基于有機(jī)微納單晶高敏感二氧化硫傳感器問(wèn)世

近日從東北師范大學(xué)物理學(xué)院獲悉，在國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家重大科學(xué)研究計(jì)劃和教育部資助下，該校物理學(xué)院教授劉益春團(tuán)隊(duì)湯慶鑫課題組利用有機(jī)微納單晶，構(gòu)造出了一種具有高靈敏度、低檢測(cè)下限、快速響應(yīng)及完全恢復(fù)

宜普公司推出內(nèi)含增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9005開(kāi)發(fā)板

21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出內(nèi)含增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9005開(kāi)發(fā)板，展示最新推出、專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動(dòng)器可幫助工程師簡(jiǎn)單地及以低成本從硅器件轉(zhuǎn)而采用氮化鎵技

宜普推出全新內(nèi)含100 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)發(fā)板

21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010開(kāi)發(fā)板。這種開(kāi)發(fā)板能使工程師更方便地使用宜普100 V增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)來(lái)設(shè)計(jì)產(chǎn)品。受益于eGaN FET性能的應(yīng)用包括高速直流-直流電源、負(fù)

宜普展示200V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 可使設(shè)計(jì)功率系統(tǒng)變得容易

21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9004開(kāi)發(fā)板，展示最新推出、專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動(dòng)器，可幫助設(shè)計(jì)工程師簡(jiǎn)單地及以低成本從硅功

采用帶PN結(jié)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶振電路

由場(chǎng)效應(yīng)晶體管輸出的多量程電壓表電路

采用高增益場(chǎng)效應(yīng)晶體管的音頻放大器電路

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的運(yùn)放器電路圖

620)this.width=620;" onclick="window.open(this.src)" style="cursor:pointer" alt="點(diǎn)擊看大圖" />

有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究取得重要進(jìn)展

近日，晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陶緒堂教授領(lǐng)導(dǎo)的課題組在有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Organic Field Effect Transistors，OFET)研究方面取得重要進(jìn)展。相關(guān)成果以“Three-Dimensional Charge Transport in Organic Semicon

全碳納米晶體管耐揉且性能良好

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，一個(gè)日本研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出如一張紙般可被揉成團(tuán)的全碳納米晶體管，其電子性能卻不發(fā)生減退。該研究成果發(fā)表在美國(guó)《應(yīng)用物理快報(bào)》上。這項(xiàng)研究的合作者之一、東京大學(xué)的機(jī)械工程教授丸山茂

場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙蹤示波器開(kāi)關(guān)

大分子碳結(jié)構(gòu)有機(jī)半導(dǎo)體問(wèn)世 卓越特性成本低廉

據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)8月29日?qǐng)?bào)道，一個(gè)國(guó)際科研團(tuán)隊(duì)首次研制出了一種含巨大分子的有機(jī)半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，擁有卓越的電學(xué)特性，而且成本低廉，可被用于制造現(xiàn)代電子設(shè)備中廣泛使用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。科學(xué)家們

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管EPC2012

21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN® FET）系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無(wú)鉛、無(wú)鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。EPC2012 FET是一

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管EPC2012

21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN® FET）系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無(wú)鉛、無(wú)鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。EPC2012 FET是一

單電源砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率放大器

場(chǎng)效應(yīng)晶體管輸入放大器

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管長(zhǎng)延時(shí)電路

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管“放電式”長(zhǎng)延時(shí)電路

美研制出新式超導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)晶體管

美國(guó)科學(xué)家使用自主設(shè)計(jì)的、精確的原子逐層排列技術(shù)，構(gòu)造出了一個(gè)超薄的超導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以洞悉絕緣材料變成高溫超導(dǎo)體的環(huán)境細(xì)節(jié)。發(fā)表于當(dāng)日出版的《自然》雜志上的該突破將使科學(xué)家能更好地理解高溫超導(dǎo)性，加

我國(guó)首個(gè)ZnO納米棒場(chǎng)效應(yīng)晶體管研制成功

近日，中科院微電子所依靠獨(dú)立開(kāi)發(fā)的全新技術(shù)，成功研制出國(guó)內(nèi)首個(gè)ZnO納米棒場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 ZnO是一種新型寬禁帶多功能半導(dǎo)體材料。ZnO納米材料(納米線、納米棒、納米帶、納米環(huán)等等)具有較常規(guī)體材料更為優(yōu)越的性能