臺積電
-
人才緊缺或致使臺灣半導體面臨5年敗業(yè)危機
臺灣半導體產(chǎn)值將在今年挑戰(zhàn)兩兆元門坎，不過，臺灣半導體協(xié)會(TSIA)理事長盧超群昨(27)日卻語出驚人向政府喊話，盼政府重視留才問題，不然半導體產(chǎn)業(yè)將有“20年成業(yè)、5年敗業(yè)”的危機。 盧超群表示，
-
英特爾攜阿爾特拉 力抗臺積賽靈思
可程式邏輯閘陣列（FPGA）大廠阿爾特拉（Altera）及英特爾昨（27）日共同宣布，雙方將利用系統(tǒng)封裝（SiP）技術，合作開發(fā)整合14奈米3D架構電晶體架構（TriGate）Stratix10FPGA及其它元件的異質架構晶片。業(yè)界認為，英
-
忙:臺積電訂單已接到今年第三季度
威鋒網(wǎng)訊，據(jù)行業(yè)內消息顯示，臺積電，著名的臺灣半導體生產(chǎn)公司（TSMC）的訂單已經(jīng)接到 2014 年第三季度，主要的訂單來自手機和 PC 芯片賣家。 品牌手機廠商新智能手機的計劃和中國的 4G 服務的推展都推動了臺
-
巴克萊：臺積電高階制程 需求大爆發(fā)
巴克萊資本證券指出，蘋果自推出64位元ARM A7晶片后，下半年起將帶動新一波64位元ARM AP/CPU升級潮，預估接下來將有高達80%的智慧型手積和微伺服器將采用臺積電(2330-TW) 28/20奈米HKMG以及16奈米FinFET制程。 《
-
臺灣光罩攻65納米 資本支出大增
臺灣光罩（2338）董事長陳碧灣表示，因應IC制程技術日趨精密，光罩今年的資本支出將會大增，主要針對65納米光罩設備的投資，估計不會超過1,000萬美元（約合新臺幣3億元）。 陳碧灣表示，目前整體光罩市場供過于求
-
臺積退出 IBM芯片部門擬賣格羅方德
消息人士透露，格羅方德半導體（Globalfoundries）在競購IBM公司半導體制造部門中已脫穎而出，成為首選并購者，臺積電則已退出磋商。 華爾街日報引述消息來源報導，IBM也與英特爾和臺積電洽談，但臺積電已經(jīng)退出。
-
Globalfoundries在競購IBM芯片工廠中領先
消息人士稱，Globalfoundries Inc.在競購國際商用機器公司(International Business Machines Corp., 簡稱IBM)半導體制造業(yè)務的過程中領先。消息人士稱，IBM還與英特爾公司(Intel Co., INTC)、臺灣積體電路制造股份有
-
28nm來到臨界點 臺積電高通格羅方德等決戰(zhàn)
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每兩年縮小至原尺寸的70%的步伐前進。如2007年達到45nm，2009年達到32nm，2011年達到22nm。但是到了2013年的14nm時開始出現(xiàn)偏差，英特爾原先承諾的量產(chǎn)時間推
-
AMD擴大釋單GF 臺積不怕
超微擬擴大對格羅方德（GlobalFundries）下單，市場憂心恐沖擊臺積電。外資花旗昨（3）日出具報告，力挺臺積電先進制程具全球領先地位，仍將穩(wěn)穩(wěn)吃下超微最大筆的應用處理器繪圖處理器訂單，受影響不大。 超微日前
-
28nm來到臨界點 臺積電高通格羅芳德等決戰(zhàn)
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每兩年縮小至原尺寸的70%的步伐前進。如2007年達到45nm，2009年達到32nm，2011年達到22nm。但是到了2013年的14nm時開始出現(xiàn)偏差，英特爾原先
-
臺積電、海力士3D IC盟友關系受考驗
