雙極性步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動電路如圖所示,它會使用八顆晶體管來驅(qū)動兩組相位。雙極性驅(qū)動電路可以同時驅(qū)動四線式或六線式步進(jìn)電機(jī),雖然四線式電機(jī)只能使用雙極性驅(qū)動電路,它卻能大幅降低量產(chǎn)型應(yīng)用的成本。雙極性步進(jìn)電
接收單電池供電的LED驅(qū)動器正受到廣泛關(guān)注。為由低電壓電源產(chǎn)生能夠點亮白光LED的高電壓,主要需要某種電子振蕩器,最簡單的為壓電蜂鳴 器。壓電轉(zhuǎn)換器特殊地用于振蕩器和驅(qū)動白光LED(圖1)。壓電模片或彎曲板組成壓電
晶圓代工廠聯(lián)電(2303)昨(29)日宣布與IBM簽訂技術(shù)授權(quán)合約,將以3D架構(gòu)的鰭式場效晶體管(FinFET),促進(jìn)次世代尖端20納米CMOS制程的開發(fā),以加速聯(lián)電次世代尖端技術(shù)的研發(fā)時程。 根據(jù)聯(lián)電及IBM的協(xié)議,IBM將
在偏遠(yuǎn)鄉(xiāng)村,經(jīng)常會有停電現(xiàn)象,有些大學(xué)到一定時間也會自動關(guān)燈,不過這沒關(guān)系,有了它,這些就可以解決。這是一款非常容易制作的逆變器,可以將12V電源電壓變?yōu)椋玻玻埃质须?,電路由BG2和BG3組成的多諧振
B類放大器工作原理 圖9.6顯示的是在時間軸上,B類( class B)放大器輸出與輸入波形的比較。 B類放大器偏壓在截止點,所以ICQ=0且VcsQ=VCE(cutoff)。當(dāng)輸入信號使晶體管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)時,晶體管將離開截止點而
在偏遠(yuǎn)鄉(xiāng)村,經(jīng)常會有停電現(xiàn)象,有些大學(xué)到一定時間也會自動關(guān)燈,不過這沒關(guān)系,有了它,這些就可以解決。這是一款非常容易制作的逆變器,可以將12V電源電壓變?yōu)椋玻玻埃质须?,電路由BG2和BG3組成的多諧振
據(jù)日本媒體報道,日本北海道大學(xué)和科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)于6月13日發(fā)布消息稱,已成功開發(fā)出新型晶體管,能夠?qū)⒂糜趥€人電腦(PC)等的半導(dǎo)體集成電路的耗電量削減至十分之一以下。該晶體管應(yīng)用了江崎玲于奈榮獲諾貝爾物理學(xué)
晶體管的檢測: 1、檢測小功率晶體二極管 A、判別正、負(fù)電極 (a)、觀察外殼上的的符號標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號,帶有三角形箭頭的一端為正極,另一端是負(fù)極。 (b)、觀察外
本文向各位介紹的一部袖珍發(fā)射機(jī),十分適合初學(xué)者,電路簡單易制,造價低廉,輸出功率不超過5-8mW,發(fā)射范圍在房屋區(qū)可至100米左右,用一部普通的FM收音機(jī)接收,顯示其靈敏度和清晰度俱佳,電路設(shè)計中最富挑戰(zhàn)性的部
2012年4月23日,英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計,最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功,并于4月29日開始全球銷售。據(jù)公布的資料顯示,該系列CPU擁有14億只晶體管,芯片面積僅為25毫米×25毫米,由于首次
2012年4月23日,英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計,最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功,并于4月29日開始全球銷售。據(jù)公布的資料顯示,該系列CPU擁有14億只晶體管,芯片面積僅為25毫米×25毫米,由于首次
這里介紹一個設(shè)計小巧、線路簡單但性能不錯的三管音頻放大器。其電路見附圖。也許你在一些袖珍晶體管收音機(jī)可以看到一些與此類似的電路。原理分析:電路如圖所示,輸入極(9014)的基極工作電壓等于兩輸出極三極管的
這款20W單端純甲類功放電路圖,電路十分簡單,所用元件很少。符合“簡潔至上”的原則,用料普通,易于仿制??吹胶枚嗟陌l(fā)燒友對單端純甲類功放感興趣,不敢獨享,與廣大的音響發(fā)燒友交流。原理圖如下所示:
據(jù)日本媒體報道,日本北海道大學(xué)和科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)于6月13日發(fā)布消息稱,已成功開發(fā)出新型晶體管,能夠?qū)⒂糜趥€人電腦(PC)等的半導(dǎo)體集成電路的耗電量削減至十分之一以下。該晶體管應(yīng)用了江崎玲于奈榮獲諾貝爾物理學(xué)
電阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封裝屬性為AXIAL系列無極性電容:CAP;封裝屬性為RAD-0.1到RAD-0.4電解電容:ELECTROI;封裝屬性為RB.2/.4到RB.5/1.0電位器:POT1,POT2;封裝屬性為VR-1到VR-5二極管:封裝屬性為DIODE-0.4(小功率
由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對全球變暖,電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率,具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中,功率損耗的降低可以改善
6月7日消息,應(yīng)用材料公司宣布推出半導(dǎo)體業(yè)界最先進(jìn)的單硅片大電流離子注入系統(tǒng),即全新的AppliedVarianVIISta Trident系統(tǒng)。通過嵌入“摻雜物”原子以調(diào)整芯片電性能,新型VIIStaTrident系統(tǒng)是唯一一臺被證明能夠確
6月7日消息,應(yīng)用材料公司宣布推出半導(dǎo)體業(yè)界最先進(jìn)的單硅片大電流離子注入系統(tǒng),即全新的AppliedVarianVIISta Trident系統(tǒng)。通過嵌入“摻雜物”原子以調(diào)整芯片電性能,新型VIIStaTrident系統(tǒng)是唯一一臺被證明能夠確
由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對全球變暖,電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率,具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中,功率損耗的降低可以改善