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左擁臺(tái)積右抱格羅方德ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖
繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)
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爭(zhēng)搶臺(tái)積電28奈米訂單格羅方德擴(kuò)產(chǎn)紐約八廠
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近期在28奈米晶圓代工市場(chǎng)布局動(dòng)作頻頻。在成功自臺(tái)積電手里搶得高通(Qualcomm)28奈米晶片訂單后，格羅方德日前再度宣布啟動(dòng)紐約12吋晶圓八廠(Fab 8)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，進(jìn)一步擴(kuò)大第一期廠房( Modu
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格羅方德宣布與Rambus合作兩款28納米芯片
晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）近日宣布，與Rambus共同發(fā)表雙方合作開發(fā)的28納米兩款獨(dú)立存儲(chǔ)器架構(gòu)式矽測(cè)試芯片。格羅方德是臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一，28納米進(jìn)度下半年預(yù)計(jì)進(jìn)入量產(chǎn)。格羅方德宣布與Rambus合作的
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臺(tái)積電對(duì)手格羅方德 發(fā)表28納米
晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）昨（26）日宣布，與Rambus共同發(fā)表雙方合作開發(fā)的28納米兩款獨(dú)立存儲(chǔ)器架構(gòu)式矽測(cè)試芯片。 格羅方德是臺(tái)積電（2330）競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一，28納米進(jìn)度下半年預(yù)計(jì)進(jìn)入量產(chǎn)。 格羅方德
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Globalfoundries 發(fā)表28納米
晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）昨（26）日宣布，與Rambus共同發(fā)表雙方合作開發(fā)的28納米兩款獨(dú)立存儲(chǔ)器架構(gòu)式矽測(cè)試芯片。 格羅方德是臺(tái)積電（2330）競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一，28納米進(jìn)度下半年預(yù)計(jì)進(jìn)入量產(chǎn)。 格羅
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超微新單 臺(tái)積電受寵不減
處理器大廠超微（AMD）第2季財(cái)報(bào)不佳，第3季展望不如預(yù)期，股價(jià)上周末重跌逾13％，不過，超微仍在法說會(huì)中指出，雖然28納米產(chǎn)能吃緊，但超微沒有受到影響，現(xiàn)在晶圓代工伙伴仍只有臺(tái)積電（2330）及格羅方德（GlobalF
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格羅方德主管：HKMG成28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵
格羅方德技術(shù)長(zhǎng)辦公室先進(jìn)技術(shù)架構(gòu)主管SubramaniKengeri表示，該公司在32nm節(jié)點(diǎn)即引進(jìn)HKMG制程，為更高密度電晶體實(shí)現(xiàn)低漏電流效益；相較于至28奈米才改用HKMG的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，技術(shù)成熟度略勝一籌。因此，擁有充足的HKMG
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格羅方德：HKMG成28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵
格羅方德技術(shù)長(zhǎng)辦公室先進(jìn)技術(shù)架構(gòu)主管SubramaniKengeri表示，該公司在32nm節(jié)點(diǎn)即引進(jìn)HKMG制程，為更高密度電晶體實(shí)現(xiàn)低漏電流效益；相較于至28奈米才改用HKMG的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，技術(shù)成熟度略勝一籌。因此，擁有充足的HKMG
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格羅方德：HKMG成28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵
格羅方德技術(shù)長(zhǎng)辦公室先進(jìn)技術(shù)架構(gòu)主管Subramani Kengeri表示，該公司在32nm節(jié)點(diǎn)即引進(jìn)HKMG制程，為更高密度電晶體實(shí)現(xiàn)低漏電流效益；相較于至28奈米才改用HKMG的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，技術(shù)成熟度略勝一籌。因此，擁有充足的HKM
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專訪格羅方德Subramani Kengeri HKMG成28奈米量產(chǎn)致勝關(guān)鍵
格羅方德技術(shù)長(zhǎng)辦公室先進(jìn)技術(shù)架構(gòu)主管Subramani Kengeri表示，該公司在32奈米節(jié)點(diǎn)即引進(jìn)HKMG制程，為更高密度電晶體實(shí)現(xiàn)低漏電流效益；相較于至28奈米才改用HKMG的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，技術(shù)成熟度略勝一籌。因此，擁有充足的H
