晶體管
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TSMC披露工藝計劃和資本支出
2012年第四季度，TSMC的營收已經(jīng)有22% 來自28納米業(yè)務(wù), 40 納米的業(yè)務(wù)也約占22%。 TSMC計劃在2013年1月實現(xiàn)20nm SoC工藝的小批量試產(chǎn)。預(yù)計2013年11月，16nm的FinFET 3D晶體管的工藝將開始試產(chǎn)。 資本支出方面
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雷聲大雨點?。縂lobalFoundries稱2015年實現(xiàn)真正的10nm
GlobalFoundries雖然也承認(rèn)自己遇到了一些問題，但并不妨礙對美好前景的展望，比如10nm工藝，就號稱會在2015年實現(xiàn)，而且是真正的10nm。GlobalFoundries執(zhí)行副總裁Mike Noonen在通用平臺論壇會議上很內(nèi)疚地說，該公司
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那些開創(chuàng)未來的十年：晶體管計算機(jī)（1951-1960）
今天的連載把我們帶回到1951-1960年代，這個時候計算機(jī)從真空管轉(zhuǎn)向了晶體管，出現(xiàn)了第一張實現(xiàn)數(shù)字掃描的照片，呼啦圈為塑料開辟了一個全新的市場。 1953年：晶體管計算機(jī)(計算機(jī)) 40年代的時候，計算機(jī)成為
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TSMC披露工藝計劃和資本支出
2012年第四季度，TSMC的營收已經(jīng)有22% 來自28納米業(yè)務(wù), 40 納米的業(yè)務(wù)也約占22%。TSMC計劃在2013年1月實現(xiàn)20nm SoC工藝的小批量試產(chǎn)。預(yù)計2013年11月，16nm的FinFET 3D晶體管的工藝將開始試產(chǎn)。資本支出方面，2012年
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Samsung ：也來看看我們的14nm晶圓吧
通用平臺技術(shù)論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對Cortex-A15的貢獻(xiàn)， Samsung 也擺出了自己的14nm晶圓。和Intel、IBM(還有臺積電16nm)一樣
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仙童和創(chuàng)造硅谷的人們
美國印象欄目(American Experience)新拍攝的紀(jì)錄片《硅谷》(Silicon Valley)將視線聚焦于“叛逆的八人”(Traitorous Eight)，這些人離開肖克利半導(dǎo)體實驗室(Shockley Semiconductor)創(chuàng)立了仙童半導(dǎo)體公司(Fairchild
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那些開創(chuàng)未來的十年：晶體管計算機(jī)（1951-1960）
今天的連載把我們帶回到1951-1960年代，這個時候計算機(jī)從真空管轉(zhuǎn)向了晶體管，出現(xiàn)了第一張實現(xiàn)數(shù)字掃描的照片，呼啦圈為塑料開辟了一個全新的市場。1953年：晶體管計算機(jī)(計算機(jī))40年代的時候，計算機(jī)成為現(xiàn)實，但它
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音樂VT66系列晶體管形音樂集成電路
音樂VT66系列晶體管形音樂集成電路
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Samsung ：也來看看我們的14nm晶圓吧
通用平臺技術(shù)論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對Cortex-A15的貢獻(xiàn)， Samsung 也擺出了自己的14nm晶圓。 和Intel、IBM(還有臺積電16nm)一
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三星：也來看看我們的14nm晶圓吧
通用平臺技術(shù)論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對Cortex-A15的貢獻(xiàn)，三星也擺出了自己的14nm晶圓。和Intel、IBM(還有臺積電16nm)一樣，三星
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利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(下)
本文提出了一個預(yù)測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負(fù)載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。 后續(xù)小節(jié)中的結(jié)果可從Friis噪聲方程
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利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(中)
本文提出了一個預(yù)測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負(fù)載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。 對于微波放大器噪聲性能經(jīng)常是一個
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利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(上)
本文提出了一個預(yù)測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負(fù)載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。 設(shè)計一個有效的低噪聲放大
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制作50W晶體管功放電路
此功法電路可謂一裝即成，特別適合初學(xué)者制作。這款功放一聲道只需17個零件，卻收到了意想不到的效果，還音效果真實，頻響平直，解析力高，且功率可以達(dá)到50W。具體電路如圖(只畫出一聲道)，全機(jī)用1/2W電阻，C2和C4用
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GlobalFoundries 20nm/14nm晶圓亮劍
GlobalFoundries的工藝進(jìn)展緩慢一直備受詬病，也坑壞了AMD，不過人家也在一直努力爭取，并屢屢向外界展示自己的進(jìn)展。近日，GlobalFoundries又首次公開了20nm、14nm工藝的晶圓實物。 不過，GlobalFoundries并未
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GlobalFoundries 20nm/14nm晶圓亮劍
GlobalFoundries的工藝進(jìn)展緩慢一直備受詬病，也坑壞了AMD，不過人家也在一直努力爭取，并屢屢向外界展示自己的進(jìn)展。近日，GlobalFoundries又首次公開了20nm、14nm工藝的晶圓實物。不過，GlobalFoundries并未提供多
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三星與Synopsys實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實現(xiàn)了一個關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實現(xiàn)了首款測試芯片的流片。雖然FinFET工藝較傳統(tǒng)的平面工藝在功耗與性能上明
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三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
亮點：該里程碑有助于加速對FinFET技術(shù)的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片(SoC)該合作為3D器件建模和物理設(shè)計規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ)測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲器的
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三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
加利福尼亞州山景城，2013年1月— 亮點： ? 該里程碑有助于加速對FinFET技術(shù)的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片（SoC） ? 該合作為3D器件建模和物理設(shè)計規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ) ? 測試芯片驗證了FinFET工藝和
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美開發(fā)出迄今最小砷化銦鎵晶體管
硅半導(dǎo)體作為微芯片之王的日子已經(jīng)屈指可數(shù)了，據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道，美國麻省理工學(xué)院科學(xué)家開發(fā)出了有史以來最小的砷化銦鎵晶體管。該校微系統(tǒng)技術(shù)實驗室科研團(tuán)隊開發(fā)的這個復(fù)合晶體管，長度僅為22納米。研究
