上施加5 V電壓時(shí)的最大阻抗為 22 mΩ。 由于它在超小型封裝內(nèi)具備高開關(guān)性能,因此它在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)具備高性能優(yōu)勢(shì)。
eGaN功率晶體管在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域繼續(xù)實(shí)現(xiàn)更高的性能。該晶體管系列具備更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及優(yōu)越的散熱性能,從而實(shí)現(xiàn)具備更高的功率密度的轉(zhuǎn)換器。宜普
飛思卡爾已實(shí)現(xiàn)該器件的量產(chǎn),該器件完美結(jié)合了高效率、高增益及射頻輸出功率飛思卡爾半導(dǎo)體公司日前推出了其首款蜂窩移動(dòng)通信基站專用的氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管。新產(chǎn)品A2G22S160-01S在無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用所使用的
全新eGaN功率晶體管系列以MOSFET器件的價(jià)格實(shí)現(xiàn)更優(yōu)越的性能、更小的尺寸及高可靠性。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2035(60 V)及EPC2036 (100 V)eGaN功率晶體管,專為在價(jià)格
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半橋式晶體管,進(jìn)一步擴(kuò)展其獲獎(jiǎng)的氮化鎵功率晶體管產(chǎn)品系列。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80
宜普電源轉(zhuǎn)換公司為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供一款具備4奈秒上升時(shí)間特性的450 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管(EPC2027 eGaN® FET)并面向高頻直流-直流轉(zhuǎn)換器及醫(yī)療診斷儀器的應(yīng)用。
單晶片半橋式氮化鎵功率晶體管EPC2100獲得著名電子雜志頒發(fā)“年度產(chǎn)品大獎(jiǎng)”,在競(jìng)爭(zhēng)激烈的分立式半導(dǎo)體產(chǎn)品類別中被評(píng)選為極具創(chuàng)新性的產(chǎn)品。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(
氮化鎵(eGaN®)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉(zhuǎn)換器可
功率電晶體市場(chǎng)重拾成長(zhǎng)動(dòng)能。市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights指出,受到全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)不穩(wěn)定的影響,功率電晶體整體銷售額在2012與2013年分別下滑8%和6%;預(yù)估今年隨著景氣復(fù)蘇,可望止跌回升,并創(chuàng)下年增率
功率電晶體市場(chǎng)重拾成長(zhǎng)動(dòng)能。市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights指出,受到全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)不穩(wěn)定的影響,功率電晶體整體銷售額在2012與2013年分別下滑8%和6%;預(yù)估今年隨著景氣復(fù)蘇,可望止跌回升,并創(chuàng)下年增率8%的表現(xiàn),達(dá)125億美
【導(dǎo)讀】主要分立器件產(chǎn)品市場(chǎng)分析 整流器 經(jīng)過連續(xù)10個(gè)月的價(jià)格上漲,今年9月份、10月份,整流器的價(jià)格保持平穩(wěn)。iSuppli公司認(rèn)為,第四季度的價(jià)格可能走平,甚至有可能小幅下降。但后端產(chǎn)品的供應(yīng)緊張的狀況
【導(dǎo)讀】近日,大功率射頻 (RF) 功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾半導(dǎo)體公司(NYSE:FSL)日前宣布已經(jīng)售出超過 1.75 億個(gè)塑料封裝的高頻大功率射頻功率晶體管,達(dá)到了業(yè)界難以企及的里程碑高度。 摘要: 近日,大功
【導(dǎo)讀】2013年4月12日,上海——4月11日下午, OFweek光電新聞網(wǎng) (以下簡(jiǎn)稱OFweek)和OFweek電子工程網(wǎng)在深圳聯(lián)合主辦了2013電子行業(yè)年度評(píng)選活動(dòng),英飛凌科技公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY,以下簡(jiǎn)稱英飛凌
【導(dǎo)讀】Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料的開發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進(jìn)入2013年以后,日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品,還有不少企業(yè)宣布涉足功率元件業(yè)務(wù)。 摘要: Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料
Maxim推出雙通道RF LDMOS偏置控制器MAX1385/MAX1386*/MAX11008。這些高度集成的器件采用7mm x 7mm封裝,是業(yè)內(nèi)最小的、集成了蜂窩基站控制所需的所有模擬至數(shù)字(A/D)、數(shù)字至模擬(D/A)接口以及邏輯功能的LDMOS偏置
21ic訊 意法半導(dǎo)體推出兩款新的防潮射頻(RF,radio-frequency)功率晶體管,以提高目標(biāo)應(yīng)用在高潮濕環(huán)境內(nèi)的耐用性和可靠性。這兩款50V RF DMOS器件的封裝腔內(nèi)填充凝膠,以防止裸片發(fā)生電遷移現(xiàn)象,例如銀枝晶遷移。這
注膠密封封裝提高目標(biāo)應(yīng)用在惡劣環(huán)境下的耐用性和可靠性21ic訊 意法半導(dǎo)體推出兩款新的防潮射頻(RF,radio-frequency)功率晶體管,以提高目標(biāo)應(yīng)用在高潮濕環(huán)境內(nèi)的耐用性和
自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來,借助對(duì)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究,通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關(guān)態(tài)擊穿與開態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾,使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實(shí)際工程對(duì)高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要求。伴隨
21ic訊 意法半導(dǎo)體的3STL2540提供雙極晶體管的成本優(yōu)勢(shì)和硅面積使用效率,同時(shí)兼具同級(jí)MOSFET的能效,為設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)節(jié)省空間的低成本的電源管理和DC-DC電源轉(zhuǎn)換器(DC-