-
SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。
-
設(shè)計一個特斯拉線圈電路
由于幾個實際原因，真空管特斯拉線圈是房屋建筑商的常見選擇。在固態(tài)特斯拉Cioils中，如果錯誤的組裝，錯誤的計算，甚至錯誤的印刷電路布線，場效應(yīng)晶體管很快就會失效，有時會爆炸，這也會帶來經(jīng)濟(jì)困難，因為強大的晶體管成本很高。VTTC有一個更簡單的電路，基于一個強大的真空管，在這個特殊的情況下，GU50也更能抵抗施工錯誤。
-
使用雙升壓轉(zhuǎn)換器來擴(kuò)展高轉(zhuǎn)換率設(shè)計的功率范圍
任何啟動轉(zhuǎn)換器的設(shè)計都將有一個實際的限制,它可以增加多少電壓從輸入到輸出。脈沖寬度調(diào)制控制器具有限制場效應(yīng)晶體管(FET)最小允許時和非時的時間限制。時序限制將有效地限制可實現(xiàn)的電壓提升比,盡管這一缺點在以電感代替變壓器或耦合電感作為其磁性的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中更為明顯。在這個電源提示中,我將比較各種非孤立的,單端提升拓?fù)?以擴(kuò)展電壓提升比,并引入雙頭轉(zhuǎn)換器作為實現(xiàn)大轉(zhuǎn)換率和高電流輸出負(fù)載的一個選項。
-
淺析MOS管在集成電路的詳細(xì)應(yīng)用
金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOS管)是現(xiàn)代集成電路中不可或缺的元件之一。自1960年代問世以來，MOS管因其低功耗、高集成度、良好的溫度穩(wěn)定性和廣泛的電壓適應(yīng)性等優(yōu)點，在集成電路設(shè)計中占據(jù)了核心地位。本文將詳細(xì)探討MOS管在集成電路中的多種應(yīng)用，包括其基本工作原理、優(yōu)點、具體應(yīng)用實例以及未來發(fā)展趨勢。
-
mosfet是什么電子元件
MOSFET?zhǔn)且环N場效應(yīng)晶體管(FET)，全稱為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
-
MOS管的作用有哪些？
MOS管，即金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是電子學(xué)中常用的一種半導(dǎo)體器件。它具有高頻率、低噪聲、高輸入阻抗等特點，被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。本文將詳細(xì)介紹MOS管的作用。
-
什么是場效應(yīng)管？它的作用是什么？
以下內(nèi)容中，小編將對場效應(yīng)管的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對場效應(yīng)管的了解，和小編一起來看看吧。
-
立锜科技與宜普電源轉(zhuǎn)換攜手推出小型化、140 W快充解決方案
宜普電源轉(zhuǎn)換公司和立锜科技宣布推出4開關(guān)雙向降壓-升壓控制器參考設(shè)計，可將12 V~24 V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為5 V~20 V的穩(wěn)壓輸出電壓，并提供高達(dá)5 A的連續(xù)電流和6.5 A的最大電流。與高功率密度應(yīng)用的傳統(tǒng)解決方案相比，新型RT6190控制器與EPC的超高效氮化鎵場效應(yīng)晶體管EPC2204相結(jié)合，使得解決方案尺寸可縮小20%以上，而且在20 V和12 V輸出電壓下，可實現(xiàn)超過98%的效率。在不需使用散熱器和5 A連續(xù)電流下，20 V轉(zhuǎn)5 V的最大升溫低于攝氏15度，而12 V轉(zhuǎn)20 V的最高升溫則低于攝氏55度。
-
Transphorm在深圳設(shè)立GaN場效應(yīng)晶體管實驗室
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報道，TransphormInc已經(jīng)在深圳設(shè)立GaN場效應(yīng)晶體管實驗室，并且已經(jīng)全面投入運營，并為中國的客戶提供產(chǎn)品及服務(wù)。
-
EPC新推最小型化的40 V、1.1 m? 場效應(yīng)晶體管，可實現(xiàn)最高功率密度
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2066)，為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。
-
EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2071),為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。
-
如何使用原廠選型工具，選擇 MOSFET
我們談到了為開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用選擇最合適的場效應(yīng)晶體管 (FET) 是多么困難。根據(jù)數(shù)據(jù)表規(guī)格預(yù)測電路性能是一個繁瑣的過程。要了解它的繁瑣程度，我建議閱讀應(yīng)用說明“考慮同步降壓轉(zhuǎn)換器的共源電感的功率損耗計算”，因為它細(xì)致地詳細(xì)說明了一階和二階寄生元件對這一特定拓?fù)涞墓β蕮p耗影響.
-
UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET
2022年5月11日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)系列，這些產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻方面具備業(yè)界出眾的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適合主流的800V總線結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)常見于電動車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、直流太陽能逆變器、焊機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱應(yīng)用。
-
EPC擴(kuò)大了 40 V eGaN?FET的產(chǎn)品陳容， 新產(chǎn)品是高功率密度電信、網(wǎng)通和計算解決方案的理想器件
EPC 推出了 40 V、1.6 m?的氮化鎵場效應(yīng)晶體管 （eGaN? FET），器件型號為 ，專為設(shè)計人員而設(shè)，EPC2069比目前市場上可選的器件更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。
-
場效應(yīng)管主要參數(shù)及與其他管子的對比
場效應(yīng)晶體管（Field?Effect?Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。
-
EPC新推80 V和200 V eGaN?FET,進(jìn)一步擴(kuò)大其高性能氮化鎵產(chǎn)品陣容
這些新一代氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET) 滿足了目前電動出行(eMobility)、交付和物流機(jī)器人，以及無人機(jī)市場所需的緊湊型 BLDC 電機(jī)驅(qū)動器和具成本效益、高分辨率的飛行時間(ToF)的新需求。
-
你知道鋰電池保護(hù)板起什么作用以及激活方法嗎？
在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的鋰電池保護(hù)板，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)鋰電池保護(hù)板。電子產(chǎn)品隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了尋常百姓家。人們對電子產(chǎn)品使用的需求也越來越高，伴隨著電子產(chǎn)品的使用需求越來越高，人們對鋰電池的需求也越來越高，鋰電池作為一種電儲量比較大的電池，應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品上。然而市場上有些不法商家就瞄準(zhǔn)了這一點，他們用大量的假冒偽劣電池充斥了整個市場，使得消費者難以買到真產(chǎn)品。
-
性能更高而同時成本更低的兩款200 V eGaN FET解析
人類社會的進(jìn)步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計者的努力，其實很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如氮化鎵場效應(yīng)晶體管。
-
用于48VDC/DC轉(zhuǎn)換的EPC9148和EPC9153演示板
在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的氮化鎵場效應(yīng)晶體管，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)氮化鎵場效應(yīng)晶體管。
-
面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管
隨著社會的快速發(fā)展，我們的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)也在快速發(fā)展，那么你知道氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)的詳細(xì)資料解析嗎?接下來讓小編帶領(lǐng)大家來詳細(xì)地了解有關(guān)的知識。
