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組網(wǎng)布線網(wǎng)絡(luò)布線常見問(wèn)題解析
1、為什么不能用網(wǎng)絡(luò)的調(diào)試來(lái)檢驗(yàn)電纜的性能? 目前不少用戶對(duì)所安裝的雙絞線不進(jìn)行認(rèn)證測(cè)試，而是在網(wǎng)絡(luò)調(diào)試過(guò)程中進(jìn)行檢驗(yàn)，當(dāng)網(wǎng)絡(luò)可以連通時(shí)就認(rèn)為所安裝的電纜是合格的。這種做法不僅是錯(cuò)誤的而且是十分危險(xiǎn)的
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組網(wǎng)布線網(wǎng)絡(luò)布線常見問(wèn)題解析
1、為什么不能用網(wǎng)絡(luò)的調(diào)試來(lái)檢驗(yàn)電纜的性能? 目前不少用戶對(duì)所安裝的雙絞線不進(jìn)行認(rèn)證測(cè)試，而是在網(wǎng)絡(luò)調(diào)試過(guò)程中進(jìn)行檢驗(yàn)，當(dāng)網(wǎng)絡(luò)可以連通時(shí)就認(rèn)為所安裝的電纜是合格的。這種做法不僅是錯(cuò)誤的而且是十分危險(xiǎn)的
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日本IDEC擬發(fā)表具防爆結(jié)構(gòu)的LED照明產(chǎn)品
日本愛德克（IDEC）將上市具備耐壓防爆構(gòu)造的led照明“EF1A型”。適用于存在可燃性氣體及液體等的工廠。 該LED照明產(chǎn)品備有安裝后可調(diào)整照射方向的帶安裝固件的款式及帶亮燈開關(guān)的款式等864種。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造
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PSoC3內(nèi)部模擬布線和管腳選擇
摘要：本文首先介紹了PSoC3內(nèi)部的模擬總線分布，說(shuō)明了PSoC Creator的模擬布線功能以及在設(shè)計(jì)中需要遵守的一些應(yīng)用規(guī)則，在模擬資源使用較多或?qū)δM性能要求較高的應(yīng)用中，設(shè)計(jì)者要遵照這些規(guī)則以達(dá)到高性能和高資源
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大日本印刷展出采用TSV的硅轉(zhuǎn)接板
形成評(píng)測(cè)用硅轉(zhuǎn)接板（TEG）的150mm晶圓（左）和200mm晶圓（右）（點(diǎn)擊放大） 大日本印刷在“JPCA Show 2011（第41屆國(guó)際電子電路產(chǎn)業(yè)展）”上展出了采用TSV（硅通孔）的硅轉(zhuǎn)接板。該公司大約從10年前開始開展MEMS
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非晶硅反熔絲FPGA提升系統(tǒng)可靠性
現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）技術(shù)因其提供的設(shè)計(jì)靈活性,已為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員廣泛采用。非晶硅反熔絲FPGA技術(shù)尤其有用,它可以提供一種高電路密度與低功耗,以及非易失性編程和高可靠性的組合。為了充分發(fā)揮其可靠性,FPGA廠
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【告別傳統(tǒng)基板】三無(wú)基板化：削減基板層數(shù)，降低成本
用于便攜終端才是本意？ 在便攜終端用小型及薄型封裝中，相對(duì)于無(wú)芯基板，無(wú)基板技術(shù)更有可能率先普及。原因是無(wú)基板技術(shù)是在芯片表面直接形成較薄的再布線層，因此比無(wú)芯基板更容易實(shí)現(xiàn)薄型化。 無(wú)基板技術(shù)的
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西蒙Z-MAX結(jié)構(gòu)化布線解決方案
為明日的網(wǎng)絡(luò)徹底改造RJ-45 全新的6A類系統(tǒng)提供業(yè)界最大的布線性能余量，1 分鐘內(nèi)即可安裝完畢 提到以太網(wǎng)接口，總是會(huì)讓人想起耦合的模塊化RJ型插頭和插孔型連接器。但是隨著數(shù)據(jù)傳輸速度接近10 Gb/s，傳統(tǒng)的
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布線測(cè)試方法及光纖傳輸通道測(cè)試
計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)化綜合布線系統(tǒng)(StructuredCablingSystem，SCS)是美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室專家們經(jīng)過(guò)多年研究推出的基于星形拓樸結(jié)構(gòu)的模塊系統(tǒng)，也是目前局域網(wǎng)建設(shè)首選的系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有實(shí)用、靈活、經(jīng)濟(jì)、可模塊化和可擴(kuò)充
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日本研發(fā)出可在爆炸性環(huán)境中使用的LED照明
日本愛德克(IDEC)已于2011年4月25日上市了可在爆炸性環(huán)境中使用的LED照明產(chǎn)品。該產(chǎn)品具備耐壓防爆構(gòu)造，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造工廠及石油化學(xué)工廠等。 公司稱新產(chǎn)品的耐壓防爆性能為“EF1A型”，可在存在氫氣、乙炔等
