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美光多元化布局 不再獨(dú)鐘DRAM產(chǎn)品
美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)交出連續(xù)4季獲利財(cái)報(bào)，美光近幾年多角化發(fā)展十分成功，目前DRAM營(yíng)收比重有僅剩下25%，受到下半年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格重挫的沖擊已大幅減少;然值得注意的是，與存儲(chǔ)器龍大廠三星電子(Samsung El
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三星斥資2.75億美元 取得美光10年交叉授權(quán)
根據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)指出，美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)日前除了報(bào)出亮眼的財(cái)報(bào)結(jié)果以外，還獲得三星電子(Samsung Electronics)長(zhǎng)達(dá)10年交叉授權(quán)的協(xié)議，美光將取得權(quán)利金2.75億美元。彭博(Bloomberg)則報(bào)導(dǎo)指出，
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甲骨文正式起訴美光壟斷內(nèi)存芯片價(jià)格
北京時(shí)間9月28日早間消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，甲骨文已經(jīng)起訴美光科技，稱其壟斷計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片價(jià)格。甲骨文周五在指控中稱，美光科技與其他芯片廠商勾結(jié)，人為推高DRAM內(nèi)存價(jià)格。2010年，甲骨文以70億美元的價(jià)格收購(gòu)了
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甲骨文起訴美光合謀操縱內(nèi)存芯片價(jià)格
甲骨文在美加州圣何塞聯(lián)邦法院起訴美光科技，指控其與其他公司合謀操縱內(nèi)存芯片價(jià)格，使Sun付出高昂的代價(jià)。 甲骨文在9月24日提交的反壟斷訴訟中稱，美光和其他DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)）芯片制造商合謀，人為地虛報(bào)出售給
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甲骨文起訴美光操縱芯片價(jià)格 令Sun蒙受損失
甲骨文通過美國(guó)子公司在加州北區(qū)法院起訴美光科技，指控其涉嫌操縱內(nèi)存芯片價(jià)格，使Sun微系統(tǒng)付出了更高的代價(jià)。甲骨文指控美光與其他內(nèi)存制造商勾結(jié)，人為抬高DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))芯片價(jià)格。訴訟書稱，在1998年至200
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甲骨文起訴美光操縱芯片價(jià)格：Sun采購(gòu)受損失
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，甲骨文通過美國(guó)子公司在加州北區(qū)法院起訴美光科技，指控其涉嫌操縱內(nèi)存芯片價(jià)格，使Sun微系統(tǒng)付出了更高的代價(jià)。甲骨文指控美光與其他內(nèi)存制造商勾結(jié)，人為抬高DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)）芯片價(jià)格。訴訟書
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《國(guó)際電子商情》9月熱門產(chǎn)品匯總
美光和英特爾開發(fā)出64Gb NAND閃存 美光(Micron)和英特爾最近聯(lián)合開發(fā)出64Gb(或8GB) 25nm NAND閃存，它可在每單元上提供3位的信息容量，而傳統(tǒng)技術(shù)只能提供1位或2位。該器件的尺寸與美光和英特爾容量相同的25nm
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美光將從中芯國(guó)際手中取得新芯晶圓廠
據(jù)業(yè)界消息，美光(Micron)正在洽談接手中芯國(guó)際(SMIC)位于中國(guó)湖北武漢的12寸晶圓廠;該座晶圓廠名為武漢新芯集成電路制造有限公司，所有權(quán)屬于武漢市政府，委托中芯經(jīng)營(yíng)管理。飽受虧損所苦、力圖擺脫赤字的中芯，據(jù)說
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傳美光將從中芯國(guó)際手中取得新芯晶圓廠
根據(jù)業(yè)界消息，美光(Micron)正在洽談接手中芯國(guó)際(SMIC)位于中國(guó)湖北武漢的12寸晶圓廠；該座晶圓廠名為武漢新芯集成電路制造有限公司，所有權(quán)屬于武漢市政府，委托中芯經(jīng)營(yíng)管理。 飽受虧損所苦、力圖擺脫赤字的
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外資狙擊 中國(guó)半導(dǎo)體保衛(wèi)戰(zhàn)打響
這是最好的時(shí)代，也是最壞的時(shí)代。多少年后，當(dāng)我們仰望星空，回眸歷史，會(huì)發(fā)現(xiàn)這句話是對(duì)2010年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最好的注解：今年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)達(dá)30%多，但設(shè)計(jì)公司卻紛紛找不到產(chǎn)能，被國(guó)外的代工廠家“加
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傳美光收編新芯外資狙擊中芯再下一城？
每經(jīng)記者劉曉杰發(fā)自武漢 繼中芯國(guó)際原托管的成都成芯半導(dǎo)體工廠被美國(guó)德州儀器洽購(gòu)之后，日前，關(guān)于武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱武漢新芯）即將被納入國(guó)際閃存巨頭美光科技旗下的傳言又甚囂塵上。不過
