一個(gè)很便宜和簡(jiǎn)單的驅(qū)蟲劑,可用于大鼠,小鼠和其他動(dòng)物可以使用電子下圖。電路采用CMOS集成電路型4047連接功能作為一個(gè)張弛振蕩器,其頻率可以調(diào)整 5千赫之間到30 kHz,電位器P1。輸出Q和Q的每個(gè)部分,都適用于每一
在這里基于SW發(fā)射電路的集成電路BEL1895。這種特殊的發(fā)射電路工作在HF波段短波(6兆赫至15兆赫),可用于短距離通信應(yīng)用和教育目的。1 話筒放大器電路,變頻振蕩器,調(diào)制放大級(jí)電路組成。晶體管T1(BF195)作為一個(gè)簡(jiǎn)單的
電阻R1和R2是利用直流偏置晶體管T1。電容C1為耦合之間的電容式麥克風(fēng)和晶體管T1的基礎(chǔ)。以同樣的方式,電阻R3,R4和R5提供直流偏置晶體管T2的。振蕩器段是一個(gè)晶體管T2的,水晶的XTAL,電容C2,C3和電阻R3,R4和R5的
如圖是晶體管組成的繼電器延時(shí)吸合電路。剛接通電源時(shí),16μF電容上電壓為零,兩個(gè)三極管都截止,繼電器不動(dòng)作。隨著16μF電容的充電,過(guò)一段時(shí)間后,其上電壓達(dá)到高電平,兩個(gè)三極管都導(dǎo)通,繼電器延時(shí)吸合。延
臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司(TSMC)已經(jīng)重申,將興建其首座450毫米(18英寸)的中試生產(chǎn)線將在2016年到2017年為客戶提供10nm和7nm FinFET晶體管代工技術(shù)。臺(tái)積電也希望采用極端紫外線(EUV)光刻技術(shù)來(lái)生產(chǎn)10nm芯片,相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備
美高森美使用英特爾22 nm Tri-Gate 晶體管技術(shù)進(jìn)行開(kāi)發(fā),預(yù)計(jì)于2014年底到 2015年初提供產(chǎn)品致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森
對(duì)于要使用互補(bǔ)雙極晶體管的電路設(shè)計(jì),有時(shí)候需要篩選出與直流增益(β)相匹配的NPN和PNP晶體管。這樣一種要求匹配的電路例子是放大器的輸出級(jí)。圖1中的電路給出了一種簡(jiǎn)
最基本的斬波電路如圖形1所示,斬波器負(fù)載為R,當(dāng)開(kāi)關(guān)S合上時(shí),uo=uR=Ud,并持續(xù)t1時(shí)間。當(dāng)開(kāi)關(guān)切斷時(shí)uo=uR=0,并持續(xù)t2時(shí)間,T=t1+t2為斬波器的工作周期,斬波器的輸出波形見(jiàn)
雖然現(xiàn)在越來(lái)越的國(guó)家已經(jīng)研發(fā)出可執(zhí)行復(fù)雜任的機(jī)器人,但是來(lái)自美國(guó)和中國(guó)的科研人員并不愿意就此止步。近日,他們一起合作研發(fā)出了一種全新的3D電流陣,即機(jī)器人將具備人類手指尖那樣的靈敏觸感度。喬治亞理工學(xué)院
雖然現(xiàn)在越來(lái)越的國(guó)家已經(jīng)研發(fā)出可執(zhí)行復(fù)雜任務(wù)的機(jī)器人,但是來(lái)自美國(guó)和中國(guó)的科研人員并不愿意就此止步。近日,他們一起合作研發(fā)出了一種全新的3D電流陣,即機(jī)器人將具備人類手指尖那樣的靈敏觸感度。喬治亞理工學(xué)
雖然現(xiàn)在越來(lái)越多的國(guó)家已經(jīng)研發(fā)出可執(zhí)行復(fù)雜任的機(jī)器人,但是來(lái)自美國(guó)和中國(guó)的科研人員并不愿意就此止步。近日,他們一起合作研發(fā)出了一種全新的3D電流陣,即機(jī)器人將具備人類手指尖那樣的靈敏觸感度。喬治亞理工學(xué)
雖然現(xiàn)在越來(lái)越的國(guó)家已經(jīng)研發(fā)出可執(zhí)行復(fù)雜任的機(jī)器人,但是來(lái)自美國(guó)和中國(guó)的科研人員并不愿意就此止步。近日,他們一起合作研發(fā)出了一種全新的3D電流陣,即機(jī)器人將具備人類手指尖那樣的靈敏觸感度。喬治亞理工學(xué)院
晶體管高速開(kāi)關(guān)電路是非常實(shí)用而又簡(jiǎn)單的電路。
臺(tái)積電與清大合作成立「清華/臺(tái)積電卓越制造中心」昨天揭牌,臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義說(shuō),產(chǎn)業(yè)界做研發(fā)通常不是針對(duì)5至10年之后的需求,希望學(xué)??梢匝a(bǔ)足這區(qū)塊。他說(shuō),新技術(shù)研發(fā)通常分三階段,第一期屬前瞻期,在產(chǎn)品生
自人類第一個(gè)晶體管問(wèn)世以來(lái),其尺寸每18月縮小兩倍,到如今的“奔四”僅有100多納米;預(yù)計(jì)到2010年晶體管的尺寸將只有幾十個(gè)納米,那么這種超高密度集成線路的元件之間用什么連接呢?這是世界科學(xué)界共同面
臺(tái)積電與清大合作成立「清華/臺(tái)積電卓越制造中心」昨天揭牌,臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義說(shuō),產(chǎn)業(yè)界做研發(fā)通常不是針對(duì)5至10年之后的需求,希望學(xué)校可以補(bǔ)足這區(qū)塊。 他說(shuō),新技術(shù)研發(fā)通常分三階段,第一期屬前瞻期,在產(chǎn)
仔細(xì)想想IGZO開(kāi)始在新聞中頻頻出現(xiàn),大約是始于iPhone4S上市之后一段時(shí)間。老實(shí)說(shuō)IGZO并不是什么很新的技術(shù),為什么近期才大紅大紫,恐怕是因?yàn)橄钠战?jīng)營(yíng)不善急于扭虧從而大力宣傳,外加“蘋果將采用”類新聞等因素結(jié)
英特爾博物館,位于硅谷的英特爾全球總部。這里是見(jiàn)證英特爾成長(zhǎng)歷史的地方,記錄了英特爾從1968年到2012年在核心技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展歷程。在這里,你既可以看到歷史久遠(yuǎn)的4004微處理器,也可以看到大家耳熟能詳?shù)谋简v系
臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨(18)日宣布,今年資本支出從90億美元(約新臺(tái)幣2,700億元)調(diào)高到95億至100億美元(約新臺(tái)幣2,850億元至3,000億元),調(diào)高幅度約5.5%至11%,再寫新高。 張忠謀表示,臺(tái)積電2009年開(kāi)始啟動(dòng)高資
英特爾日前宣布與可程序邏輯閘陣列(FPGA)廠阿爾特拉(Altera)簽訂14納米晶圓代工協(xié)議,而英特爾總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)歐德寧在昨(17)日法說(shuō)會(huì)中,再度展現(xiàn)英特爾搶進(jìn)晶圓代工市場(chǎng)的企圖心。他表示,英特爾在晶圓代工市場(chǎng)