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攜手格羅方德 虹晶完成28nm設(shè)計(jì)服務(wù)
虹晶科技 (Socle Technology Corporation)與格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES) 10日共同宣布，完成虹晶首件28納米特殊應(yīng)用芯片(ASIC)設(shè)計(jì)服務(wù)案。該設(shè)計(jì)案采用ARM Cortex A9多核心處理技術(shù)，透過格羅方德(GLOBALFOUNDRI
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攜手格羅方德 虹晶完成28nm設(shè)計(jì)服務(wù)
虹晶科技 (Socle Technology Corporation)與格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES) 10日共同宣布，完成虹晶首件28納米特殊應(yīng)用芯片(ASIC)設(shè)計(jì)服務(wù)案。該設(shè)計(jì)案采用ARM Cortex A9多核心處理技術(shù)，透過格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)
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攜手格羅方德 虹晶完成28nm設(shè)計(jì)服務(wù)
虹晶科技 (Socle Technology Corporation)與格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES) 10日共同宣布，完成虹晶首件28納米特殊應(yīng)用芯片(ASIC)設(shè)計(jì)服務(wù)案。該設(shè)計(jì)案采用ARM Cortex A9多核心處理技術(shù)，透過格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)
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攜手格羅方德 虹晶完成28nm設(shè)計(jì)服務(wù)
虹晶科技 (Socle Technology Corporation)與格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES) 10日共同宣布，完成虹晶首件28納米特殊應(yīng)用芯片(ASIC)設(shè)計(jì)服務(wù)案。該設(shè)計(jì)案采用ARM Cortex A9多核心處理技術(shù)，透過格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)
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ST委托格羅方德代工28/20奈米FD-SOI晶片
意法半導(dǎo)體(ST)宣布格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(Fully Depleted Silicon-on-Insulator, FD-SOI)技術(shù)，為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)28奈米和20奈米晶片。 意法半導(dǎo)體負(fù)責(zé)
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強(qiáng)打HKMG技術(shù)格羅方德?lián)屖?8奈米大餅
趁臺(tái)積電28奈米(nm)產(chǎn)能供應(yīng)不及之際，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)已積極展開搶單攻勢(shì)。挾在高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)技術(shù)豐富經(jīng)驗(yàn)，格羅方德已成功拿下超微(AMD)第二代加速處理器(APU)、意法半導(dǎo)體(ST)及多家通訊晶片
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臺(tái)積有望獲超微轉(zhuǎn)單工
處理器大廠超微（AMD）今年3月出清阿布達(dá)比創(chuàng)投（ATIC）旗下的格羅方德（GF）股權(quán)后，業(yè)界人士最新指出，在超微取消GF的28nm加速處理器（APU）獨(dú)家代工合約后，預(yù)計(jì)2013年APU晶片轉(zhuǎn)單臺(tái)積電的機(jī)率大增，將替臺(tái)積電28
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臺(tái)積有望獲超微轉(zhuǎn)單工
處理器大廠超微（AMD）今年3月出清阿布達(dá)比創(chuàng)投（ATIC）旗下的格羅方德（GF）股權(quán)后，業(yè)界人士最新指出，在超微取消GF的28奈米加速處理器（APU）獨(dú)家代工合約后，預(yù)計(jì)2013年APU晶片轉(zhuǎn)單臺(tái)積電的機(jī)率大增，將替臺(tái)積電
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格羅方德新技術(shù) 為移動(dòng)與消費(fèi)性應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D晶片堆疊
格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布新技術(shù)，將可為新一代的行動(dòng)與消費(fèi)性應(yīng)用實(shí)現(xiàn)三維（3D）晶片堆疊，位于紐約薩拉托加郡的晶圓八廠已安裝一套特殊生產(chǎn)工具，可在半導(dǎo)體晶圓上建立矽穿孔（TSV）技術(shù)，作業(yè)于20奈米技術(shù)
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格羅方德晶圓八廠實(shí)現(xiàn)20奈米3D晶片制程技術(shù)
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布新技術(shù)，將可為新一代的行動(dòng)與消費(fèi)性應(yīng)用實(shí)現(xiàn)三維(3D)晶片堆疊，位于紐約薩拉托加郡的晶圓八廠已安裝一套特殊生產(chǎn)工具，可在半導(dǎo)體晶圓上建立矽穿孔(TSV)技術(shù)，作業(yè)于20奈米技術(shù)平臺(tái)上
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