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中國(guó)半導(dǎo)體的“武漢保衛(wèi)戰(zhàn)”
這是最好的時(shí)代,也是最壞的時(shí)代。多少年后，當(dāng)我們仰望星空，回眸歷史，會(huì)發(fā)現(xiàn)這句話是對(duì)2010年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最好的注解：今年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)達(dá)30%多，但設(shè)計(jì)公司卻紛紛找不到產(chǎn)能，被國(guó)外的代工廠家“加價(jià)不
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“中”“美”大戰(zhàn)：中國(guó)半導(dǎo)體的“武漢保衛(wèi)戰(zhàn)”
這是最好的時(shí)代,也是最壞的時(shí)代。多少年后，當(dāng)我們仰望星空，回眸歷史，會(huì)發(fā)現(xiàn)這句話是對(duì)2010年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最好的注解：今年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)達(dá)30%多，但設(shè)計(jì)公司卻紛紛找不到產(chǎn)能，被國(guó)外的代工廠家“加價(jià)
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“中”“美”大戰(zhàn)：中國(guó)半導(dǎo)體的“武漢保衛(wèi)戰(zhàn)”
這是最好的時(shí)代,也是最壞的時(shí)代。多少年后，當(dāng)我們仰望星空，回眸歷史，會(huì)發(fā)現(xiàn)這句話是對(duì)2010年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最好的注解：今年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)達(dá)30%多，但設(shè)計(jì)公司卻紛紛找不到產(chǎn)能，被國(guó)外的代工廠家“加價(jià)不加
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傳中芯將把武漢12吋晶圓廠經(jīng)營(yíng)權(quán)轉(zhuǎn)讓美光
根據(jù)業(yè)界消息，美光(Micron)正在洽談接手中芯國(guó)際(SMIC)位于中國(guó)湖北武漢的 12吋晶圓廠；該座晶圓廠名為武漢新芯集成電路制造有限公司(Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Corp.)，所有權(quán)屬于武漢市政府，
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美光洽購(gòu)武漢新芯 中芯代管模式再遇考
對(duì)于武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱“武漢新芯”），這顯然又是一個(gè)十字路口。 9月2日，有消息人士對(duì)本報(bào)記者透露，全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商美光科技欲購(gòu)買武漢新芯?！拔錆h新芯將成為美
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“中”“美”大戰(zhàn)：中國(guó)半導(dǎo)體的“武漢保衛(wèi)戰(zhàn)”
這是最好的時(shí)代,也是最壞的時(shí)代。多少年后，當(dāng)我們仰望星空，回眸歷史，會(huì)發(fā)現(xiàn)這句話是對(duì)2010年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最好的注解：今年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)達(dá)30%多，但設(shè)計(jì)公司卻紛紛找不到產(chǎn)能，被國(guó)外的代工廠家“加價(jià)
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iSuppli：2Q三星電子DRAM市占率再下一城
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli最新報(bào)告顯示，全球最大存儲(chǔ)器業(yè)者三星電子(SamsungElectronics)在積極擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作下，2010年第2季的全球DRAM市占率再下一城，從上季的32.6%進(jìn)一步攀升到第2季的35.4%市占率。三星電子第2季的DRAM營(yíng)
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英特爾美光公布存儲(chǔ)密度更高的新型閃存芯片
英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二公布了存儲(chǔ)密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲(chǔ)芯片所占空間，還能增加消費(fèi)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量。新NAND芯片每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)3位信息，存儲(chǔ)容量高達(dá)64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾
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3-bit-per-cell NAND 閃存（美光和英特爾）
美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特爾公司 (Intel Corporation)今天聯(lián)合推出25納米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 閃存，該 NAND 設(shè)備擁有業(yè)界最大的容量和最小的尺寸。兩家公司已將初始產(chǎn)品樣品
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