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美光或收購Numonyx Intel脫離NAND市場？
根據(jù)國外媒體爆料，NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會收購英特爾投資的NOR閃存制造商Numonyx。這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx，而美光則可以藉此進入NOR閃存業(yè)務(wù)，并獲得Numonyx的phase-chang
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，有望挺進10納米級
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時間遠較預(yù)期來得長。當然，
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美光：TMC模式不會成功
隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團將加速送出整合計畫書，美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會成功，即使成功亦不會解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題，但臺系DRAM廠并不
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，挺進10納米級有望
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時間遠較預(yù)期來得長。當然，
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美光對NAND未來充滿樂觀 挺進1x-nm有望
在日前的閃存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。 有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時間遠較預(yù)期來得長。當然，還
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美光新加坡廠年底導入40納米 為明年大戰(zhàn)暖身
2009、2010年對美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前的68納米和華亞科的70納米制程，大量轉(zhuǎn)進50納米制程，就技術(shù)角度而言相當艱鉅，且同時也需要龐大的資金挹注，才能完成整個轉(zhuǎn)換過程。 美光分析，在50納米制程上，預(yù)計每
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美光新加坡廠年底導入40納米 為明年大戰(zhàn)暖身
三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn)，爾必達(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計劃年底在新加坡12寸廠率先導入40納米制程，將成為美光旗下第1個導入40納米制程
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DRAM市場觸底，Q3出貨成長有望超過30%
市場研究機構(gòu)DIGITIMES Research 指出，2008年下半在全球金融海嘯沖擊下，終端消費市場需求快速萎縮，造成DRAM現(xiàn)貨市場報價在這半年間下跌幅度超過50%，連帶使得原本就虧損累累、財務(wù)體質(zhì)日漸惡化的DRAM制造廠商營運
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英特爾、美光合力3bps技術(shù)，推出業(yè)界最高效NAND產(chǎn)品
英特爾公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）近日宣布，雙方依靠其獲獎的34納米NAND工藝，推出每單元儲存3比特（3-bit-per-cell，簡稱3bps）的多層單元（MLC）NAND技術(shù)試用產(chǎn)品
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英特爾聯(lián)手美光推34納米工藝NAND芯片
8月12日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾和美光科技今天宣布，雙方已將當今最小的NAND芯片應(yīng)用于消費存儲設(shè)備。 新NAND閃存芯片采用34納米生產(chǎn)工藝，每單元可儲存3比特。新產(chǎn)品由兩家公司合資企業(yè)IM Flash Technology公
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英特爾和美光利用34納米工藝開發(fā)32Gb 3bpc NAND芯片
英特爾公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）宣布，雙方依靠其獲獎的34納米NAND工藝，推出每單元儲存3比特（3-bit-per-cell，簡稱3bps）的多層單元（MLC）NAND技術(shù)試用產(chǎn)品。這
