晶體管
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醫(yī)療科技發(fā)展史
從最廣義的角度上看，醫(yī)藥和健康科技的歷史是很久遠的。最近相關(guān)方面證實，世界上最古老的「假肢」是古埃及人的以木頭、皮制的腳趾假體，而它出現(xiàn)的日子是公元前950年!雖然最近幾十年來醫(yī)療科技的發(fā)展之快是古代無法
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SoC已有眉目微細化至10nm無需3D晶體管
SoC(systemonachip)是智能手機及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsu
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FDSOI技術(shù)推進SoC微細化至10nm工藝 無需3D晶體管
近日意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技術(shù)，使得作為智能手機及平板電腦等移動產(chǎn)品心臟的SoC(systemonachip)，在推動其低成本化和高性能化的微細化
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SoC已有眉目微細化至10nm無需3D晶體管
SoC(systemonachip)是智能手機及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulat
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SoC已有眉目微細化至10nm無需3D晶體管
SoC（systemonachip）是智能手機及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononin
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臺積電或成蘋果新伙伴 明年底展開合作
北京時間12月21日消息，據(jù)華爾街日報報道稱，近期有關(guān)臺積電（TSMC）有望將蘋果納入客戶群的猜測不斷浮現(xiàn)，但是分析師稱雙方合作可能要等到明年底。全球最大芯片代工商臺積電（TSMC）一直對客戶的關(guān)系含糊其辭，但是
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閱讀秘書／FinFET
3D鰭式晶體管（FinFET）是新的互補式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管技術(shù)。相較于傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過閘門，只能選擇在閘門的一側(cè)來控制，屬于平面式的結(jié)構(gòu)；3D FinFET的閘門，是類似魚鰭般的三面立體式的設(shè)計，能大
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變頻電路
晶體三極管變頻器的實際電路主要有兩類：本振電壓由單獨振蕩器產(chǎn)生的他激式變頻器和本振電壓由變頻管自身產(chǎn)生的自激式變頻器，它們都可接成共基極或共發(fā)射極電路。他激式變頻電路比較復(fù)雜，但uS和uL之間牽連作用小，
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調(diào)幅電路
任何一種非線性器件都可以用來產(chǎn)生調(diào)幅彼。晶體管是一種非線性器件，只要讓其工作在非線性（甲乙類，乙類或丙類）狀態(tài)下，即可用它構(gòu)成調(diào)幅電路。一般總是把高頻載波信號和調(diào)制信號分別加在諧振功率放大器的晶體管的
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SoC已有眉目微細化至10nm無需3D晶體管
SoC（systemonachip）是智能手機及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononin
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美開發(fā)出“4維”晶體管，或引領(lǐng)半導(dǎo)體新潮流
作為現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一，晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產(chǎn)，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。而低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機械任務(wù)的通用器件，例如數(shù)字計算。在控制電器和機
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SoC已有眉目微細化至10nm無需3D晶體管
SoC（system on a chip）是智能手機及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fully depleted silico
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美研制出新型“4維”晶體管
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報道，美國普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員推出了一項極為應(yīng)景的新發(fā)明：一種外形如同一顆圣誕樹一樣的新型晶體管，其重要組件“門”(柵極)的長度縮減到了突破性的20納米。這個被稱為&ldquo
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自激振蕩的建立和振幅的穩(wěn)定
上面的分析中，是先假定有一個輸入信號經(jīng)放大后，再由反饋網(wǎng)絡(luò)送回到輸入端而形成穩(wěn)定振蕩的。事實上自激振蕩的起振是不需要外加信號激勵的。那么自激振蕩是如何建立的呢？原來，電源接通或元件的起伏噪聲引起的電擾
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有源濾波電路
為了提高濾波效果，解決π型RC濾波電路中交、直流分量對R的要求相互矛盾的問題，在RC電路中增加了有源器件-晶體管，形成了RC有源濾波電路。常見的RC有源濾波電路如圖Z0716所示，它實質(zhì)上是由C1、Rb、C2組成的π型
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TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管
21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達克代碼：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同時改進效率和增益。這些新的
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LDO線性穩(wěn)壓器拓撲結(jié)構(gòu)及分類
LDO線性穩(wěn)壓器通常被設(shè)計工程師作為輔助措施，并且經(jīng)常被選用于產(chǎn)品開發(fā)的后期階段。設(shè)計工程師比較關(guān)注的是如何使復(fù)雜的基頻(BB) 或射頻( RF )ASIC 發(fā)揮作用，而不是其所選
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臺積電在硅基板上實現(xiàn)鍺溝道FinFET，證實良好的晶體管特性
臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）在“IEDM 2012”上公布，使用與硅基FinFET相同的工藝技術(shù)在硅基板上制成了鍺溝道FinFET，并獲得了出色的晶體管特性（論文編號：23.5）。臺積電表示，電導(dǎo)率/
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ARM悠著點 英特爾準(zhǔn)備將3D晶體管技術(shù)引入移動處理器
沒能趕上移動處理器市場蓬勃發(fā)展的快班車，大概是英特爾近年來最大的失誤?，F(xiàn)在ARM不但占據(jù)了利潤豐厚的手機/平板處理器業(yè)務(wù)，還反過來對英特爾的傳統(tǒng)業(yè)務(wù)（服務(wù)器等）虎視眈眈。作為業(yè)界老大，英特爾豈能咽下這口氣
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電源噪聲的危害性分析
芯片發(fā)展的一個大趨勢就是集成度越來越高，內(nèi)部晶體管數(shù)量越來越大。芯片的外部引腳數(shù)量有限，為每一個晶體管提供單獨的供電引腳是不現(xiàn)實的。芯片的外部電源引腳提供給內(nèi)部
