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穩(wěn)定電壓分壓器
需要3.6或6V的集成電路可以通過如圖所示的電路來運行，它可以從一個電池或者更高的電壓穩(wěn)壓電源來獲取電源。這個晶體管應(yīng)安裝在散熱片上，因為它的集電極將消耗相當大的功率
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精確電流源電路
2N5457和PN2222雙極晶體管用作輸出和電流檢測電阻R1之間的電壓隔離裝置。LM101提供了大量的環(huán)路增益以保證該電路作為電流源。對于小電流（<1毫安），利用出現(xiàn)在2N5457源的輸
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科學(xué)家發(fā)現(xiàn)磁鐵礦電子開關(guān)速度可達萬億分之一秒
近日消息，美國科學(xué)家表示，他們發(fā)現(xiàn)普通磁鐵礦內(nèi)的電子開關(guān)一次僅需萬億分之一秒，這一速度或許創(chuàng)下了新高。發(fā)表在今天出版的《自然·材料學(xué)》雜志的最新研究將有助于科學(xué)家們研制出更“迷你”的晶
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新型超輕薄醫(yī)學(xué)電子傳感器 佩戴者毫無感覺
據(jù)英國新科學(xué)家雜志報道，一種布滿傳感器的透明塑料薄片可作為醫(yī)學(xué)植入器，其結(jié)構(gòu)非常微妙，不會引起人們的刻意關(guān)注，或者它可作為假肢和機器人的“感官皮膚”。日本東京大學(xué)材料科學(xué)家染矢高雄(Takao Som
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東芝開發(fā)出了多層單元結(jié)構(gòu)MROM單元
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)開發(fā)出全球首款掩膜式只讀存儲器(MROM)單元，以提供更好的單元電流特性，并且單元尺寸不會增加。這一進展是通過采用多層單元結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)還可以保證高速運轉(zhuǎn)。詳細信息將
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聯(lián)華電子和SuVolta共同開發(fā)28nm工藝技術(shù)
臺灣聯(lián)華電子（UMC）和美國SuVolta于2013年7月23日宣布，將共同開發(fā)28nm CMOS工藝技術(shù)（英文發(fā)布資料）。將把SuVolta獨自開發(fā)的工藝技術(shù)“Deeply Depleted Channel（DDC）”嵌入到聯(lián)華電子基于28nm高介電率（high-k）
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甲類功率放大器電源電路
甲類功放（A類功放）輸出級中兩個（或兩組）晶體管永遠處于導(dǎo)電狀態(tài)，也就是說不管有無訊號輸入它們都保持傳導(dǎo)電流，并使這兩個電流等于交流電的峰值，這時交流在最大訊號情
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電視機維修電源電路圖
電視機維修電源電路 電路工作原理：該電源由電源變壓器提供兩組互相獨立的交流電源，分別送至兩組互相獨立的整流穩(wěn)壓電路，可以同時輸出+12V和+90～120V，A、B兩組直流電
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聯(lián)華電子與SuVolta 宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)
聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,日前宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝。該項工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel™ (DDC)晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高效
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60W逆變器使用的晶體管
這里是全晶體管逆變器，可以驅(qū)動60W負載的電路圖。晶體管Q1和Q2形成一個50Hz的無穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器。Q2的集電極的輸出連接到輸入的達林頓對形成由Q3和Q1的輸出Q4.Similarly的輸
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HL402的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理圖
HL402的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理圖
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具有退飽和保護的抗過飽和功能刪除電路原理圖
具有退飽和保護的抗過飽和功能刪除電路原理圖
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用UC3634控制單相無刷直流電動機
用UC3634控制單相無刷直流電動機
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用PNP和NPN晶體管的電動機驅(qū)動電路
用PNP和NPN晶體管的電動機驅(qū)動電路
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Diodes全新集成高壓穩(wěn)壓器晶體管有效提升功率密度
21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出ZXTR2000系列高壓穩(wěn)壓器，把晶體管、Zener二極管及電阻器集成到一個標準SOT89封裝，通過減少器件數(shù)量和占位面積，提升電路的
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美公司研發(fā)高性能晶體管創(chuàng)新外延技術(shù)
新的NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)外延沉積工藝對下一代移動處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要。應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù)，繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來的領(lǐng)先
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能自我修復(fù)的芯片將應(yīng)用于智能手機和電腦
加州理工大學(xué)的一組工程師表示，他們現(xiàn)在可以憧憬這樣的智能手機和電腦芯片：它們不僅能自我防護，還能自我修復(fù)，那樣就算遇到了麻煩(比如晶體管徹底失效)，也能在短短幾微秒內(nèi)恢復(fù)如初。 科學(xué)家們聲稱，他們利用高
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應(yīng)用材料公司發(fā)布高性能晶體管創(chuàng)新外延技術(shù)
新的NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）外延沉積工藝對下一代移動處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要 應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù)，繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來的領(lǐng)
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應(yīng)用材料公司發(fā)布高性能晶體管創(chuàng)新外延技術(shù)
新的NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）外延沉積工藝對下一代移動處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要 應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù)，繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來的領(lǐng)
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ULN2003中文資料
概述功率電子電路大多要求具有大電流輸出能力,以便于驅(qū)動各種類型的負載。功率驅(qū)動電路是功率電子設(shè)備輸出電路的一個重要組成部分。輸入回路的電阻有差別,ULN2003是2.7k，ULN2004是10.5k。靈敏度也有差別,簡單講2003
