晶體管
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一款由分立晶體管的電流控制的方式電路圖
一款由分立晶體管的電流控制的方式電路圖
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功率放大電路概述
前面討論的各種放大電路的主要任務(wù)是使負(fù)載上獲得盡可能大的不大真電壓信號(hào)，它們的主要指標(biāo)是電壓放大倍數(shù)。而功率放大電路的主要任務(wù)則是，在允許的失真限度內(nèi)，盡可能高效率地向負(fù)載提供足夠大的功率。因此，功率
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美研制出新型“4維”晶體管
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)12月6日（北京時(shí)間）報(bào)道，美國普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員推出了一項(xiàng)極為應(yīng)景的新發(fā)明：一種外形如同一顆圣誕樹一樣的新型晶體管，其重要組件“門”（柵極）的長度縮減到了突破性的20納
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臺(tái)積電公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程
在“SEMICONJapan2012”（2012年12月5～7日，幕張MESSE國際會(huì)展中心）開幕當(dāng)天，臺(tái)積電研發(fā)副總經(jīng)理侯永清(CliffHou)登臺(tái)發(fā)表了主題演講，公布了該公司關(guān)于16～10nmFinFET工藝及CoWoS（chiponwaferonsubstrate，晶圓
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三星、臺(tái)積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)
據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時(shí)開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，
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臺(tái)積電公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程
在“SEMICON Japan 2012”（2012年12月5～7日，幕張MESSE國際會(huì)展中心）開幕當(dāng)天，臺(tái)積電研發(fā)副總經(jīng)理侯永清(Cliff Hou)登臺(tái)發(fā)表了主題演講，公布了該公司關(guān)于16～10nm FinFET工藝及CoWoS（chip on wafer on substra
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三星、臺(tái)積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)
據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時(shí)開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出
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基于全耗盡平面晶體管技術(shù)的NovaThor平臺(tái)設(shè)計(jì)
隨著智能手機(jī)功能最近不斷升級(jí)演化，消費(fèi)者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現(xiàn)已成為高端手機(jī)的標(biāo)配。同時(shí)，消費(fèi)者還期望手機(jī)纖薄輕盈，電池續(xù)航能力至少
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三星、臺(tái)積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)
據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時(shí)開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出
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三星、臺(tái)積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)
據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時(shí)開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出
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三星、臺(tái)積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)
據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時(shí)開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出
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聯(lián)電否認(rèn)格羅方德參股傳言
晶圓代工廠聯(lián)電今天否認(rèn)格羅方德(GlobalFoundries)參股的傳言，表示雙方并沒有就參股進(jìn)行討論。 媒體報(bào)導(dǎo)，外資圈傳出，格羅方德可能與聯(lián)電策略聯(lián)盟，初期由格羅方德參股聯(lián)電，未來進(jìn)一步交叉持股。 聯(lián)電指出，14納
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用微變等效電路法分析放大電路
用微變等效電路分析法分析放大電路的關(guān)鍵在于正確地畫出放大電路的微變等效電路。具體方法是：首先畫出放大電路的交流通路，然后用晶體管的簡化h參數(shù)等效電路代替晶體管，并標(biāo)明電壓、電流的參考方向。應(yīng)用微變等效電
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晶體管的微變等效電路
得到了晶體管的h參數(shù)后，就可以畫出晶體管的線性等效電路，圖Z0214是晶體管的h參數(shù)等效電路。關(guān)于h參數(shù)等效電路，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：（1）電壓的參考極性為上正下負(fù)，電流的參考正方向是流入為正；（2）電路中出現(xiàn)了受
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晶體管的h參數(shù)
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號(hào)的前提下，晶體管可等效為一個(gè)線性雙端口電路。如圖Z0212所示。晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。h 參數(shù)的定義如圖Z0213。hie、hre、hfe、hoe 這4個(gè)參數(shù)稱
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輸出電壓的最大幅度與非線性失真分析
一、輸出電壓的最大幅度由圖Z0208所示（見十五）的分析過程可以看出，放大電路輸出信號(hào)電壓的幅度受到飽和區(qū)和截止區(qū)的限制。在給定電路參數(shù)的條件下，輸出電壓不產(chǎn)生明顯失真時(shí)的幅值稱為最大輸出幅度，常用峰值或峰
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交流通路與放大原理
有信號(hào)輸入時(shí)，放大電路的工作狀態(tài)稱為動(dòng)態(tài)。動(dòng)態(tài)時(shí)，電路中既有代表信號(hào)的交流分量，又有代表靜態(tài)偏置的直流分量。是交、直流共存狀態(tài)，盡管電路中既有交流分量，又有直流分量。由于電路中含有電抗性元件，因此，交
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直流通路與靜態(tài)工作點(diǎn)
無信號(hào)輸入(us=0)時(shí)，放大電路的工作狀態(tài)稱為靜態(tài)。靜態(tài)時(shí)，電路中各處的電壓、電流均為直流量。由于電路中的電容、電感等電抗元件對(duì)直流沒有影響，因此，對(duì)直流而言，放大電路中的電容可視為開路(電感可視為短路)，
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產(chǎn)能跟不上？GF明年上半年試產(chǎn)14nm工藝
AMD當(dāng)年就屢屢被落后的產(chǎn)能所拖累，而在晶圓廠獨(dú)立成GlobalFoundries之后，仍然擺脫不了工藝和產(chǎn)能跟不上的局面，多次導(dǎo)致新產(chǎn)品取消、推遲或者規(guī)格不達(dá)標(biāo)，不過，GF依然在不斷努力宣傳美好的未來，現(xiàn)在又保證明年上
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GF14nm FinFET技術(shù) 明年上半年試產(chǎn)14nm工藝
AMD當(dāng)年就屢屢被落后的產(chǎn)能所拖累，而在晶圓廠獨(dú)立成GlobalFoundries之后，仍然擺脫不了工藝和產(chǎn)能跟不上的局面，多次導(dǎo)致新產(chǎn)品取消、推遲或者規(guī)格不達(dá)標(biāo)，不過，GF依然在不斷努力宣傳美好的未來，現(xiàn)在又保證明年上