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ISPD2011聚焦3D、無(wú)光罩微影技術(shù)趨勢(shì)
在日前于美國(guó)加州舉行的2011年國(guó)際實(shí)體設(shè)計(jì)大會(huì)(ISPD2011)，與會(huì)人士針對(duì)3D與無(wú)光罩微影技術(shù)等半導(dǎo)體實(shí)體設(shè)計(jì)的下一代發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了深入的探討。此外，在今年的大會(huì)上還新增了表彰對(duì)于推動(dòng)并影響先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)體設(shè)計(jì)
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Bus/總線布線時(shí)如何做到等長(zhǎng)
Bus走線模式是在13.6版本中可以實(shí)現(xiàn)的模式，現(xiàn)在14.x以及15.0都已經(jīng)取消了這功能，如果有興趣的朋友可以通過(guò)以下步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)： 1.在命令欄中輸入：set acon_oldcmd 回車就把模式切換到以前版本，14.x和15.0都可以，不
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東京大學(xué)推出氧化物半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)液晶面板
日本東北大學(xué)研究生院工學(xué)研究科智能元件材料學(xué)專業(yè)教授小池淳一的研究小組開發(fā)出了用于氧化物半導(dǎo)體TFT驅(qū)動(dòng)的液晶面板、基于Cu-Mn合金的布線工藝，并在有源矩陣型顯示器國(guó)際學(xué)會(huì) “AM-FPD 10”(2010年7月5～7日，在
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東芝開發(fā)出用于16nm工藝以后半導(dǎo)體布線的探針技術(shù)
此次開發(fā)的探針。即使整個(gè)接觸面磨損，綠色金屬部分的形狀也不會(huì)改變。（點(diǎn)擊放大） 原來(lái)的Si懸臂梁在耐用性上存在問(wèn)題。（點(diǎn)擊放大） 據(jù)介紹此次開發(fā)的探針的耐用性提高到了原來(lái)的25倍。（點(diǎn)擊放大） 東
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GlobalFoundries宣布其28納米制程服務(wù)已準(zhǔn)備就緒
晶圓代工業(yè)者GlobalFoundries與其EDA、IP供貨商伙伴共同宣布，已經(jīng)完成28納米CMOS制程的數(shù)字設(shè)計(jì)流程驗(yàn)證；該制程命名為“超低功耗(superlowpower，SLP)”，包含閘優(yōu)先(gate-first)的高介電金屬閘極堆棧(high-kmetal
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GlobalFoundries宣布其28納米制程服務(wù)已準(zhǔn)備就緒
晶圓代工業(yè)者 GlobalFoundries 與其 EDA 、IP供貨商伙伴共同宣布，已經(jīng)完成 28納米 CMOS制程的數(shù)字設(shè)計(jì)流程驗(yàn)證；該制程命名為“超低功耗(super low power，SLP)”，包含閘優(yōu)先(gate-first)的高介電金屬閘極堆棧(hig
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GlobalFoundries宣布其28奈米制程服務(wù)已準(zhǔn)備就緒
晶圓代工業(yè)者 GlobalFoundries 與其 EDA 、IP供應(yīng)商夥伴共同宣布，已經(jīng)完成 28奈米 CMOS制程的數(shù)位設(shè)計(jì)流程驗(yàn)證；該制程命名為「超低功耗(super low power，SLP)」，包含閘優(yōu)先(gate-first)的高介電金屬閘極堆疊(hi
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Verilog HDL與VHDL及FPGA的比較分析
Verilog HDL 優(yōu)點(diǎn)：類似C語(yǔ)言，上手容易，靈活。大小寫敏感。在寫激勵(lì)和建模方面有優(yōu)勢(shì)?！ ∪秉c(diǎn)：很多錯(cuò)誤在編譯的時(shí)候不能被發(fā)現(xiàn)。 VHDL 優(yōu)點(diǎn)：語(yǔ)法嚴(yán)謹(jǐn)，層次結(jié)構(gòu)清晰?！ ∪秉c(diǎn)：熟悉時(shí)間長(zhǎng)，不夠靈
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Verilog HDL與VHDL及FPGA的比較分析
Verilog HDL與VHDL及FPGA的比較分析
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氧化物TFT成為今年IDW主角
????? 要問(wèn)2010年“International Display Workshops（IDW ）”（會(huì)期：2010年12月1～3日，會(huì)場(chǎng)：福岡國(guó)際會(huì)議中心）的關(guān)鍵詞是什么，筆者可以自信地說(shuō)，是氧化物TFT。?在AMD（Active Matrix Displays）的8個(gè)分會(huì)中，
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