ST 28納米FD-SOI技術(shù)運行速度達到3GHz

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺在測試中取得又一項重大階段性成功。繼去年12月公司宣布系統(tǒng)級芯片(SoC)集成電路成功投產(chǎn)后，意法半導(dǎo)體又宣布其法國Crolles工廠生產(chǎn)的應(yīng)用處理

意法半導(dǎo)體28納米FD-SOI技術(shù)運行速度達到3GHz

21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics）宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺在測試中取得又一項重大階段性成功。繼去年12月公司宣布系統(tǒng)級芯片(SoC)集成電路成功投產(chǎn)后，意法半導(dǎo)體又宣布其法國Crolles工廠生產(chǎn)的應(yīng)用處理

神奇集成電路技術(shù) 讓芯片自我修復(fù)

電子產(chǎn)品的脆弱眾所周知，而且一旦出現(xiàn)芯片級的損壞幾乎不可能完整修復(fù)，但是想象一下有那么一天，你手機或電腦里的芯片在受傷后可以幾乎瞬間恢復(fù)如初，無論是意外掉電還是晶體管受損都不在話下。這聽起來很科幻，但

澳大利亞科學(xué)家研制單原子晶體管

作為最早期電子計算器的顯像器，雖然在電腦上的應(yīng)用范圍已經(jīng)大大減少，但其在生活領(lǐng)域的運用還是很廣泛的。隨著時代的發(fā)展，晶體管技術(shù)也在不斷提升。北京時間2月20日早間消息，澳大利亞新南威爾士大學(xué)的研究人員周日

光電二極管

三個硅光電二極管(前兩個)以及一個鍺光電二極管(最后一個)光電二極管的符號光電二極管(英語：photodiode )是一種能夠?qū)⒐飧鶕?jù)使用方式，轉(zhuǎn)換成電流或者電壓信號的光探測器。

怎樣用萬用表判斷場效應(yīng)管好壞？

1、測量極性及管型判斷 紅筆接S、黑筆接D值為(300-800)為N溝道紅筆接D、黑筆接S值為(300-800)為p溝道如果先沒G、D再沒S、D會長響，表筆放在G和最短腳相連放電，如果再長響為擊穿貼片場管與三極管難以區(qū)分，先按三

什么是單極型晶體管和雙極型晶體管？

一、單極型晶體管單極型晶體管也稱場效應(yīng)管，簡稱FET(Field Effect Transistor)。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子(多數(shù)載流子)參與導(dǎo)電，故稱為單極

大面積單層石墨烯產(chǎn)業(yè)項目落戶重慶

中科院重慶研究院與上海南江（集團）有限公司“大面積單層石墨烯產(chǎn)業(yè)化項目”上月26日正式簽約，前期將投入2.67億元在重慶市建設(shè)集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售一體的石墨烯基地。最輕最薄、可以彎曲折疊，對電腦、手機屏幕產(chǎn)生

碳纖維納米管芯片問世

斯坦福大學(xué)發(fā)布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會走到道路的盡頭。晶體管越做越小，以至于它不能夠容納下足夠的硅原子來展示硅的特性。碳納米管(CNT)，鍺化硅(SiGe)，砷化物(GaAs)都是可能的替代品

可調(diào)穩(wěn)壓電源電路

圖所示為電壓1.5-9V、電流0.2A可調(diào)穩(wěn)壓電源。它由二極管VD1-VD4整流，晶體管VT2、VT3復(fù)合調(diào)整，晶體管VT4比較放大，穩(wěn)壓管VD7基準(zhǔn)電壓源，穩(wěn)壓管VD5恒流源和電阻R1、R2、R3

雙極型晶體管和場效應(yīng)管基礎(chǔ)知識

1.場效應(yīng)管主要有結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET)。絕緣柵型場效應(yīng)管的襯底(B)與源析(S)連在一起，它的三個極分別為柵極(G)、漏極(D)和源極(S)。晶體管分NPN和PNP管，它的三個極分別為基極(b)、集電極(

晶體管單管放大電路的三種基本接法

2.4 晶體管單管放大電路的三種基本接法通過對單管共射放大電路的分析和計算,使得放大電路的組成原則更明確和具體了.放大的關(guān)鍵是發(fā)揮晶體管的控制作用.在共射電路中,晶體管的b-e為輸入端,c-e為輸出端,利用iB對iC的控

分析稱英特爾2013年有望改變移動芯片落后狀態(tài)

隨著新奔騰系列處理器的面世，全球最大的半導(dǎo)體芯片制造商英特爾也完成了旗下所有桌面級處理器22nm制程的升級，在這樣一個具有歷史意義的時刻，也是時候來研究一下為什么intel如此看重制程升級的原因了。Intel 酷睿i

22nm終成正果 intel全線處理器升級最新

【IT168 觀點】隨著新奔騰系列處理器的面世，全球最大的半導(dǎo)體芯片制造商英特爾也完成了旗下所有桌面級處理器22nm制程的升級，在這樣一個具有歷史意義的時刻，也是時候來研究一下為什么intel如此看重制程升級的原因了

硅芯片極限終結(jié)：怎樣的替代品？

根據(jù)摩爾定律，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目約每隔18個月便會增加一倍，硅芯片遲早有一天會因為尺寸無法繼續(xù)縮小而走向終結(jié)。哪種材料能替代硅芯片呢？斯坦福的研究團隊的最新研究成果表明，碳納米管或許會成為替代

硅芯片大限不遠：碳納米管將成下一代材料?

遲早有一天使用硅為材料制造日益變小的電路的極限將會到來，從而終結(jié)摩爾定律。碳納米管技術(shù)可將半導(dǎo)體縮小至5納米的極限。北京時間2月21日消息，在未來十年左右的時間里，蝕刻在硅基電腦芯片上的電路預(yù)計就將變得小

應(yīng)材先進化學(xué)氣相沉積薄膜推動高解析顯示器發(fā)展

應(yīng)用材料公司(Applied Materials)宣布推出全新的電漿增強化學(xué)氣相沉積薄膜技術(shù)，這項技術(shù)可應(yīng)用在新一代的平板計算機和電視上，制造出效能更佳、高分辨率的顯示器。這些先進絕緣薄膜是以應(yīng)用材料公司的 AKT 電漿強化

硅芯片走向終結(jié) 碳納米管或?qū)⑷〈?/a>

東芝推出增強型隔離高集電極電壓晶體管耦合器

21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，其已為工廠自動化設(shè)備和空調(diào)推出一款可確保高工作溫度(最大Ta = 110°C)和高達350V集電極電壓(VCEO)的光電晶體管耦合器。新產(chǎn)品“TLP188”可確保最小漏

英特爾以色列子公司去年出口額翻番

北京時間2月18日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾以色列子公司去年出口額增加一倍以上至46億美元，并尋求將英特爾下一代芯片生產(chǎn)引入以色列。 英特爾以色列子公司2012年出口額為46億美元，相比2011年的22億美元增長