晶體管
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IBM再創(chuàng)奇跡！碳納米管邁出取代硅第一步
藍(lán)色巨人IBM的科學(xué)家們?cè)俅握故玖怂麄冃酆竦目蒲袑?shí)力：歷史上第一次，使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝，將一萬(wàn)多個(gè)碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi)，并通過了可行性測(cè)試。多年來，人們一直期望找到一種新
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IBM芯片技術(shù)研發(fā)獲新突破:碳納米管體積小
IBM芯片技術(shù)研發(fā)獲新突破:碳納米管體積小
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晶體管測(cè)光表電路圖
當(dāng)太陽(yáng)能電池受到光照時(shí)，產(chǎn)生的電壓使VT6導(dǎo)通。VT6的導(dǎo)通程度和光照強(qiáng)度成正比。VT6的導(dǎo)通電流在R1上產(chǎn)生壓降，VT1~VT5基極得到正向電壓，但由于信號(hào)的大小不同和VD1~VD4的降壓作用(0.6V)，會(huì)使VT1~VT5各基極所得正
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串聯(lián)型晶體管振蕩電路
串聯(lián)型晶體管振蕩電路
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并聯(lián)型晶體管振蕩電路的等效電路
并聯(lián)型晶體管振蕩電路的等效電路
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并聯(lián)型晶體管振蕩電路
并聯(lián)型晶體管振蕩電路
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摩爾定律何時(shí)會(huì)失效？
北京時(shí)間10月16日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，1965年，英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(GordonMoore)預(yù)測(cè)，計(jì)算機(jī)芯片的處理能力每?jī)赡昃蜁?huì)翻一番。盡管已經(jīng)過去40多年，摩爾定律仍然有效。多年來，英特爾科技和制造集團(tuán)副總裁
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彩電開關(guān)電源的分析
目前在電器中使用最多的電源就是開關(guān)穩(wěn)壓電源，彩電、平板電視、顯示器、D V D 等等，開關(guān)電源的故障率也是很高的，工作在大電流、高電壓、大功率狀態(tài)。一、開關(guān)電源使用率
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宜普公司開發(fā)板采用德州儀器公司專為驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)型氮化鎵晶體管而設(shè)的柵極驅(qū)動(dòng)器
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出采用增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9003及EPC9006開發(fā)板， 展示最新推出、專為驅(qū)動(dòng)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動(dòng)器可幫助工程師簡(jiǎn)單地及以低成本從硅器件轉(zhuǎn)用氮化鎵技術(shù)
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格羅方德 跟臺(tái)積電有拚
晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）來臺(tái)嗆聲，全球營(yíng)銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Michael Noonen表示，已正式推出結(jié)合14納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程的14nm-XM技術(shù)，協(xié)助客戶加快行動(dòng)裝置芯片上市時(shí)間。格羅方德指出
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格羅方德：「3D鰭式晶體管」技術(shù)領(lǐng)先臺(tái)積電
晶圓代工大廠格羅方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鰭式晶體管（FinFET）導(dǎo)入的14納米元件，預(yù)計(jì)2013年試產(chǎn)，2014年量產(chǎn)，「已可直接與英特爾競(jìng)爭(zhēng)」，技術(shù)層次更領(lǐng)先臺(tái)積電半個(gè)世代。 格羅方德由微處
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閱報(bào)秘書／3D鰭式晶體管
3D鰭式晶體管（FinFET）是1種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管， 能讓芯片技術(shù)發(fā)展到10納米以下，晶圓代工業(yè)者若能擁有此技術(shù)，更能凸顯其優(yōu)勢(shì)與競(jìng)爭(zhēng)力。 傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過閘門，只能選擇在閘門的一
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動(dòng)設(shè)備FinFET晶體管架構(gòu)
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動(dòng)設(shè)備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構(gòu)。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術(shù)。GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項(xiàng)專為快速增長(zhǎng)的移動(dòng)市場(chǎng)的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路圖
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動(dòng)設(shè)備的FinFET晶體管架構(gòu)
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動(dòng)設(shè)備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構(gòu)。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術(shù)。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項(xiàng)專為快速增長(zhǎng)的移動(dòng)市場(chǎng)的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動(dòng)設(shè)備的FinFET晶體管架構(gòu)
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動(dòng)設(shè)備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構(gòu)。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術(shù)。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項(xiàng)專為快速增長(zhǎng)的移動(dòng)市場(chǎng)的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路
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GF推出用于下一代移動(dòng)設(shè)備晶體管架構(gòu)
中國(guó)上海，2012年9月21日——GLOBALFOUNDRIES 推出一項(xiàng)專為快速增長(zhǎng)的移動(dòng)市場(chǎng)的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術(shù)將為客戶展現(xiàn)三維 “FinFET”晶體管的性能和功耗優(yōu)勢(shì)，不僅風(fēng)
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英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后
英特爾公布了在2013年將14納米制程技術(shù)應(yīng)用于制造中央處理器以及SoCs的計(jì)劃，以及計(jì)劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術(shù)。在舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)，公司高級(jí)研究員MarkBohr表示技術(shù)路標(biāo)展示了因特爾在
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英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后
英特爾公布了在2013年將14納米制程技術(shù)應(yīng)用于制造中央處理器以及SoCs的計(jì)劃，以及計(jì)劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術(shù)。在舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)，公司高級(jí)研究員MarkBohr表示技術(shù)路標(biāo)展示了因特爾在
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英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后
英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后
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英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后
英特爾公布了在2013年將14納米制程技術(shù)應(yīng)用于制造中央處理器以及SoCs的計(jì)劃，以及計(jì)劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術(shù)。在舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)，公司高級(jí)研究員MarkBohr表示技術(shù)路標(biāo)展示了因特爾在
