H型雙極模式PWM控制的功率轉(zhuǎn)換電路設(shè)計

ZetexSOT23封裝的新型功率晶體管

Zetex日前推出全新的采用SOT23封裝的雙極晶體管系列。它們能以更小的尺寸實現(xiàn)與較大的SOT223封裝相同的電流處理功能，有效地縮減印刷電路板的尺寸。 SOT23器件的面積僅為2.5毫米×3.05毫米，與SOT223器件6.7毫米

繼電保護測試儀使用方法 主要做哪些試驗？

使用方法一、正確步驟分為主回路和輔回路兩個回路，主回路采用大旋鈕調(diào)節(jié)，輔回路采用小旋鈕調(diào)節(jié)，主回路通過面板上“輸出選擇“按鍵開關(guān)控制其輸出的各種量，并

噪聲、外加功率及測量時間的考量——低功率納米技術(shù)

要考慮噪聲誤差，理想的測試系統(tǒng)的信噪比應(yīng)為100。圖9顯示了不同阻值的測試對象在半秒的測試時間內(nèi)，為使電壓響應(yīng)達到方根噪聲值的電壓響應(yīng)時，所需要的外加測量功率。這些曲線分別是使用鎖定放大器[1]法及直流反轉(zhuǎn)法

基于CPLD控制的直流固態(tài)功率控制器的設(shè)計

一文讀懂開關(guān)電源如何配合適的電感

開關(guān)電源的主要部件包括：輸入源、開關(guān)管、儲能電感、控制電路、二極管、負載和輸出電容。目前絕大部分半導(dǎo)體廠商會將開關(guān)管、控制電路、二極管集成到一顆CMOS/Bipolar工藝

關(guān)于智能天線的提出、工作原理和分類以及TD-SCDMA在智能天線中的技術(shù)優(yōu)勢詳解

智能天線技術(shù)是TD-SCDMA(時分同步碼分多址)中的關(guān)鍵技術(shù)之一。文中主要介紹了智能天線的提出、工作原理及分類，并分析了智能天線在TD-SCDMA中的技術(shù)優(yōu)勢。TD-SCDMA(TIme Di

IGBT是什么_IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理介紹

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的

SiC MOSFET的快速短路檢測與保護

功率器件有多種不同的短路模式，其中最嚴重的一種是橋臂短路，在這種短路模式下，電流迅速上升，同時器件承受母線電壓。我們需要首先對這種短路模式下的MOSFET的行為進行研

淺談“非主流”光伏技術(shù)（九）：組件和逆變器的搭配

前言：在與很多設(shè)計院進行技術(shù)交流時發(fā)現(xiàn)，設(shè)計人員在逆變器和組件的匹配上還是略顯保守;有的直接按照廠家所謂的“超配”系數(shù)來設(shè)計組件串并聯(lián)。在筆者看來這樣的

簡單高效的恒功率驅(qū)動IC方案

輕松判斷射頻系統(tǒng)中的功率增益和電壓增益

我聽到越來越多的客戶在問“通過不同負載阻抗的信號鏈的增益是如何變化的?”;“當以dB測量時，電壓增益和功率增益何時重合?”若你們中的任何人有相同的

SiC功率器件的封裝技術(shù)

具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件的最高工作溫度局限在1

專用示波器和軟件提高開發(fā)測試效率方案

為了滿足效率和外形尺寸要求，開關(guān)模式電源制造商不斷采用新的半導(dǎo)體和電路拓撲，同時還須堅持遵守更高的電源完整性標準。因此，設(shè)計人員必須對開關(guān)模式波形進行更為復(fù)雜的

CPLD在基于PCI總線功率模塊設(shè)計中的應(yīng)用

功率MOSFET驅(qū)動器提供了車載照明保護與控制

RF FEM如何擴大用于IoT短程無線電系統(tǒng)

低功耗藍牙和 zigbee 等廣泛使用的 2.45 GHz 短程無線電系統(tǒng)是特別適合物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用的成熟技術(shù)。雖然此頻段中的無線電確實具有良好的穿墻能力和覆蓋范圍特性，但在某些

DC/DC電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計原理介紹

當今利用現(xiàn)有的組件、參考設(shè)計、工具和資源來設(shè)計一個基礎(chǔ)且好用的DC/DC電源穩(wěn)壓器(或稱為電源轉(zhuǎn)換器)已經(jīng)不是一件難事了，設(shè)計者需要將合適的控制IC、MOSFET晶體管、驅(qū)動電

開關(guān)模式電源電流檢測—— 第三部分：電流檢測方法

開關(guān)模式電源有三種常用電流檢測方法是：使用檢測電阻，使用MOSFET RDS(ON)，以及使用電感的直流電阻(DCR)。每種方法都有優(yōu)點和缺點，選擇檢測方法時應(yīng)予以考慮。檢測電阻電

IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運用知識學(xué)習(xí)

IGBT基礎(chǔ)與運用IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快 的特點(控制和