看到一張網(wǎng)上的圖描述觸點的接通時間的過程分析的,非常不錯,先放在這里。 我們知道其實繼電器的觸點保護要比Mosfet更加殘酷,一般繼電器的負載要比MOSFET大很多。常見的
引言看到某某的電容爆炸了,我也想就一些問題給予一些補充,因為這玩意是很危險的,先上圖一張。這是在網(wǎng)上收集到的恐怖的一幕,鉭電容爆炸了,它會發(fā)明火,所以很多廠家都
從波音 747 客機的導航操作、汽車駕駛每天都會使用的 GPS 導航系統(tǒng),到尋寶者要找到深藏于森林某處的寶藏,GPS 技術已經(jīng)迅速融入于多種應用中。正當創(chuàng)新技術不斷提升GPS 接
利用運放反饋與基準電壓生成任意大小的直流電流是一個簡單、直接的過程。但是,假設須要生成一些任意數(shù)量(以N為例)的電流沉/源(current sink/source),而每個電流沉/源的大
聲矢量傳感器由傳統(tǒng)的無指向性聲壓傳感器和偶極子指向性質點振速傳感器復合而成,可以同步共點測量聲場中一點處的聲壓和質點振速若干正交分量,由此得到的幅度和相位信息為解
隨著嵌入式系統(tǒng)的廣泛應用,各種小型終端需要開發(fā)出與外界聯(lián)系的USB接口。目前,常用的技術有兩種?;趩纹瑱C的USB接口,特點是需要外置芯片,電路復雜,留下的CPU資源不多
一、引言隨著電子技術的不斷發(fā)展, 家庭中的許多電器設備如彩電、冰箱、空調(diào)等都已貼上了智能化的標簽, 為提高人們的生活質量做出了貢獻。但遺憾的是, 居室的眼睛---窗戶
隨著機器人技術的不斷發(fā)展,機器人的應用領域正逐漸多樣化,其中,特種機器人是機器人技術的一個重要分支。與在結構化條件下作業(yè)的普通機器人相比,特種機器人將面臨更為復
反激式開關電源結構簡單,應用廣泛,但其變壓器漏感大,開關管存在電壓尖峰,在大部分低功率應用場合都會采用簡單易實現(xiàn)的RCD鉗位電路來減緩電壓尖峰,這里將簡單介紹RCD電
近日在中國深圳,我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設計師?!澳銮稍谠O計中用過60V的負載開關嗎?”我問。他說用過,并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23,漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?!霸谶@些電路板上,您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過,于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息,RDS(ON)不到60mΩ,占位面積僅為1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見圖1)
在工程師的日常測試中,有時會發(fā)現(xiàn)用萬用表測試的結果與許多高精度的儀器測試的結果并不一致,工程師往往會陷入迷茫,到底哪個值才是正確的?原來,選擇不同的測量模式,會導
第一種:雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質負載
時鐘周期:時鐘周期也稱為振蕩周期,定義為時鐘脈沖的倒數(shù)(可以這樣來理解,時鐘周期就是單片機外接晶振的倒數(shù),例如12M的晶振,它的時間周期就是1/12us),是計算機中最基本
本文為您講述快充技術的含義,手機快充技術原理,快充的幾種模式以及現(xiàn)階段市面上主要的幾種快充技術解決方案及其各自之間的對比,提供您作為參考使用。首先,什么是快充技
快速ESD 脈沖可能在電路板上相鄰(平行)導線間產(chǎn)生感應電壓。如果上述情況發(fā)生,由于將不會得到保護,因此感應電壓路徑將成為另一條讓浪涌到達IC的路徑。因此,被保護的輸入
1 前言靜電放電(ESD,electrostatic discharge)是電子工業(yè)最花代價的損壞原因之一,它會影響到生產(chǎn)合格率、制造成本、產(chǎn)品質量與可靠性以及公司的可獲利潤。隨著IC產(chǎn)品的制
Micro-LED是電流驅動型發(fā)光器件,其驅動方式一般只有兩種模式:無源選址驅動(PM:Passive Matrix,又稱無源尋址、被動尋址、無源驅動等等)與有源選址驅動(AM:Active Matri
想要電動機啟動,可不是合上閘這么簡單。想要實現(xiàn)遠程控制和多點控制,需要做的還有很多。本文列舉幾個最基本的電動機控制回路,除了在生產(chǎn)中的機械控制需要用到外,在設計
1 引言現(xiàn)在,人們對工作和生活環(huán)境不僅要求舒適健康、可靠便利,而且更加看重安全性,并利用安防系統(tǒng)來提高家庭抵御各種意外情況的能力?,F(xiàn)在的安防系統(tǒng)可借助計算機技術、
大容量存儲器集成電路的測試系統(tǒng)是科技型中小企業(yè)技術創(chuàng)新基金項目,是根據(jù)大容量存儲器集成電路SDRAM、DDR SDRAM和:flash RAM的發(fā)展趨勢而研究開發(fā)的測試系統(tǒng)。方案的主要