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美光簽署新協(xié)議擴(kuò)大對(duì)西安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資

日前，西安高新區(qū)與美國(guó)美光科技公司簽署新投資項(xiàng)目合作協(xié)議，美國(guó)美光科技公司在已投資2.5億美元到西安高新區(qū)后，將再投資3億美元在此發(fā)展半導(dǎo)體測(cè)試項(xiàng)目。美光科技有限公司是全球最大的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商

消費(fèi)電子
2010-02-10

美光半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 美光科技國(guó)美
美光擴(kuò)大對(duì)西安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資

日前，西安高新區(qū)與美國(guó)美光科技公司簽署新投資項(xiàng)目合作協(xié)議，美國(guó)美光科技公司在已投資2．5億美元到西安高新區(qū)后，將再投資3億美元在此發(fā)展半導(dǎo)體測(cè)試項(xiàng)目。美光科技有限公司是全球最大的先進(jìn)半導(dǎo)體[0.39-1.28%]解決

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2010-02-08

美光半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 美光科技國(guó)美
封測(cè)需求增力成華東受惠

爾必達(dá)（Elpida）、美光（Micron）兩大DRAM聯(lián)盟在臺(tái)加快先進(jìn)制程布局，增加對(duì)后段封裝測(cè)試產(chǎn)能需求，力成、華東、福懋科等國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器封測(cè)廠(chǎng)都將受惠。同步押寶美光、爾必達(dá)陣營(yíng)的華東，目前測(cè)試和封裝產(chǎn)能利用率

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2010-02-08

DRAM 內(nèi)存爾必達(dá) 美光
英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

英特爾和美光科技預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開(kāi)始大批量生產(chǎn)。作為目前應(yīng)用的最小的NAND閃存技術(shù)，25納

消費(fèi)電子
2010-02-03

英特爾閃存芯片 NAND閃存美光
40納米成DRAM廠(chǎng)流行口號(hào)

近期DRAM廠(chǎng)掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(dá)(Elpida)說(shuō)起。因?yàn)闋柋剡_(dá)2009年沒(méi)錢(qián)轉(zhuǎn)進(jìn)50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過(guò)50納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn)45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營(yíng)，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-02-02

DRAM 爾必達(dá) 40納米美光
DRAM走出黑暗年底陽(yáng)光燦爛

在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠(chǎng)商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走

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2010-02-01

DRAM 三星 DDR3 美光
DRAM走出黑暗年底陽(yáng)光燦爛

在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠(chǎng)商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走

智能硬件
2010-02-01

DRAM 三星 DDR3 美光
英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技星期一預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開(kāi)始大批量生產(chǎn)。　　作為目前應(yīng)用的最

智能硬件
2010-02-01

英特爾閃存芯片 NAND閃存美光
機(jī)臺(tái)交期延DRAM廠(chǎng)制程微縮絆腳石

2010年臺(tái)DRAM廠(chǎng)將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤(rùn)式微顯影(ImmersionScanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購(gòu)是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華

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2010-01-26

DRAM 爾必達(dá) 制程技術(shù) 美光
機(jī)臺(tái)交期延　DRAM廠(chǎng)制程微縮絆腳石

2010年臺(tái)DRAM廠(chǎng)將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤(rùn)式微顯影(Immersion Scanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購(gòu)是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-01-26

DRAM 爾必達(dá) 制程技術(shù) 美光
DRAM忙擴(kuò)產(chǎn) 封測(cè)漲價(jià)在即

雖然三星、海力士、美光等3大廠(chǎng)仍未釋出封測(cè)訂單委外代工，但占全球DRAM產(chǎn)能逾4成的臺(tái)灣DRAM廠(chǎng)及日本爾必達(dá)，封測(cè)訂單卻是源源不絕釋出，所以臺(tái)灣DRAM業(yè)者如力成、華東、福懋科、泰林等，今年來(lái)產(chǎn)能利用率維持95％以

