IDM廠近幾年來沒有加碼太多后段封測廠投資,但因?yàn)辄S金價格持續(xù)高漲,IDM廠又沒有在銅打線設(shè)備上有太多產(chǎn)能,所以包括德儀、意法、恩智浦等大廠,已將改為銅打線的低階封測擴(kuò)大委外代工,在大陸擁有龐大產(chǎn)能的龍頭大
非接觸公交IC卡讀寫器的應(yīng)用設(shè)計
芯片設(shè)計的進(jìn)度經(jīng)常估不準(zhǔn),連帶影響芯片的開發(fā)成本、芯片的上市時間、及上市后的銷售。許多芯片投制商(ASIC Supplier)會用總項目管理數(shù)據(jù)庫來估算芯片投制設(shè)計的進(jìn)度。同時絕大多數(shù)的進(jìn)度估算都認(rèn)為,投制設(shè)計完成
實(shí)現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器--相變存儲器
摩根大通證券針對明年亞洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)出具最新報告指出,全球存儲器市場將擺脫今年的營收下滑態(tài)勢,預(yù)估明年營收年成長6%,而面板產(chǎn)業(yè)則將持續(xù)受到需求不振影響,明年上半年價格難有起色,晶圓代工與封測族群基本
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)第四季價格持續(xù)下跌,存儲器封測廠受到客戶要求降價,近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價5%到10%,將沖擊本季毛利表現(xiàn)。 據(jù)了解,由于DRAM價格第三季慘跌,當(dāng)時存儲器廠已提出要存儲器封測
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)第四季價格持續(xù)下跌,存儲器封測廠受到客戶要求降價,近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價5%到10%,將沖擊本季毛利表現(xiàn)。 據(jù)了解,由于DRAM價格第三季慘跌,當(dāng)時存儲器廠已提出要存儲器封測
通過在各像素中形成存儲器電路來保持寫入的圖像數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)低耗電——臺灣友達(dá)光電(AUO)和臺灣奇美電子(CMI)兩公司展出了“像素存儲器”型液晶面板。在像素的驅(qū)動元件和存儲器電路上采用了低溫多晶硅TFT。友達(dá)光電
受到大環(huán)境影響,今年封測廠商資本支出普遍較去年縮水,日月光、矽品、力成等八家上市柜封測廠今年資本支出縮水近200億元,和去年相比減幅逾26%。 不過,日月光、矽品及力成等三大封測今年資本支出仍在百億元之上
存儲器封測大廠力成科技(6239)接單再傳捷報,拿下美光(Micron)及新帝(SanDisk)NAND快閃存儲器封測大單!,加上原大客戶東芝加碼釋單,力成第4季營收可望優(yōu)于第3季 由于智能型手機(jī)、平板計算機(jī)、Ultrabook等
嵌入式處理技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展突飛猛進(jìn),基于嵌入式處理技術(shù)的微控制器也得到深入發(fā)展。近日,德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)16位微控制器,可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻(RF)通信能力的新時代到來
基于金屬氧化物的非揮發(fā)性存儲器 ──電阻式RAM(RRAM),在11nm節(jié)點(diǎn)前不可能進(jìn)入市場;在此之前,堆疊式浮閘NAND閃存相對較具潛力,而且很可能會朝向2~4Tbit的獨(dú)立型整合芯片發(fā)展,IMEC研究所存儲器研究專案總監(jiān)Laith
DRAM廠南科、華亞科、力晶第三季財報昨(19)日出爐,單季稅后凈損合計達(dá)256.48億元,前三季共虧損570.1億元。南科、華亞科前三季虧損創(chuàng)成立以來同期新高,南科第三季末每股凈值更「拉警報」,僅剩0.94元,將透過私募
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過共享資源設(shè)計平臺,進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案。力旺電子獨(dú)
據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道,美國科學(xué)家們正在研制一種新的計算機(jī)存儲設(shè)備——鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲器(FeTRAM),其將比現(xiàn)在的商用存儲設(shè)備更快捷,且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國化學(xué)學(xué)會
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過共享資源設(shè)計平臺,進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案。力旺電子獨(dú)
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過共享資源設(shè)計平臺,進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案。力旺電子獨(dú)
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過共享資源設(shè)計平臺,進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案。力旺電子獨(dú)
惠普實(shí)驗(yàn)室資深院士Stan Williams聲稱,該公司自2008年開始研發(fā),基于“憶阻器”技術(shù)的兩端點(diǎn)、非揮發(fā)性存儲器技術(shù),可望在未來18個月內(nèi)投入市場,甚至取代閃存。“我們有很多相關(guān)計劃,也正和Hynix半
蘋果iPhone新機(jī)即將在10月4日亮相,存儲器封測廠力成可望透過爾必達(dá)(Elpida)切進(jìn)相關(guān)供應(yīng)鏈。 業(yè)界人士指出,蘋果iPhone 新機(jī)可能會繼續(xù)內(nèi)建行動存儲器(Mobile DRAM),沿用iPhone 4規(guī)格采用爾必達(dá)的行動存儲器產(chǎn)品