晶圓
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Gartner：晶圓設(shè)備市場2013恢復成長
隨著晶圓和其它邏輯制造廠增加30奈米以下的生產(chǎn)， 晶圓制造設(shè)備于2012初始表現(xiàn)強勁。但是，根據(jù)Gartner最新報告，2012年全球晶圓制造設(shè)備（WFE）支出預期為330億美元，較2011年362億美元的支出規(guī)模衰退了8.9%。Gartn
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晶圓與電池價格維持緩漲格局 Q3實際出貨仍需觀察
根據(jù)EnergyTrend的數(shù)據(jù)顯示，受到歐洲經(jīng)濟狀況仍不穩(wěn)定的影響，消息指出歐洲部分電廠投資案因而受到牽連，進度不如預期。另一方面，原本市場對于第三季訂單有相當期待，在此次InterSolar展會中結(jié)束后出現(xiàn)變化，目前看
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晶圓與電池價格維持緩漲格局 Q3實際出貨仍需觀察
根據(jù)EnergyTrend的數(shù)據(jù)顯示，受到歐洲經(jīng)濟狀況仍不穩(wěn)定的影響，消息指出歐洲部分電廠投資案因而受到牽連，進度不如預期。另一方面，原本市場對于第三季訂單有相當期待，在此次InterSolar展會中結(jié)束后出現(xiàn)變化，目前看
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晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米
更快的處理器和復雜的移動設(shè)備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計逐漸延伸到40nm以下，甚至達到28nm，受晶圓的極端漏電流效應影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上
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8吋重摻矽晶圓需求移往亞洲合晶居大中華NO.1
半導體矽晶圓廠商合晶 (6182)董事長焦平海19日表示，國際半導體矽晶圓大廠近幾年來陸續(xù)將資源投注重心放在12吋市場，削減其效益不彰的8吋矽晶圓產(chǎn)能，然8吋市場需求熱度不減，尤其半導體制造轉(zhuǎn)往亞洲區(qū)的趨勢明顯，合
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《半導體》旺矽Q2營收估增逾5成
旺矽（6223）第2季來接單持續(xù)轉(zhuǎn)強，除了晶圓探針卡接單滿載，LED測試設(shè)備接單也在6月出現(xiàn)強勁成長，月增率達15％，因此6月營收有機會較5月成長10～20％，第2季營收將較首季大增50～60％，營運明顯走出谷底。 旺矽營
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晶圓技術(shù)幫助實現(xiàn)更高速度和更低功耗
更快的處理器和復雜的移動設(shè)備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計逐漸延伸到40nm以下，甚至達到28nm，受晶圓的極端漏電流效應影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上
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晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米
更快的處理器和復雜的移動設(shè)備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計逐漸延伸到40nm以下，甚至達到28nm，受晶圓的極端漏電流效應影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上
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力成：2年內(nèi)進全球封測前四大
(記者鐘榮峰新竹15日電)記憶體封測廠力成董事長蔡篤恭表示，預估最快2年內(nèi)，力成全年合并營業(yè)額規(guī)模，可進入全球封測產(chǎn)業(yè)前四大。力成今天上午在新竹明新科技大學召開股東會，議事進行相當順利，不到半小時股東會便宣
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晶圓技術(shù)幫助實現(xiàn)更高速度和更低功耗
更快的處理器和復雜的移動設(shè)備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計逐漸延伸到40nm以下，甚至達到28nm，受晶圓的極端漏電流效應影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上
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德儀報喜臺積聯(lián)電利多晶圓雙雄營運持續(xù)樂觀
晶圓雙雄通訊客戶頻頻報喜，高通釋出28奈米產(chǎn)能已獲滿足，德儀（TI）第2季財測優(yōu)于預期，顯示晶圓雙雄臺積電（2330）與聯(lián)電營運多頭未變，股價再添有利支撐。臺積電昨日下跌0.8元，收在79.2元。聯(lián)電下跌0.15元，收在
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晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米
更快的處理器和復雜的移動設(shè)備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計逐漸延伸到40nm以下，甚至達到28nm，受晶圓的極端漏電流效應影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上
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晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米
更快的處理器和復雜的移動設(shè)備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計逐漸延伸到40nm以下，甚至達到28nm，受晶圓的極端漏電流效應影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上
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晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米
更快的處理器和復雜的移動設(shè)備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計逐漸延伸到40nm以下，甚至達到28nm，受晶圓的極端漏電流效應影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上
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新竹強震 晶圓破片
新竹縣尖石鄉(xiāng)昨（13）日二度發(fā)生里氏規(guī)模逾4級地震，一度驚傳晶圓雙雄臺積電、聯(lián)電位于竹科園區(qū)內(nèi)產(chǎn)線發(fā)生破片狀況，據(jù)了解，影響程度尚在調(diào)查中，并未波及廠商的正常營運。 昨下午4時22分新竹發(fā)生里氏規(guī)模4.9級
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三星將在韓興建晶圓工廠 生產(chǎn)20nm和14nm芯片
三星電子近日宣布，計劃在韓國水原華城興建一座新的晶圓廠，將用來生產(chǎn)20nm、14nm工藝的移動芯片。三星準備在新工廠身上投資2.25萬億韓元，約合122億元人民幣，本月正式破土動工，預計2013年底建成投產(chǎn)。新工廠將主要
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三星將在韓興建晶圓工廠 生產(chǎn)20nm和14nm芯片
三星電子近日宣布，計劃在韓國水原華城興建一座新的晶圓廠，將用來生產(chǎn)20nm、14nm工藝的移動芯片。三星準備在新工廠身上投資2.25萬億韓元，約合122億元人民幣，本月正式破土動工，預計2013年底建成投產(chǎn)。新工廠將主要
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臺積18寸晶圓 最快2015年導入量產(chǎn)
臺積電11日表示，18寸晶圓會先在新竹12廠（Fab12）第6期導入研發(fā)試產(chǎn)線，最快2015、2016年在中科15廠第五期（P5）正式導入18寸晶圓廠的量產(chǎn)作業(yè)。臺積電表示，由于18寸晶圓仍得看設(shè)備與大環(huán)境需求的配合，根據(jù)臺積電
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張忠謀：28納米需求未變?nèi)?，Q3產(chǎn)能仍吃緊
臺積電(2330)董事長張忠謀表示，28納米制程需求并未變?nèi)酰?季產(chǎn)能仍將吃緊；公司也將維持穩(wěn)定的股利政策，保留充沛現(xiàn)金用以28納米以上先進制程布局。 臺積電今天召開股東常會，張忠謀會后接受媒體訪問時指出，因內(nèi)
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臺積18寸晶圓 最快2015年導入量產(chǎn)
臺積電昨（11）日表示，18寸晶圓會先在新竹12廠（Fab12）第6期導入研發(fā)試產(chǎn)線，最快2015、2016年在中科15廠第五期（P5）正式導入18寸晶圓廠的量產(chǎn)作業(yè)。臺積電表示，由于18寸晶圓仍得看設(shè)備與大環(huán)境需求的配合，根據(jù)
