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美光內(nèi)存采用銅取代鋁導(dǎo)線生產(chǎn)商沖擊設(shè)備市場(chǎng)

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TheInformationNetwork總裁RobertCastellano指出，內(nèi)存組件轉(zhuǎn)向采用銅導(dǎo)線(copperinterconnect)的趨勢(shì)在2009年達(dá)到高峰，因此盡管當(dāng)年整體半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)銷售業(yè)績衰退達(dá)40%以上，其中與銅導(dǎo)線直接相關(guān)的

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2010-04-22

內(nèi)存美光組件金屬
抓緊景氣回升IM Flash新加坡廠提前運(yùn)作

英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IMFlash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運(yùn)。2005年英特爾和美光因看好NANDFlash市場(chǎng)，遂于2006年初合資成立IMFlash，由英

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2010-04-22

Flash 新加坡 NANDFLASH 美光
什么因素推動(dòng)爾必達(dá)和美光最近的閃存資產(chǎn)收購行動(dòng)？

據(jù)iSuppli公司，最近DRAM供應(yīng)商爾必達(dá)和美光的收購行動(dòng)，突顯供應(yīng)商越來越重視打造完整的內(nèi)存產(chǎn)品組合，以面向快速增長的智能手機(jī)市場(chǎng)。如圖所示，未來幾年智能手機(jī)使用的DRAM平均數(shù)量將增長九倍以上，到2014年將從2

半導(dǎo)體
2010-04-18

DRAM 爾必達(dá) NAND 美光
英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技星期一預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開始大批量生產(chǎn)?！　?/p>
消費(fèi)電子
2010-04-04

英特爾閃存芯片 NAND閃存美光
英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技星期一預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開始大批量生產(chǎn)。作為目前應(yīng)用

智能硬件
2010-04-04

英特爾閃存芯片 NAND閃存美光
美光即將量產(chǎn)25nm工藝NAND

在半導(dǎo)體內(nèi)存行業(yè)，美國美光科技（MicronTechnology）的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND閃存外，該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP（Multi-chipPacka

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2010-03-26

NAND NAND閃存 5NM 美光
美光西安封測(cè)廠增建動(dòng)土估2011年建成投產(chǎn)

新民網(wǎng)報(bào)導(dǎo)，由美光科技(Micron Inc.)投資3億美元建設(shè)的半導(dǎo)體測(cè)試產(chǎn)線近日在西安高新區(qū)開工建設(shè)，是美光繼05年在西安高新區(qū)投資建設(shè)半導(dǎo)體封裝測(cè)試生產(chǎn)基地以來的又一重大項(xiàng)目，建成后將成為包括固態(tài)硬盤、發(fā)光二極

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2010-03-26

美光科技封裝測(cè)試半導(dǎo)體封裝美光
三星美光反對(duì)擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

近期內(nèi)存價(jià)格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過在包括三星、美光、力晶等在內(nèi)的DRAM廠商看來，好光景來之不易，不應(yīng)該一味擴(kuò)大產(chǎn)能惡性競(jìng)爭而重新導(dǎo)致DRAM內(nèi)存暴跌。韓國三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉日前表示，

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2010-03-25

DRAM 三星內(nèi)存美光
美光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃將專注于制程提升

繼三星，力晶等內(nèi)存芯片大廠對(duì)內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后，美光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃，美光表示他們將專注與縮減內(nèi)存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競(jìng)爭力。不久前，

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2010-03-24

三星芯片廠商內(nèi)存芯片美光
美光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃將專注于制程提升

繼三星，力晶等內(nèi)存芯片大廠對(duì)內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后，美光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃，美光表示他們將專注與縮減內(nèi)存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競(jìng)爭力。不久前，

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-03-24

三星芯片廠商內(nèi)存芯片美光
Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售

Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-03-23

Intel NAND閃存 5NM 美光
南亞科大擴(kuò)產(chǎn)12寸廠拉升至5萬片

臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科日前決定進(jìn)行大擴(kuò)產(chǎn)，原本規(guī)劃將12寸晶圓廠產(chǎn)能從現(xiàn)有3萬片提升至3.6萬片，現(xiàn)在計(jì)劃一舉提升產(chǎn)能至5萬片水平，因此將再增加250名員工，整體員工人數(shù)將達(dá)4,250人；總經(jīng)理連日昌表示，目前1

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2010-03-05

DRAM 晶圓廠 GB 美光
Forté N25Q系列高性能串行閃存解決方案（美光）

恒憶（Numonyx）宣布推出業(yè)界首款 65nm 多路輸入輸出串行閃存系列產(chǎn)品，從而進(jìn)一步擴(kuò)大了恒憶為滿足嵌入式市場(chǎng)嚴(yán)格的代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性要求而設(shè)計(jì)的強(qiáng)大的存儲(chǔ)器產(chǎn)品陣容。新的 Numonyx® Forté™ N25Q

智能硬件
2010-03-05

讀寫 FOR EACUTE 美光
臺(tái)灣多家科技公司因地震停工股價(jià)大幅下滑

臺(tái)灣南部地區(qū)昨日發(fā)生6.4級(jí)地震。到目前為止，地震已造成12人受傷，島內(nèi)大量高科技公司工廠宣布臨時(shí)停工。來自美國地質(zhì)勘探署的數(shù)據(jù)顯示，地震波及臺(tái)灣南部城市高雄方圓70千米左右的地區(qū)，但臺(tái)北市仍有震感。同樣受影

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-03-05

半導(dǎo)體臺(tái)積電 FAB 美光
美日韓陣營鼎立DRAM產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點(diǎn)

2009年全球DRAM產(chǎn)業(yè)從全球前五強(qiáng)變成四強(qiáng)鼎立，歐系代表奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)正式退出市場(chǎng)，也宣告溝槽式技術(shù)陣營的結(jié)束。展望2010年DRAM產(chǎn)業(yè)新頁，將會(huì)是美、日、韓陣營合寫歷史，但目前臺(tái)灣的DRAM版圖中，韓系已消失，未

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2010-03-04

DRAM 爾必達(dá) 海力士美光
美光攜手南亞科技開發(fā)20納米芯片制程技術(shù)

據(jù)國外媒體報(bào)道，臺(tái)灣南亞科技總裁連日昌周三表示，公司目前正在與合作伙伴美光科技聯(lián)手，共同為未來的DRAM生產(chǎn)開發(fā)先進(jìn)的20納米芯片制程技術(shù)。這項(xiàng)先進(jìn)的芯片制程技術(shù)有助于提高芯片性能、減少芯片耗電量、降低芯片

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-03-04

DRAM 納米芯片制程技術(shù) 美光
美日韓陣營鼎立 DRAM產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點(diǎn)

2009年全球DRAM產(chǎn)業(yè)從全球前五強(qiáng)變成四強(qiáng)鼎立，歐系代表奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)正式退出市場(chǎng)，也宣告溝槽式技術(shù)陣營的結(jié)束。展望2010年DRAM產(chǎn)業(yè)新頁，將會(huì)是美、日、韓陣營合寫歷史，但目前臺(tái)灣的DRAM版圖中，韓系已消失，未

智能硬件
2010-03-04

DRAM 爾必達(dá) 海力士美光
存儲(chǔ)器市場(chǎng)格局驟變：恒憶易主美光，意法徹底離場(chǎng)

意法半導(dǎo)體宣布，意法半導(dǎo)體連同合伙人英特爾和FranciscoPartners公司，與美光科技公司(MicronTechnology)簽署正式并購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，美光將以全額股票形式收購恒憶控股公司(NumonyxHoldingB.V.)。恒憶是意法半導(dǎo)體

半導(dǎo)體
2010-03-02

存儲(chǔ)器意法半導(dǎo)體 AN 美光
英特爾/美光25納米工藝晶圓工廠直擊

前不久，Intel、美光合資閃存制造企業(yè) IMFlashTechnologies,LLC(IMFT)宣布已經(jīng)開始試制25bn工藝NAND閃存芯片。除了紙面宣布外，他們實(shí)際上還邀請(qǐng)了多家媒體到IMFT位于美國猶他州Lehi的25nm工藝晶圓廠進(jìn)行參觀。

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2010-02-19

英特爾晶圓 AMHS 美光
美光簽署新協(xié)議擴(kuò)大對(duì)西安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資

日前，西安高新區(qū)與美國美光科技公司簽署新投資項(xiàng)目合作協(xié)議，美國美光科技公司在已投資2.5億美元到西安高新區(qū)后，將再投資3億美元在此發(fā)展半導(dǎo)體測(cè)試項(xiàng)目。美光科技有限公司是全球最大的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商

消費(fèi)電子
2010-02-10

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 美光科技國美美光

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美光

美光內(nèi)存采用銅取代鋁導(dǎo)線生產(chǎn)商沖擊設(shè)備市場(chǎng)

抓緊景氣回升IM Flash新加坡廠提前運(yùn)作

什么因素推動(dòng)爾必達(dá)和美光最近的閃存資產(chǎn)收購行動(dòng)？

英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

美光即將量產(chǎn)25nm工藝NAND

美光西安封測(cè)廠增建動(dòng)土估2011年建成投產(chǎn)

三星美光反對(duì)擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

美光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃將專注于制程提升

美光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃將專注于制程提升

Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售

南亞科大擴(kuò)產(chǎn)12寸廠拉升至5萬片

Forté N25Q系列高性能串行閃存解決方案（美光）

臺(tái)灣多家科技公司因地震停工股價(jià)大幅下滑

美日韓陣營鼎立DRAM產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點(diǎn)

美光攜手南亞科技開發(fā)20納米芯片制程技術(shù)

美日韓陣營鼎立 DRAM產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點(diǎn)

存儲(chǔ)器市場(chǎng)格局驟變：恒憶易主美光，意法徹底離場(chǎng)

英特爾/美光25納米工藝晶圓工廠直擊

美光簽署新協(xié)議擴(kuò)大對(duì)西安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資

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