無線電子琴電路圖

利用雙基極二極管負(fù)阻和RC充放電特性的馳張振蕩器的基本電路如圖10.1.2（A）所示，接通電源并按下S鍵，電源通過電阻R對(duì)S充電，從而使單結(jié)晶體管發(fā)射極電壓VE逐漸上升，在電容器C上電壓達(dá)到VP之前，單結(jié)電體管處于截止

三角形電動(dòng)機(jī)零序電壓斷相保護(hù)電路

零序電壓電動(dòng)機(jī)斷相保護(hù)電路

準(zhǔn)諧振反激的原理、應(yīng)用及參數(shù)計(jì)算

　　如果不用固定的時(shí)鐘來初始化導(dǎo)通時(shí)間,而利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個(gè)最小值或谷值,并僅在這時(shí)啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)間,結(jié)果會(huì)是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰

基于DSP芯片TMS320F240的電壓無功控制器的設(shè)計(jì)

本文著重介紹其于TMS320F240的電壓我功控制器的設(shè)計(jì)及其編程。

基于DSP芯片TMS320F240的電壓無功控制器的設(shè)計(jì)

本文著重介紹其于TMS320F240的電壓我功控制器的設(shè)計(jì)及其編程。

可控制零電壓觸發(fā)電路

電壓一電流變換器的隔離電路

電流-電壓變換器的隔離電路

互感和互感電壓原理

當(dāng)線圈1中通入電流i1時(shí)，在線圈1中產(chǎn)生磁通(magneticflux)，同時(shí)，有部分磁通穿過臨近線圈2。當(dāng)i1為時(shí)變電流時(shí)，磁通也將隨時(shí)間變化，從而在線圈兩端產(chǎn)生感應(yīng)電壓。u11稱為自感電壓，u21稱為互感電壓。 同理，當(dāng)

電壓型低壓觸電保安電路

低壓電壓型觸電保安電路

超音頻電壓產(chǎn)生電路

美的牽頭制定電磁灶電壓力鍋國家標(biāo)準(zhǔn)

南都訊 記者汪小星 記者日前從電磁灶、電壓力鍋國家標(biāo)準(zhǔn)起草啟動(dòng)大會(huì)上獲悉，電磁灶、電壓力鍋即將出臺(tái)國家標(biāo)準(zhǔn)，由美的擔(dān)任標(biāo)準(zhǔn)化工作組組長。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，國家標(biāo)準(zhǔn)的起草，提高了進(jìn)入門檻，可加快行業(yè)的規(guī)范運(yùn)作

如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因

電磁灶、電壓力鍋將出臺(tái)國家標(biāo)準(zhǔn)

電磁灶、電壓力鍋即將出臺(tái)國家標(biāo)準(zhǔn)，這是記者在8月7日召開的電磁灶、電壓力鍋國家標(biāo)準(zhǔn)起草啟動(dòng)大會(huì)上得到的消息。據(jù)悉，美的將擔(dān)任標(biāo)準(zhǔn)化工作組組長，牽頭制定電磁灶、電壓力鍋國標(biāo)。 “2005年電磁灶市場在國內(nèi)

MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算

我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容

美的牽頭制定電磁灶電壓力鍋國標(biāo)

電磁灶、電壓力鍋即將出臺(tái)國家標(biāo)準(zhǔn)，這是筆者在8月7日召開的電磁灶、電壓力鍋國家標(biāo)準(zhǔn)起草啟動(dòng)大會(huì)上得到的最新消息。會(huì)上決定，由美的擔(dān)任標(biāo)準(zhǔn)化工作組組長，牽頭制定電磁灶、電壓力鍋國標(biāo)。 業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，國

電壓力鍋將出國標(biāo) 行業(yè)洗牌再加速

150多個(gè)品牌搶食同一市場的情況或許馬上就要發(fā)生改變。8月10日，《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者從美的生活電器事業(yè)部電壓力鍋公司了解到，美的將牽頭制定電壓力鍋國標(biāo)。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，國家標(biāo)準(zhǔn)的起草將加快行業(yè)的規(guī)范運(yùn)作，

MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算

我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容