運(yùn)算放大器和達(dá)林頓晶體管的恒流源電路圖

電路由于采用達(dá)林頓晶體管BSY86后輸出電流較大。輸出電流最大值由電阻R=150歐限制，輸出電流的大小由電位器RP1調(diào)節(jié)，并且與負(fù)載電阻Rl無關(guān)而保持常數(shù)。圖中電位器RP1采用10k歐，電流可在5uA～40mA范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。運(yùn)算放

分享晶體管的檢測經(jīng)驗(yàn)

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料

追隨離職上司跳槽？

段時(shí)間以來，由于中國區(qū)總裁周鴻的離職，被阿里巴巴收購的雅虎中國流傳著副總裁齊向東與田健將追隨周離職的消息。近日雅虎中國副總裁、3721總經(jīng)理齊向東正式辭去在雅虎中國的所有職務(wù)，他證實(shí)說，自己不會(huì)追隨周鴻煒

晶體管混頻器電路03

晶體管混頻器電路02

晶體管混頻器電路01

采用達(dá)林頓晶體管的紅外發(fā)送電路

追隨離職上司跳槽？

追隨離職上司跳槽？

夏普支付1.985億美元和解TFT晶體管訴訟案

北京時(shí)間7月10日，據(jù)國外媒體報(bào)道，日本液晶面板供應(yīng)商夏普已同意向戴爾及另外兩家公司支付1.985億美元，就該公司在北美及歐洲地區(qū)的TFT(薄膜場效應(yīng)晶體管)業(yè)務(wù)訴訟案達(dá)成和解。目前尚不清楚訴訟涉及哪些公司。但據(jù)推

夏普支付巨資和解TFT晶體管訴訟案

據(jù)國外媒體報(bào)道，日本液晶面板供應(yīng)商夏普已同意向戴爾及另外兩家公司支付1.985億美元，就該公司在北美及歐洲地區(qū)的TFT(薄膜場效應(yīng)晶體管)業(yè)務(wù)訴訟案達(dá)成和解。目前尚不清楚訴訟涉及哪些公司。但據(jù)推斷指控涉及東芝、

28nm到14nm工藝代溝，全耗盡硅技術(shù)如何彌補(bǔ)？

今日的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷著若干充滿挑戰(zhàn)性的轉(zhuǎn)型過程，不過這也為Soitec為市場與客戶創(chuàng)造新增加值帶來了巨大機(jī)遇。隨著傳統(tǒng)的CMOS技術(shù)的日薄西山——這一點(diǎn)從28nm巨大產(chǎn)量與20nm缺乏吸引力的規(guī)格與成本就可以看出，

28nm到14nm工藝代溝，全耗盡硅技術(shù)如何彌補(bǔ)？

今日的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷著若干充滿挑戰(zhàn)性的轉(zhuǎn)型過程，不過這也為Soitec為市場與客戶創(chuàng)造新增加值帶來了巨大機(jī)遇。隨著傳統(tǒng)的CMOS技術(shù)的日薄西山——這一點(diǎn)從28nm巨大產(chǎn)量與20nm缺乏吸引力的規(guī)格與成本就可以看出，

晶體管的相關(guān)知識(shí)介紹

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料

SoC低電壓SRAM技術(shù)介紹

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑

具有助推晶體管的12W低噪音音頻放大器電路

晶體管驅(qū)動(dòng)電路圖

晶體管的相關(guān)知識(shí)介紹

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料

臺(tái)聯(lián)電購IBM 3D晶體管技術(shù) 代工前景依然樂觀

近日，臺(tái)灣芯片代工企業(yè)臺(tái)聯(lián)電宣布，其已經(jīng)獲得IBM 20nm COMS處理器的專利授權(quán)，另外還包括FinFET 3D晶體管技術(shù)專利，得以進(jìn)行20nm以及3D芯片的開發(fā)研制。在3D晶體管這一CPU新興熱點(diǎn)上，臺(tái)聯(lián)電獲邁出了重要的一步，這

IBM授權(quán)聯(lián)電業(yè)界第二家使用3D晶體管工藝

據(jù)國外媒體報(bào)道，臺(tái)灣芯片代工大廠聯(lián)電（UMC）上周末與IBM簽署了一項(xiàng)協(xié)議，前者將在后者幫助下研發(fā)并推出20nm CMOS制程工藝，并引入FinFET即3D晶體管技術(shù)。 聯(lián)電官方表態(tài)稱，IBM將其20nm制程工藝整套設(shè)計(jì)和FinFET

控制基極的晶體管電子繼電器電路圖

如圖所示。圖a為NPN型晶體管利用+Ec電源控制的電子繼電器。 圖b為NPN型晶體管接地控制電路。 圖c為PNP型晶體管利用-Ec控制的電子繼電器。 圖d是有自生偏壓的電子繼電器。