晶圓代工龍頭廠臺積電很早就開始布局3D IC技術，更將封測技術納入，提出CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)一次購足的服務，在存儲器芯片上與SK海力士(SK Hynix )合作，不過，隨著SK海力士也將跨入晶圓代工領域，朝整
-
華融證券：面板價格或止跌 藍寶石切割大單出現(xiàn)
3月24日-3月30日，電子行業(yè)表現(xiàn)顯著弱于大盤，在各板塊中處于領跌位置。截止3月28日收盤時，中信電子行業(yè)指數(shù)下跌4.84%，滬深300指數(shù)微跌0.32%，上證指數(shù)微跌0.29%。各子版塊全線下跌，其中分立器件、被動元件和集成
-
全球前十大半導體廠資本支出排行榜
市調機構ICInsights發(fā)表全球半導體廠今年資本支出預估調查，三星、英特爾、臺積電等3大廠仍是全球主要投資者，且3大廠今年資本支出就占全球資本支出總額的51.8％強。業(yè)界認為，先進制程的投資快速飆升，預估至10奈米
-
搶蘋果A9 臺積電推16nm FinFET+
據(jù)業(yè)內人士透露，臺積電(TSMC )可能改進16nm代工業(yè)務，增加兩個更先進的工藝，從而與英特爾和三星電子的14nm代工業(yè)務競爭。根據(jù)臺積電原本路線圖，16nm FinFET工藝有望在2014年底試生產(chǎn)，但是，現(xiàn)在臺積電決定在年底
-
臺積電已經(jīng)在為2015年的A9芯片做足準備
威鋒網(wǎng)訊 3 月 31 日消息，根據(jù)臺灣媒體的最新報導，臺積電（TSMC）正在計劃添加兩種新的制作工藝到目前的 16 納米工藝生產(chǎn)線當中。據(jù)了解，臺積電主要是想要與三星和英特爾聯(lián)合推出的 14 納米制式進行競爭，其目的就
-
臺積市值再新高 直逼英特爾
盤中市值高達3.13兆元 上市晶圓龍頭臺積電(2330)今持續(xù)上漲，盤中最高漲至121元，股價持續(xù)改寫13年多新高，還原權值后的歷史新高，市值達3.13兆元，持續(xù)近逼全球半導體龍頭英特爾(US-INTC)昨收盤的3.92兆元市
-
臺積電高通格羅芳德等決戰(zhàn) 28nm來到臨界點
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每兩年縮小至原尺寸的70%的步伐前進。如2007年達到45nm，2009年達到32nm，2011年達到22nm。但是到了2013年的14nm時開始出現(xiàn)偏差，英特爾原先承諾的量產(chǎn)時間推
-
英特爾攜阿爾特拉 力抗臺積賽靈思
可程式邏輯閘陣列(FPGA)大廠阿爾特拉(Altera)及英特爾昨(27)日共同宣布，雙方將利用系統(tǒng)封裝(SiP)技術，合作開發(fā)整合14奈米3D架構電晶體架構(TriGate)Stratix10FPGA及其它元件的異質架構晶片。業(yè)界認為，英特爾及阿爾
-
英特爾聯(lián)手阿爾特拉制高端FPGA 抗衡賽靈思臺積電
可程式邏輯閘陣列（FPGA）大廠阿爾特拉（Altera）及英特爾共同宣布，雙方將利用系統(tǒng)封裝（SiP）技術，合作開發(fā)整合14奈米3D架構電晶體架構（TriGate）Stratix10FPGA及其它元件的異質架構晶片。業(yè)界認為，英特爾及阿爾
-
英特爾聯(lián)手阿爾特拉制高端FPGA 抗衡賽靈思臺積電
可程式邏輯閘陣列（FPGA）大廠阿爾特拉（Altera）及英特爾共同宣布，雙方將利用系統(tǒng)封裝（SiP）技術，合作開發(fā)整合14奈米3D架構電晶體架構（TriGate）Stratix10FPGA及其它元件的異質架構晶片。業(yè)界認為，英特爾及阿爾
