場效應(yīng)晶體管

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GaN材料的研究與應(yīng)用

在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會(huì)關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學(xué)元素來解釋就是V族化合物。

功率器件
2019-08-27

功率場效應(yīng)晶體管電源技術(shù)解析 gan材料
通過自舉擴(kuò)展運(yùn)算放大器工作范圍

對許多應(yīng)用來說，第三種選擇——自舉——可能是比較廉價(jià)的替代方案。除了動(dòng)態(tài)性能要求極為苛刻的應(yīng)用，自舉電源電路的設(shè)計(jì)是相當(dāng)簡單的。

模擬
2019-01-22

運(yùn)算放大器自舉直流偏置電場效應(yīng)晶體管
德州儀器新型即用型600V GaN FET功率級產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用

德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達(dá)10kW應(yīng)用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機(jī)器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個(gè)人電子應(yīng)用中的硅場效應(yīng)晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計(jì)。

模擬
2018-10-31

氮化鎵場效應(yīng)晶體管
EPC于2018年WiPDA寬能隙功率器件及應(yīng)用論壇與工程師作技術(shù)交流

EPC公司的“2018年中國路演”繼續(xù)展開行程,于5月17至19日在西安舉行的首次亞太區(qū)WiPDA研討會(huì)中與工程師分享最新的氮化鎵技術(shù)發(fā)展。

電源
2018-05-14

電源資訊 dc/dc功率轉(zhuǎn)換場效應(yīng)晶體管
負(fù)反饋放大電路

采用負(fù)反饋方式的寬帶放大電路，該電路放大器均采用變壓器耦合方式，放大部分采用場效應(yīng)晶體管和晶體三極管相結(jié)合的方式。

電力電工電路
2018-03-06

電力電工電路負(fù)反饋放大電路變壓器耦合場效應(yīng)晶體管
基于4CCM的場效應(yīng)晶體管源極輸出電路圖

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(108～109Ω

電源電路
2015-10-19

電路圖輸出電路 FET 場效應(yīng)晶體管
基于4CCM的場效應(yīng)晶體管源極輸出電路圖

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(108～109Ω

電源電路
2015-10-15

電路圖輸出電路 FET 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管共源共柵視頻放大器電路

該場效應(yīng)晶體管共源共柵視頻放大器的特點(diǎn)包括非常低的輸入負(fù)載以及其反饋可降低至零。使用2N5485是由于它的電容很低，而Yfs卻很高。該放大器的頻帶寬度受R1和負(fù)載電容的限

電源電路
2015-09-17

放大器電路視頻放大器共源共柵場效應(yīng)晶體管
結(jié)型場效應(yīng)晶體管混頻器電路

結(jié)型場效應(yīng)晶體管混頻器電路

通信電路
2014-12-22

電路電壓 BSP 場效應(yīng)晶體管
由場效應(yīng)晶體管組成的175MHz高頻功放電路

由場效應(yīng)晶體管組成的175MHz高頻功放電路

通信電路
2014-12-22

元件功放電路 HZ 場效應(yīng)晶體管
雙柵場效應(yīng)晶體管高頻放大器電路

雙柵場效應(yīng)晶體管高頻放大器電路

通信電路
2014-12-22

放大器電路 BSP 高頻放大器場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管放大電路

場效應(yīng)晶體管放大電路

通信電路
2014-12-22

放大電路晶體管放大電路電路穩(wěn)定性場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)！

我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管的

模擬
2014-11-24

短路絕緣 MOS管場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管聲控放大電路

場效應(yīng)晶體管聲控放大電路

光電顯示電路
2014-11-16

聲控放大電路柵極場效應(yīng)晶體管
東芝面向超低功率MCU開發(fā)隧穿場效應(yīng)晶體管

東芝公司今天宣布面向超低功率微控制器(MCU)開發(fā)采用新工作原理的隧穿場效應(yīng)晶體管(TFET)。該工作原理已經(jīng)被應(yīng)用到使用CMOS平臺(tái)兼容工藝的兩種不同的TFET開發(fā)中。通過將每種TFET應(yīng)用到一些電路塊中，可實(shí)現(xiàn)大幅降低M

模擬
2014-10-21

東芝 MCU 低功率場效應(yīng)晶體管
采用大功率場效應(yīng)晶體管的步進(jìn)電動(dòng)機(jī)控制電路

采用大功率場效應(yīng)晶體管的步進(jìn)電動(dòng)機(jī)控制電路

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2014-10-13

大功率步進(jìn)電動(dòng)機(jī) 電動(dòng)機(jī)控制電路場效應(yīng)晶體管
基于場效應(yīng)晶體管作為消音管的耳機(jī)電路

　　　　上圖所示為采用場效應(yīng)晶體管作為消音管的耳機(jī)電路。來自數(shù)字信號處理電路的L、R音頻信號經(jīng)消音控制電路送到耳機(jī)接口，Ql、Q2場效應(yīng)晶體管的漏極分別接到L、R信號的

電源電路
2014-10-10

耳機(jī) 電路機(jī)電場效應(yīng)晶體管
雙管袖珍收音機(jī)的接收電路

雙管袖珍收音機(jī)的接收電路

日常電器電路
2014-09-17

收音機(jī) 接收電路高頻放大場效應(yīng)晶體管
寬動(dòng)態(tài)范圍混頻電路

寬動(dòng)態(tài)范圍混頻電路

日常電器電路
2014-09-17

寬動(dòng)態(tài)范圍混頻電路 BSP 場效應(yīng)晶體管
由兩只雙柵極場效應(yīng)管構(gòu)成的平衡式混頻電路

由兩只雙柵極場效應(yīng)管構(gòu)成的平衡式混頻電路

日常電器電路
2014-09-17

場效應(yīng)管柵極混頻電路場效應(yīng)晶體管

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場效應(yīng)晶體管

GaN材料的研究與應(yīng)用

通過自舉擴(kuò)展運(yùn)算放大器工作范圍

德州儀器新型即用型600V GaN FET功率級產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用

EPC于2018年WiPDA寬能隙功率器件及應(yīng)用論壇與工程師作技術(shù)交流

負(fù)反饋放大電路

基于4CCM的場效應(yīng)晶體管源極輸出電路圖

基于4CCM的場效應(yīng)晶體管源極輸出電路圖

場效應(yīng)晶體管共源共柵視頻放大器電路

結(jié)型場效應(yīng)晶體管混頻器電路

由場效應(yīng)晶體管組成的175MHz高頻功放電路

雙柵場效應(yīng)晶體管高頻放大器電路

場效應(yīng)晶體管放大電路

場效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)！

場效應(yīng)晶體管聲控放大電路

東芝面向超低功率MCU開發(fā)隧穿場效應(yīng)晶體管

采用大功率場效應(yīng)晶體管的步進(jìn)電動(dòng)機(jī)控制電路

基于場效應(yīng)晶體管作為消音管的耳機(jī)電路

雙管袖珍收音機(jī)的接收電路

寬動(dòng)態(tài)范圍混頻電路

由兩只雙柵極場效應(yīng)管構(gòu)成的平衡式混頻電路

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