晶體管
-
恒流源電路
恒流源電路
-
OTLC功率放大電路
OTLC功率放大電路
-
輸出管的偏置電路
輸出管的偏置電路
-
互補(bǔ)對(duì)稱推挽電路
互補(bǔ)對(duì)稱推挽電路
-
FinFET新技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過(guò)的閘門(mén)被設(shè)計(jì)成類
-
FinFET新技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過(guò)的閘門(mén)被設(shè)計(jì)成類
-
FinFET新技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過(guò)的閘門(mén)被設(shè)計(jì)成
-
臺(tái)灣半導(dǎo)體行業(yè)利潤(rùn)微薄掙扎生存
臺(tái)北——日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司(AdvancedSemiconductorEngineering)首席運(yùn)營(yíng)官吳田玉遇到了一個(gè)問(wèn)題：臺(tái)灣最優(yōu)秀的年輕人不愿意投身本島的標(biāo)志性行業(yè)，也就是芯片制造。吳田玉在一次采訪中說(shuō)，“所有的大學(xué)畢
-
臺(tái)積電16納米 跨大步
臺(tái)積電（2330）16納米制程打集體戰(zhàn)再邁大步，昨（17）日宣布為16納米FinFET（鰭式場(chǎng)效晶體管）等先進(jìn)制程架構(gòu)的開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）提供三套制程設(shè)計(jì)，協(xié)助客戶快速導(dǎo)入這項(xiàng)新制程。 臺(tái)積電研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清指
-
臺(tái)積電推16納米鰭式參考設(shè)計(jì)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）昨（17）日宣布，在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）架構(gòu)下成功推出三套全新經(jīng)過(guò)矽晶驗(yàn)證的參考流程，協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程系統(tǒng)單芯片與三維芯片（3D IC）堆疊封裝設(shè)計(jì)，電
-
晶體管開(kāi)關(guān)電路的加速電容器
飽和開(kāi)關(guān)的問(wèn)題點(diǎn)：OFF延時(shí)時(shí)間如圖1所示，使場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)，加給晶體管的基極電流IB：是IB=IC/hFE，決定的值大的電流。這是由于晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓V
-
用自置偏電路以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路
用自置偏電路以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路
-
應(yīng)材：移動(dòng)裝置主導(dǎo)未來(lái)市場(chǎng)
全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料全球副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理余定陸昨（5）日表示，2013年行動(dòng)裝置正以強(qiáng)大成長(zhǎng)力道主導(dǎo)未來(lái)科技市場(chǎng)，也帶動(dòng)半導(dǎo)體廠的制程升級(jí)及產(chǎn)能投資，其中，晶圓代工廠及NANDFlash廠的制程升級(jí)，將
-
ULN2003有什么作用？
ULN2003是高壓大電流達(dá)林頓晶體管陣列系列產(chǎn)品，具有電流增益高、工作電壓高、溫度范圍寬、帶負(fù)載能力強(qiáng)等特點(diǎn)，適應(yīng)于各類要求高速大功率驅(qū)動(dòng)的系統(tǒng)。ULN2003A由7組達(dá)林頓晶體管陣列和相應(yīng)的電阻網(wǎng)絡(luò)以及鉗位二極管
-
應(yīng)材：移動(dòng)裝置主導(dǎo)未來(lái)市場(chǎng)
全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料全球副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理余定陸昨（5）日表示，2013年行動(dòng)裝置正以強(qiáng)大成長(zhǎng)力道主導(dǎo)未來(lái)科技市場(chǎng)，也帶動(dòng)半導(dǎo)體廠的制程升級(jí)及產(chǎn)能投資，其中，晶圓代工廠及NANDFlash廠的制程升級(jí)，將
-
H橋?yàn)長(zhǎng)ED照明鋪新路
H橋是一種以用戶定義方式驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)的經(jīng)典電路，如正/反方向或通過(guò)四個(gè)分立/集成開(kāi)關(guān)或機(jī)電繼電器的PWM輔助控制的RPM。它廣泛應(yīng)用于機(jī)器與功率電子中。本設(shè)計(jì)實(shí)例是該技術(shù)
-
使用逆變器的晶體管單穩(wěn)電路圖
電路圖將CD4049三重逆變器的所有的三個(gè)部分和串聯(lián)諧振晶體連接。電源電壓的范圍是3-15V。緊湊低功率便攜式射頻振蕩器的電池消耗很低。
-
如何使用氮化鎵器件：引進(jìn)氮化鎵晶體管技術(shù)
本文是專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們?cè)谖磥?lái)數(shù)個(gè)月將介紹應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù)，并討論其基本設(shè)計(jì)及輔以應(yīng)用范例。硅器件已稱王多時(shí)
-
東芝為開(kāi)關(guān)電源推出800V雙極晶體管
有助于降低移動(dòng)設(shè)備的待機(jī)功耗21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation,)今天宣布，該公司已經(jīng)為移動(dòng)設(shè)備的開(kāi)關(guān)電源推出了一款有助于降低待機(jī)功耗的800V雙極晶體管。批量生產(chǎn)
-
LED照明封裝技術(shù)掀起革命
【導(dǎo)讀】所謂2.5D是將多顆主動(dòng)IC并排放到被動(dòng)的硅中介層上，因?yàn)楣柚薪閷邮潜粍?dòng)硅片，中間沒(méi)有晶體管，不存在TSV應(yīng)力以及散熱問(wèn)題。 摘要： 所謂2.5D是將多顆主動(dòng)IC并排放到被動(dòng)的硅中介層上，因?yàn)楣柚薪閷邮潜粍?dòng)
