2025 年的表彰對公司在道德、合規(guī)和治理方面的最佳表現(xiàn)給予認可
泛林集團連續(xù)第二年獲此年度殊榮,以表彰其通過完善的道德、合規(guī)和治理來恪守商業(yè)誠信的承諾。
美官方前不久宣布,馬上實施最新的管制方案。華為,中興等31家中國科技企業(yè)均受影響,但沒過多久,老美那邊芯片企業(yè)股票全部斷崖式下跌,在該領(lǐng)域的領(lǐng)導者AMD下跌更是超過13.87%,公司市值直接蒸發(fā)數(shù)千億。
無論在哪一年,全世界大約都會發(fā)生16次大地震,其中15次是7級,1次是8級或8級以上的地震[1]。因此,地震早期預警(EEW)系統(tǒng)的需求量很大。由日本氣象廳(JMA)管理的覆蓋全國的EEW系統(tǒng)[2]從2006年開始運行。地震臺網(wǎng)由1000個間隔20至25公里的地震臺組成。在2011年日本東北9.1級地震之后,日本氣象廳收集了關(guān)于EEW系統(tǒng)的反饋:人們對地震預警系統(tǒng)表示熟悉,并發(fā)現(xiàn)它們很有用;參與者對JMA EEW系統(tǒng)的功效普遍給予了正面反饋,即使有假警報,大家的反饋也令人驚訝地積極。調(diào)查對象們都很熟悉早期預警系統(tǒng)的技術(shù)局限性,并認為即便是提供虛假警報的系統(tǒng),也好過對于一個即將發(fā)生的地震沒有任何預警。
芯片已經(jīng)無處不在:從手機和汽車到人工智能的云服務器,所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。創(chuàng)建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而,隨著芯片特征變得更小,現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實現(xiàn)相同性能,從而可能需要新的材料。
隨著量子計算的出現(xiàn),對外圍容錯邏輯控制電路的需求達到了新的高度。在傳統(tǒng)計算中,信息的單位是“1”或“0”。在量子計算機中,信息單位是一個量子比特,可以描繪為“0”、“1”或兩個值的疊加(稱為“疊加態(tài)”)。
使用泛林集團Equipment Intelligence?應對腔室匹配挑戰(zhàn)
這一使用突破性技術(shù)的合作將為全球芯片制造商提供強大的化學品供應鏈,并支持下一代 EUV 應用的研發(fā)
這些突破性產(chǎn)品旨在補充和擴展泛林集團行業(yè)領(lǐng)先的刻蝕解決方案組合,使芯片制造商能夠以超高的選擇性和埃米級的精度刻蝕和修改薄膜,以實現(xiàn)最先進的集成電路(IC)性能并加速其3D路線圖。
在過去的十年里,對于體積更小、密度更高、性能更強大的芯片的需求一直在推動半導體制造商從平面結(jié)構(gòu)向越來越復雜的三維(3D)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型。原因很簡單,垂直堆疊可以實現(xiàn)更高的密度。
Sense.i為刻蝕技術(shù)的未來設(shè)定步伐
隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展,泛林集團正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn),以經(jīng)濟的成本為晶圓廠提供解決方案。
上周,泛林集團發(fā)布了Syndion G系列產(chǎn)品的新成員——全新Syndion? GP。在本周的微信中,泛林集團客戶支持事業(yè)部Reliant系統(tǒng)產(chǎn)品副總裁Evan Patton將為大家講述該產(chǎn)品的開發(fā)背景。
2021年11月5日,上海——今日,全球領(lǐng)先的半導體創(chuàng)新晶圓制造設(shè)備及服務供應商泛林集團攜全新的品牌形象及突破性技術(shù)亮相第四屆中國國際進口博覽會(以下簡稱“進博會”)。11月5-10日展會期間,在位于上海國家會展中心進博會技術(shù)裝備展區(qū)(4.1號館A2-001展位),泛林集團以“迸發(fā)創(chuàng)新力量,共筑美好未來”為主題,對其前沿技術(shù)、解決方案、以及公司的發(fā)展歷程和企業(yè)文化進行全面展示,并與集成電路產(chǎn)業(yè)的同仁們分享行業(yè)見解。
氦氣正在變得緊缺。對于它的用途,消費者可能最熟悉的就是充氣球,但其實各種工業(yè)領(lǐng)域?qū)獾膽酶訌V泛,其中也包括半導體制造。出于供給考慮,包括泛林集團在內(nèi)的許多公司都在尋找減少氦氣使用的方法。
材料創(chuàng)新驅(qū)動了人類文明的重大進步,作為一名材料工程師,我對這一點感到非常自豪。石器時代、青銅時代和鐵器時代都是人類發(fā)展至今的重要階段。
通過推動相關(guān)材料的創(chuàng)新,泛林能夠提供更優(yōu)秀的刻蝕設(shè)備,在滿足高深寬比相關(guān)苛刻要求的同時,保障卓越性能和成本效益。
本期,我們將繼續(xù)探索半導體制造過程中的兩大關(guān)鍵步驟:刻蝕和薄膜沉積。
每個半導體產(chǎn)品的制造都需要數(shù)百個工藝,泛林集團將整個制造過程分為八個步驟:晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-互連-測試-封裝。
泛林集團在第七次發(fā)布的年度《環(huán)境、社會和公司治理報告》中明確目標和成果。