華亞科制程轉(zhuǎn)換出瑕疵 引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注

DRAM廠制程轉(zhuǎn)換再度傳出突發(fā)狀況，華亞科近期傳出12寸晶圓廠在后段制程出現(xiàn)一批低良率瑕疵品，恐影響2、3月DRAM產(chǎn)出量，甚至可能將瑕疵品轉(zhuǎn)銷往現(xiàn)貨市場(chǎng)，引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注。華亞科對(duì)此表示，該事件影響不大，

ICT產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)飛速發(fā)展

未來(lái)，ICT業(yè)務(wù)無(wú)疑將會(huì)迅速擴(kuò)大并引起全球社會(huì)與經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)的巨大變革,企業(yè)的業(yè)務(wù)模式也要適時(shí)徹底調(diào)整。2011年全球ICT(信息通信技術(shù))市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)4萬(wàn)億美元，其中亞太地區(qū)增長(zhǎng)速度最高，約占世界的30%。因此，可以說(shuō)

期待一個(gè)新時(shí)代的開啟

又到歲末年初，對(duì)于已經(jīng)發(fā)展到如此成熟規(guī)模的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，展望下一年的技術(shù)趨勢(shì)變得舉步維艱，因?yàn)槊恳粋€(gè)微小的技術(shù)變化都已經(jīng)可稱得上是重大的突破。市場(chǎng)需求將半導(dǎo)體的工藝技術(shù)推到了全世界工業(yè)精密生產(chǎn)的頂峰

存儲(chǔ)器保護(hù)電路

256KB動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器擴(kuò)展電路

DRAM合約價(jià)醞釀反彈　暫無(wú)崩盤之憂

DRAM合約價(jià)在2010年第4季跌幅高達(dá)50%，隨著現(xiàn)貨價(jià)在農(nóng)歷年前率先反彈，2011年2月DRAM合約價(jià)亦走向止跌，存儲(chǔ)器模塊廠表示，近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價(jià)都呈現(xiàn)止跌跡象，由于目前現(xiàn)貨價(jià)比合約價(jià)至少高出20%，使

合約價(jià)將發(fā)生反彈　DRAM暫無(wú)崩盤之憂

隨著現(xiàn)貨價(jià)在農(nóng)歷年前率先反彈，2011年2月DRAM合約價(jià)亦走向止跌，存儲(chǔ)器模塊廠表示，近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價(jià)都呈現(xiàn)止跌跡象，由于目前現(xiàn)貨價(jià)比合約價(jià)至少高出20%，使得DRAM廠在合約價(jià)談判上輕松許多；南亞

DRAM合約價(jià)醞釀反彈　暫無(wú)崩盤之憂

DRAM合約價(jià)在2010年第4季跌幅高達(dá)50%，隨著現(xiàn)貨價(jià)在農(nóng)歷年前率先反彈，2011年2月DRAM合約價(jià)亦走向止跌，存儲(chǔ)器模塊廠表示，近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價(jià)都呈現(xiàn)止跌跡象，由于目前現(xiàn)貨價(jià)比合約價(jià)至少高出20%，使

Ramtron在IIC China 2011上展示MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器

Ramtron International Corporation將在今年2月24至26日于深圳會(huì)展中心舉行的IIC China 展會(huì)上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢(shì) (展臺(tái)號(hào)：2L19)。Ramtron專家將在展臺(tái)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示，并回答有關(guān)獲獎(jiǎng)的MaxArias™無(wú)線存儲(chǔ)

Ramtron在IIC China 2011展會(huì)上 展示MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器

世界頂尖的低功率鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron InternationalCorporation將在今年2月24至26日于深圳會(huì)展中心舉行的IIC China 展會(huì)上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢(shì) (展臺(tái)號(hào)：2L19)。Ramtron專

Ramtron在IIC China 2011展會(huì)上展示MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器

Ramtron International Corporation將在今年2月24至26日于深圳會(huì)展中心舉行的IIC China 展會(huì)上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢(shì) (展臺(tái)號(hào)：2L19)。Ramtron專家將在展臺(tái)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示，并回答有關(guān)獲獎(jiǎng)的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器等

