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音樂驗電燈電路
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互補對稱場效應(yīng)管工作原理圖
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直流無刷電動機控制電路
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寬頻帶高頻信號放大器
寬頻帶高頻信號放大器
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源極跟隨器
源極跟隨器
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出采用高頻氮化鎵場效應(yīng)晶體管
21ic訊 由于氮化鎵場效應(yīng)晶體管具備卓越性能例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及尺寸短小，它是高度諧振并符合Rezence (A4WP)規(guī)格的無線電源傳送系統(tǒng)的理想器件，可提高該系統(tǒng)的效率。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推
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高效逆變控制器電路
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NCP5201的內(nèi)部功能框圖
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中國科學(xué)家成功制備二維黑磷場效應(yīng)晶體管
記者從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，該校微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實驗室陳仙輝教授課題組與復(fù)旦大學(xué)張遠波教授、封東來教授和吳驊教授課題組合作，在二維類石墨烯場效應(yīng)晶體管研究中取得重要進展，成功制備出具有幾個納米厚
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采用電源管理芯片MAX1777-1977的高效4輸出嗲元控制器
采用電源管理芯片MAX1777-1977的高效4輸出嗲元控制器
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采用電源管理芯片MAX1999的高效4輸出電源控制器
采用電源管理芯片MAX1999的高效4輸出電源控制器
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用場效應(yīng)管做有膽味的功率放大器
摘要：用場效應(yīng)晶體管設(shè)計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類，后級采用甲乙類推挽放大技術(shù)。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關(guān)。從聽音效果來看，末級電流200mA是理想值。前
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2014年我國納米電子器件獲重大突破
微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實驗室陳仙輝教授課題組與復(fù)旦大學(xué)張遠波教授、封東來教授和吳驊教授課題組合作，在二維類石墨烯場效應(yīng)晶體管研究中取得重要進展，成功制備出具有幾個納米厚度的二維黑磷場效應(yīng)晶體管。單層原子厚
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如何使用氮化鎵:氮化鎵場效應(yīng)晶體管的驅(qū)動器和版圖的考慮因素
我們在之前的文章討論了氮化鎵場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢，以及它具備可實現(xiàn)更高效率和更快開關(guān)速度的潛力，為硅MOSFET器件所不可能實現(xiàn)的。本章將探討如何利用氮化鎵場效應(yīng)晶體管
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宜普公司推出內(nèi)含氮化鎵場效應(yīng)晶體管演示板 專業(yè)高音質(zhì)并可實現(xiàn)96%效率
EPC9106 D類音頻放大器參考設(shè)計使用具備高頻開關(guān)性能的氮化鎵功率晶體管，展示在提升效率、縮小產(chǎn)品尺寸及不需散熱器之同時可實現(xiàn)具專業(yè)消費類水平的高質(zhì)音響效果。21ic訊
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利用場效應(yīng)晶體管驅(qū)動的定時閃光電路
利用場效應(yīng)晶體管驅(qū)動的定時閃光電路
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如何使用氮化鎵：增強型氮化鎵晶體管的電學(xué)特性
對于一直使用功率MOSFET器件設(shè)計產(chǎn)品的功率系統(tǒng)工程師來說，使用更高效的增強型氮化鎵晶體管并不困難。雖然兩種器件的基本工作特性非常相似，如果想發(fā)揮這種新世代器件的最
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GaN（氮化鎵）技術(shù)嶄露頭角
9月12日第十二屆電源技術(shù)研討會北京站召開，TOP-10電源產(chǎn)品獎頒獎，為21IC和今日電子一年一度的電源季畫上了圓滿的句號。和以往相比，今年GaN（氮化鎵）技術(shù)受關(guān)注的程度顯著提高，在研討會、頒獎禮和廠商交流中被多
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如何使用氮化鎵器件：引進氮化鎵晶體管技術(shù)
本文是專為功率系統(tǒng)設(shè)計工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們在未來數(shù)個月將介紹應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù)，并討論其基本設(shè)計及輔以應(yīng)用范例。硅器件已稱王多時
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結(jié)型場效應(yīng)晶體管采樣與保持電路圖
結(jié)型場效應(yīng)晶體管采樣與保持電路圖
