IDM廠近幾年來(lái)沒(méi)有加碼太多后段封測(cè)廠投資,但因?yàn)辄S金價(jià)格持續(xù)高漲,IDM廠又沒(méi)有在銅打線設(shè)備上有太多產(chǎn)能,所以包括德儀、意法、恩智浦等大廠,已將改為銅打線的低階封測(cè)擴(kuò)大委外代工,在大陸擁有龐大產(chǎn)能的龍頭大
非接觸公交IC卡讀寫(xiě)器的應(yīng)用設(shè)計(jì)
芯片設(shè)計(jì)的進(jìn)度經(jīng)常估不準(zhǔn),連帶影響芯片的開(kāi)發(fā)成本、芯片的上市時(shí)間、及上市后的銷售。許多芯片投制商(ASIC Supplier)會(huì)用總項(xiàng)目管理數(shù)據(jù)庫(kù)來(lái)估算芯片投制設(shè)計(jì)的進(jìn)度。同時(shí)絕大多數(shù)的進(jìn)度估算都認(rèn)為,投制設(shè)計(jì)完成
實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器--相變存儲(chǔ)器
摩根大通證券針對(duì)明年亞洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)出具最新報(bào)告指出,全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)將擺脫今年的營(yíng)收下滑態(tài)勢(shì),預(yù)估明年?duì)I收年成長(zhǎng)6%,而面板產(chǎn)業(yè)則將持續(xù)受到需求不振影響,明年上半年價(jià)格難有起色,晶圓代工與封測(cè)族群基本
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌,存儲(chǔ)器封測(cè)廠受到客戶要求降價(jià),近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測(cè)售價(jià)5%到10%,將沖擊本季毛利表現(xiàn)。 據(jù)了解,由于DRAM價(jià)格第三季慘跌,當(dāng)時(shí)存儲(chǔ)器廠已提出要存儲(chǔ)器封測(cè)
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌,存儲(chǔ)器封測(cè)廠受到客戶要求降價(jià),近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測(cè)售價(jià)5%到10%,將沖擊本季毛利表現(xiàn)。 據(jù)了解,由于DRAM價(jià)格第三季慘跌,當(dāng)時(shí)存儲(chǔ)器廠已提出要存儲(chǔ)器封測(cè)
通過(guò)在各像素中形成存儲(chǔ)器電路來(lái)保持寫(xiě)入的圖像數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)低耗電——臺(tái)灣友達(dá)光電(AUO)和臺(tái)灣奇美電子(CMI)兩公司展出了“像素存儲(chǔ)器”型液晶面板。在像素的驅(qū)動(dòng)元件和存儲(chǔ)器電路上采用了低溫多晶硅TFT。友達(dá)光電
受到大環(huán)境影響,今年封測(cè)廠商資本支出普遍較去年縮水,日月光、矽品、力成等八家上市柜封測(cè)廠今年資本支出縮水近200億元,和去年相比減幅逾26%。 不過(guò),日月光、矽品及力成等三大封測(cè)今年資本支出仍在百億元之上
存儲(chǔ)器封測(cè)大廠力成科技(6239)接單再傳捷報(bào),拿下美光(Micron)及新帝(SanDisk)NAND快閃存儲(chǔ)器封測(cè)大單!,加上原大客戶東芝加碼釋單,力成第4季營(yíng)收可望優(yōu)于第3季 由于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、Ultrabook等
嵌入式處理技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展突飛猛進(jìn),基于嵌入式處理技術(shù)的微控制器也得到深入發(fā)展。近日,德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)16位微控制器,可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻(RF)通信能力的新時(shí)代到來(lái)
基于金屬氧化物的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器 ──電阻式RAM(RRAM),在11nm節(jié)點(diǎn)前不可能進(jìn)入市場(chǎng);在此之前,堆疊式浮閘NAND閃存相對(duì)較具潛力,而且很可能會(huì)朝向2~4Tbit的獨(dú)立型整合芯片發(fā)展,IMEC研究所存儲(chǔ)器研究專案總監(jiān)Laith
DRAM廠南科、華亞科、力晶第三季財(cái)報(bào)昨(19)日出爐,單季稅后凈損合計(jì)達(dá)256.48億元,前三季共虧損570.1億元。南科、華亞科前三季虧損創(chuàng)成立以來(lái)同期新高,南科第三季末每股凈值更「拉警報(bào)」,僅剩0.94元,將透過(guò)私募
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過(guò)共享資源設(shè)計(jì)平臺(tái),進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開(kāi)發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案。力旺電子獨(dú)
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道,美國(guó)科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備——鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM),其將比現(xiàn)在的商用存儲(chǔ)設(shè)備更快捷,且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過(guò)共享資源設(shè)計(jì)平臺(tái),進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開(kāi)發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案。力旺電子獨(dú)
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過(guò)共享資源設(shè)計(jì)平臺(tái),進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開(kāi)發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案。力旺電子獨(dú)
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過(guò)共享資源設(shè)計(jì)平臺(tái),進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開(kāi)發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案。力旺電子獨(dú)
惠普實(shí)驗(yàn)室資深院士Stan Williams聲稱,該公司自2008年開(kāi)始研發(fā),基于“憶阻器”技術(shù)的兩端點(diǎn)、非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù),可望在未來(lái)18個(gè)月內(nèi)投入市場(chǎng),甚至取代閃存。“我們有很多相關(guān)計(jì)劃,也正和Hynix半
蘋(píng)果iPhone新機(jī)即將在10月4日亮相,存儲(chǔ)器封測(cè)廠力成可望透過(guò)爾必達(dá)(Elpida)切進(jìn)相關(guān)供應(yīng)鏈。 業(yè)界人士指出,蘋(píng)果iPhone 新機(jī)可能會(huì)繼續(xù)內(nèi)建行動(dòng)存儲(chǔ)器(Mobile DRAM),沿用iPhone 4規(guī)格采用爾必達(dá)的行動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)品