傳爾必達(dá)與債權(quán)銀行洽談 或并購(gòu)茂德

日本DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)在成功集成臺(tái)廠力晶、瑞晶產(chǎn)能后，日前再度傳出將目標(biāo)轉(zhuǎn)向茂德，根據(jù)日本外電報(bào)導(dǎo)，爾必達(dá)正和臺(tái)灣政府和債權(quán)銀行團(tuán)協(xié)商，希望銀行團(tuán)能放棄債權(quán)以利爾必達(dá)做整并；不過(guò)，茂德指出，完全沒

傳爾必達(dá)或并購(gòu)茂德

日本DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)在成功集成臺(tái)廠力晶、瑞晶產(chǎn)能后，日前再度傳出將目標(biāo)轉(zhuǎn)向茂德，根據(jù)日本外電報(bào)導(dǎo)，爾必達(dá)正和臺(tái)灣政府和債權(quán)銀行團(tuán)協(xié)商，希望銀行團(tuán)能放棄債權(quán)以利爾必達(dá)做整并;不過(guò)，茂德指出，完全沒聽

存儲(chǔ)器保護(hù)電路

存儲(chǔ)器保護(hù)電路

256KB動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器擴(kuò)展電路

256KB動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器擴(kuò)展電路

爾必達(dá)2010年第四季度大虧3.6億美元

存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)公布2010會(huì)計(jì)年度第3季財(cái)報(bào)(2010年10~12月)，受存儲(chǔ)器價(jià)格大跌拖累，爾必達(dá)第3季大虧296億日?qǐng)A(約3.6億美元)。 2010會(huì)計(jì)年度第3季爾必達(dá)營(yíng)收為970.7億日?qǐng)A，較前1年同期的1,510.1億日?qǐng)A

三星權(quán)五鉉：DRAM價(jià)于第1季觸底回升

三星電子(SamsungElectronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長(zhǎng)權(quán)五鉉，出席2011年IT產(chǎn)業(yè)新年見面會(huì)時(shí)曾表示，DRAM價(jià)格可能提早于第1季觸底并回升，第1季內(nèi)價(jià)格將有小幅下跌，價(jià)格隨即出現(xiàn)反彈，但不確定會(huì)發(fā)生在2月或3月。DRAM價(jià)格

美國(guó)存儲(chǔ)器廠商芯成半導(dǎo)體計(jì)劃2千萬(wàn)美元現(xiàn)金收購(gòu)廈門錫恩微電子

美國(guó)芯成半導(dǎo)體（ISSI )日前宣布，已與錫恩微電子公司（Si En Integration Holdings Ltd）達(dá)成收購(gòu)協(xié)議，錫恩微電子是設(shè)在一家廈門，從事模擬和混合電路涉及的私營(yíng)公司。芯成半導(dǎo)體總部設(shè)在美國(guó)San Jose-based，專門

MAX7456在可視倒車?yán)走_(dá)中的應(yīng)用

為解決傳統(tǒng)可視倒車?yán)走_(dá)視頻字符疊加器結(jié)構(gòu)復(fù)雜，可靠性差，成本高昂等問(wèn)題，在可視倒車?yán)走_(dá)設(shè)計(jì)中采用視頻字符發(fā)生器芯片MAX7456。該芯片集成了所有用于產(chǎn)生用戶定義OSD，并將其插入視頻信號(hào)中所需的全部功能，僅需少量的外圍阻容元件即可正常工作。給出了以MAX7456為核心的可視倒車?yán)走_(dá)的軟、硬件實(shí)現(xiàn)方案及設(shè)計(jì)實(shí)例。該方案具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、符合人體視覺習(xí)慣的特點(diǎn)。經(jīng)實(shí)際裝車測(cè)試，按該方案設(shè)計(jì)的可視倒車?yán)走_(dá)視場(chǎng)清晰、提示字符醒目、工作可靠，可有效降低駕駛員倒車時(shí)的工作強(qiáng)度、減少倒車事故的發(fā)生。

5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的存儲(chǔ)器（瑞薩電子）

瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子）于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲(chǔ)器產(chǎn)品576Mb（Mbit）低時(shí)延 DRAM，品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD