電感跟磁珠應(yīng)當(dāng)說是兩兄弟,很多人一直認為它們都是“通直阻交”,很容易混在一起。正所謂:一母生九子,九子各不同。其實電感和磁珠還是有很大區(qū)別的。電感的單
二極管也是半導(dǎo)體元件,用半導(dǎo)體做出來的二極管具有“單向?qū)щ娦?rdquo;!所以我說它是電路中電流的“單行道”!當(dāng)然二極管還有其它的一些特殊脾氣,例如穩(wěn)壓
萬用表說起來大家都不陌生,但是能真正把它用到透的可沒幾個人吧,這里為大家講解下萬用表是如何來檢測電容的?可別小瞧了這個知識點,說不定你就不是很清楚呢。1 指針式萬用
摘要根據(jù)KA3525的應(yīng)用特點,設(shè)計了一種基于該電流型PWM控制芯片和單片機控制實現(xiàn)輸出電壓可調(diào)的穩(wěn)壓電源電路.本文主要介紹了它的主電路、調(diào)控電路以及調(diào)控電路所包含的控制電
摘要提出了基于現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)的逆變電源數(shù)字驅(qū)動電路設(shè)計新方案.采用電流型脈沖寬度調(diào)制(PWM)雙閉環(huán)設(shè)計思路,從驅(qū)動脈沖在各種正常和異常情況下的可知性和可控性
摘要針對煤礦對防爆鋰離子電池的需求,設(shè)計了一種防爆鋰離子電池電源電路,詳細介紹了該電路的組成和功能。該電路采用隔爆分腔設(shè)計,當(dāng)鋰離子電池組或電池管理系統(tǒng)發(fā)生故障時,
1、在工頻運行時,發(fā)電制動的意義是:1)舉例說,起重異步電機,在吊重下落時,中午拖動異步電機發(fā)電運行,這時異步電機處于發(fā)電狀態(tài),發(fā)電電流就是制動電流,這時重物的重力
1 引言因雷擊、自動重合閘動作成功或其它原因引起電網(wǎng)瞬間失壓,致使運行中的接觸器因失壓動作而釋放,所控制的電動機停止運行,對于石油化工等連續(xù)性運行的企業(yè),會引起生產(chǎn)波
mppt即最大功率點跟蹤。因為光伏電池的利用率不僅與其內(nèi)部特性有關(guān),還受環(huán)境如日照、溫度等因素的影響,其輸出特性與電池板溫度以及光照、強度有很強的關(guān)聯(lián)性,且具有非線
對于大部分工程師來說,ESD是一種挑戰(zhàn),不僅要保護昂貴的電子元件不被ESD損毀,還要保證萬一出現(xiàn)ESD事件后系統(tǒng)仍能繼續(xù)運行。這就需要對ESD沖擊時發(fā)生了什么做深入的了解,
在大多數(shù)需要通過單一輸入源調(diào)節(jié)多路輸出電壓的步降電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,開關(guān)穩(wěn)壓器會在向FPGA、DSP和微處理器提供負載點(POL)電源時,施加高輸入均方根(RMS)電流和噪聲。為解決
電路保護,我們在日常生活、工作中都經(jīng)常用到,但不知道大家對“rs485電路保護”是否知道呢?本文收集整理了一些資料,希望本文能對各位讀者有比較大的參考價值。
在許多以干電池供電的消費類電子產(chǎn)品和玩具產(chǎn)品中,經(jīng)常有電池漏液情況發(fā)生,主要原因是電池放電過度。利用復(fù)位 IC 與 MOSFET 組成具有低壓探測功能的負載開關(guān)電路,可實時
從大學(xué)時代第一次接觸FPGA至今已有10多年的時間,至今記得當(dāng)初第一次在EDA實驗平臺上完成數(shù)字秒表、搶答器、密碼鎖等實驗時那個興奮勁。當(dāng)時由于沒有接觸到HDL硬件描述語言
對于現(xiàn)在一個電子系統(tǒng)來說,電源部分的設(shè)計也越來越重要,我想通過和大家探討一些自己關(guān)于電源設(shè)計的心得,來個拋磚引玉,讓我們在電源設(shè)計方面能夠都有所深入和長進。Q1:
原邊反饋(PSR)簡介●在小功率消費類電子應(yīng)用中,反激式電源是主流,因為反激式電源非常適合小功率段,同時天然提供了隔離的效果?!窀綦x后,如果要檢測輸出的情況,需要用隔
1 前言靜電放電(ESD,electrostatic discharge)是電子工業(yè)最花代價的損壞原因之一,它會影響到生產(chǎn)合格率、制造成本、產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性以及公司的可獲利潤。隨著IC產(chǎn)品的制
探頭的GND和信號兩個探測點的距離過大 圖一:示波器DC的量化誤差示波器存在量化誤差,實時示波器的ADC為8位,把模擬信號轉(zhuǎn)化為2的8次方(即256個)量化的級別,當(dāng)顯示的波形
ESD保護對高密度、小型化和具有復(fù)雜功能的電子設(shè)備而言具有重要意義。本文探討了采用TVS二極管防止ESD時,最小擊穿電壓和擊穿電流、最大反向漏電流和額定反向關(guān)斷電壓等參數(shù)
隨著半導(dǎo)體制程工藝的發(fā)展,硅晶體管的局限逐漸被顯現(xiàn)出來,為了摩爾定律繼續(xù)生效,業(yè)界推出了3D晶體管的的定義,而談到3D晶體管,就不能不談Intel的Tri-Gate晶體管和臺積電