DRAM廠制程轉(zhuǎn)換再度傳出突發(fā)狀況,華亞科近期傳出12寸晶圓廠在后段制程出現(xiàn)一批低良率瑕疵品,恐影響2、3月DRAM產(chǎn)出量,甚至可能將瑕疵品轉(zhuǎn)銷往現(xiàn)貨市場,引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注。華亞科對此表示,該事件影響不大,
未來,ICT業(yè)務(wù)無疑將會迅速擴大并引起全球社會與經(jīng)濟結(jié)構(gòu)的巨大變革,企業(yè)的業(yè)務(wù)模式也要適時徹底調(diào)整。2011年全球ICT(信息通信技術(shù))市場規(guī)模將超過4萬億美元,其中亞太地區(qū)增長速度最高,約占世界的30%。因此,可以說
又到歲末年初,對于已經(jīng)發(fā)展到如此成熟規(guī)模的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,展望下一年的技術(shù)趨勢變得舉步維艱,因為每一個微小的技術(shù)變化都已經(jīng)可稱得上是重大的突破。市場需求將半導(dǎo)體的工藝技術(shù)推到了全世界工業(yè)精密生產(chǎn)的頂峰
DRAM合約價在2010年第4季跌幅高達50%,隨著現(xiàn)貨價在農(nóng)歷年前率先反彈,2011年2月DRAM合約價亦走向止跌,存儲器模塊廠表示,近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價都呈現(xiàn)止跌跡象,由于目前現(xiàn)貨價比合約價至少高出20%,使
隨著現(xiàn)貨價在農(nóng)歷年前率先反彈,2011年2月DRAM合約價亦走向止跌,存儲器模塊廠表示,近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價都呈現(xiàn)止跌跡象,由于目前現(xiàn)貨價比合約價至少高出20%,使得DRAM廠在合約價談判上輕松許多;南亞
DRAM合約價在2010年第4季跌幅高達50%,隨著現(xiàn)貨價在農(nóng)歷年前率先反彈,2011年2月DRAM合約價亦走向止跌,存儲器模塊廠表示,近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價都呈現(xiàn)止跌跡象,由于目前現(xiàn)貨價比合約價至少高出20%,使
Ramtron International Corporation將在今年2月24至26日于深圳會展中心舉行的IIC China 展會上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢 (展臺號:2L19)。Ramtron專家將在展臺進行現(xiàn)場演示,并回答有關(guān)獲獎的MaxArias™無線存儲
世界頂尖的低功率鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron InternationalCorporation將在今年2月24至26日于深圳會展中心舉行的IIC China 展會上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢 (展臺號:2L19)。Ramtron專
Ramtron International Corporation將在今年2月24至26日于深圳會展中心舉行的IIC China 展會上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢 (展臺號:2L19)。Ramtron專家將在展臺進行現(xiàn)場演示,并回答有關(guān)獲獎的MaxArias無線存儲器等
日本DRAM大廠爾必達(Elpida)在成功集成臺廠力晶、瑞晶產(chǎn)能后,日前再度傳出將目標(biāo)轉(zhuǎn)向茂德,根據(jù)日本外電報導(dǎo),爾必達正和臺灣政府和債權(quán)銀行團協(xié)商,希望銀行團能放棄債權(quán)以利爾必達做整并;不過,茂德指出,完全沒
日本DRAM大廠爾必達(Elpida)在成功集成臺廠力晶、瑞晶產(chǎn)能后,日前再度傳出將目標(biāo)轉(zhuǎn)向茂德,根據(jù)日本外電報導(dǎo),爾必達正和臺灣政府和債權(quán)銀行團協(xié)商,希望銀行團能放棄債權(quán)以利爾必達做整并;不過,茂德指出,完全沒聽
存儲器保護電路
256KB動態(tài)存儲器擴展電路
存儲器大廠爾必達(Elpida)公布2010會計年度第3季財報(2010年10~12月),受存儲器價格大跌拖累,爾必達第3季大虧296億日圓(約3.6億美元)。 2010會計年度第3季爾必達營收為970.7億日圓,較前1年同期的1,510.1億日圓
三星電子(SamsungElectronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長權(quán)五鉉,出席2011年IT產(chǎn)業(yè)新年見面會時曾表示,DRAM價格可能提早于第1季觸底并回升,第1季內(nèi)價格將有小幅下跌,價格隨即出現(xiàn)反彈,但不確定會發(fā)生在2月或3月。DRAM價格
美國芯成半導(dǎo)體(ISSI )日前宣布,已與錫恩微電子公司(Si En Integration Holdings Ltd)達成收購協(xié)議,錫恩微電子是設(shè)在一家廈門,從事模擬和混合電路涉及的私營公司。芯成半導(dǎo)體總部設(shè)在美國San Jose-based,專門
為解決傳統(tǒng)可視倒車雷達視頻字符疊加器結(jié)構(gòu)復(fù)雜,可靠性差,成本高昂等問題,在可視倒車雷達設(shè)計中采用視頻字符發(fā)生器芯片MAX7456。該芯片集成了所有用于產(chǎn)生用戶定義OSD,并將其插入視頻信號中所需的全部功能,僅需少量的外圍阻容元件即可正常工作。給出了以MAX7456為核心的可視倒車雷達的軟、硬件實現(xiàn)方案及設(shè)計實例。該方案具有電路結(jié)構(gòu)簡單、價格低廉、符合人體視覺習(xí)慣的特點。經(jīng)實際裝車測試,按該方案設(shè)計的可視倒車雷達視場清晰、提示字符醒目、工作可靠,可有效降低駕駛員倒車時的工作強度、減少倒車事故的發(fā)生。
瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時延 DRAM,品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD