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美光或收購(gòu)Numonyx Intel脫離NAND市場(chǎng)？
根據(jù)國(guó)外媒體爆料，NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會(huì)收購(gòu)英特爾投資的NOR閃存制造商N(yùn)umonyx。這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx，而美光則可以藉此進(jìn)入NOR閃存業(yè)務(wù)，并獲得Numonyx的phase-chang
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，有望挺進(jìn)10納米級(jí)
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，人們普遍對(duì)該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說(shuō)，NAND供貨商在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(pán)(SSD)所需的起飛時(shí)間遠(yuǎn)較預(yù)期來(lái)得長(zhǎng)。當(dāng)然，
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美光：TMC模式不會(huì)成功
隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺(tái)面，美光(Micron)和臺(tái)塑集團(tuán)將加速送出整合計(jì)畫(huà)書(shū)，美光在臺(tái)代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會(huì)成功，即使成功亦不會(huì)解決臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)問(wèn)題，但臺(tái)系DRAM廠并不
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，挺進(jìn)10納米級(jí)有望
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，人們普遍對(duì)該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說(shuō)，NAND供貨商在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(pán)(SSD)所需的起飛時(shí)間遠(yuǎn)較預(yù)期來(lái)得長(zhǎng)。當(dāng)然，
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美光對(duì)NAND未來(lái)充滿樂(lè)觀 挺進(jìn)1x-nm有望
在日前的閃存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，人們普遍對(duì)該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。 有人說(shuō)，NAND供貨商在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(pán)(SSD)所需的起飛時(shí)間遠(yuǎn)較預(yù)期來(lái)得長(zhǎng)。當(dāng)然，還
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美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米 為明年大戰(zhàn)暖身
2009、2010年對(duì)美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前的68納米和華亞科的70納米制程，大量轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程，就技術(shù)角度而言相當(dāng)艱鉅，且同時(shí)也需要龐大的資金挹注，才能完成整個(gè)轉(zhuǎn)換過(guò)程。 美光分析，在50納米制程上，預(yù)計(jì)每
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美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米 為明年大戰(zhàn)暖身
三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開(kāi)始試產(chǎn)，爾必達(dá)(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計(jì)劃年底在新加坡12寸廠率先導(dǎo)入40納米制程，將成為美光旗下第1個(gè)導(dǎo)入40納米制程
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DRAM市場(chǎng)觸底，Q3出貨成長(zhǎng)有望超過(guò)30%
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research 指出，2008年下半在全球金融海嘯沖擊下，終端消費(fèi)市場(chǎng)需求快速萎縮，造成DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)報(bào)價(jià)在這半年間下跌幅度超過(guò)50%，連帶使得原本就虧損累累、財(cái)務(wù)體質(zhì)日漸惡化的DRAM制造廠商營(yíng)運(yùn)
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英特爾、美光合力3bps技術(shù)，推出業(yè)界最高效NAND產(chǎn)品
英特爾公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）近日宣布，雙方依靠其獲獎(jiǎng)的34納米NAND工藝，推出每單元儲(chǔ)存3比特（3-bit-per-cell，簡(jiǎn)稱3bps）的多層單元（MLC）NAND技術(shù)試用產(chǎn)品
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英特爾聯(lián)手美光推34納米工藝NAND芯片
8月12日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技今天宣布，雙方已將當(dāng)今最小的NAND芯片應(yīng)用于消費(fèi)存儲(chǔ)設(shè)備。 新NAND閃存芯片采用34納米生產(chǎn)工藝，每單元可儲(chǔ)存3比特。新產(chǎn)品由兩家公司合資企業(yè)IM Flash Technology公
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英特爾和美光利用34納米工藝開(kāi)發(fā)32Gb 3bpc NAND芯片
英特爾公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）宣布，雙方依靠其獲獎(jiǎng)的34納米NAND工藝，推出每單元儲(chǔ)存3比特（3-bit-per-cell，簡(jiǎn)稱3bps）的多層單元（MLC）NAND技術(shù)試用產(chǎn)品。這
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