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2010-01-23

DRAM GB DDR3 美光
美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米4大DRAM陣營(yíng)火藥味濃

2010年4大DRAM陣營(yíng)三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場(chǎng)直接拉到40納米世代！繼爾必達(dá)跳過(guò)50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營(yíng)也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。

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2010-01-22

DRAM 爾必達(dá) 40納米美光
南亞科擴(kuò)建12寸廠(chǎng)全球市占挑戰(zhàn)10%

南亞科將逆勢(shì)擴(kuò)建旗下12寸廠(chǎng)，從現(xiàn)有3萬(wàn)片擴(kuò)增至5萬(wàn)~6萬(wàn)片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴(kuò)產(chǎn)的臺(tái)系DRAM廠(chǎng)。值得注意的是，南亞科單月產(chǎn)能(加計(jì)華亞科)約9。5萬(wàn)片，以目前全球單月12寸廠(chǎng)產(chǎn)能約100萬(wàn)片計(jì)算，南亞科擴(kuò)

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2010-01-22

DRAM PID MICRON 美光
爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光

一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達(dá)狀況更顯得困窘，在經(jīng)過(guò)近1年臥薪嘗膽后，爾必達(dá)2010年開(kāi)春終于宣布，40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠(chǎng)順利完成試產(chǎn)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-01-07

DRAM 爾必達(dá) 40納米美光
美光爭(zhēng)取華亞科主導(dǎo)權(quán)　臺(tái)塑拒絕成瑞晶翻版

華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資，南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認(rèn)購(gòu)現(xiàn)增額度，但近期傳出美光向臺(tái)塑集團(tuán)攤牌，希望能增加認(rèn)購(gòu)比例，爭(zhēng)取華亞科更多股權(quán)，惟臺(tái)塑集團(tuán)回決此提議，認(rèn)為目前「等權(quán)共治」策略較

智能硬件
2010-01-05

DRAM 爾必達(dá) Flash 美光
美光第一財(cái)季扭虧盈利2.04億美元

位于美國(guó)芯片制造商美光科技(MicronTechnology)周二公布，受惠于存儲(chǔ)處理器旺銷(xiāo)，公司第一財(cái)季扭虧為盈。財(cái)報(bào)顯示，美光第一財(cái)季實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2。04億美元，合每股收益23美分。去年同期，美光虧損7。18億美元，合每股

半導(dǎo)體
2009-12-25

NAND閃存 BSP APPLE 美光
存儲(chǔ)器價(jià)格回溫美光虧損11季后首度獲利

美國(guó)存儲(chǔ)器大廠(chǎng)美光(Micron)公布2010會(huì)計(jì)年度第1季(2009年9~11月)財(cái)報(bào)，由于存儲(chǔ)器價(jià)格回溫，因此在連續(xù)虧損11季之后，終于由虧轉(zhuǎn)盈。第1季營(yíng)收為17。4億美元，較2009年度同期成長(zhǎng)約24%。凈利為2。04億美元，每股盈余

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2009-12-24

DRAM 存儲(chǔ)器 APPLE 美光
美光公司將轉(zhuǎn)板納斯達(dá)克上市

美光科技股份有限公司近日宣布將自愿從紐約證券交易所轉(zhuǎn)至納斯達(dá)克OMX集團(tuán)旗下的納斯達(dá)克全球精選市場(chǎng)上市，自2009年12月30日起正式生效。Micron股票仍將使用"MU"作為交易代碼。美光科技的董事長(zhǎng)兼CEO Steve Appleto

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-12-22

納斯達(dá)克 MX 美光美光科技
集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收季增率高達(dá)40.7％

根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠(chǎng)商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價(jià)在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價(jià)也在合約價(jià)的帶動(dòng)下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價(jià)格大漲，亦帶動(dòng)DDR2合約價(jià)格的漲勢(shì)，且

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2009-11-06

DRAM 三星 DDR3 美光

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美光

美光簽署新協(xié)議擴(kuò)大對(duì)西安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資

美光擴(kuò)大對(duì)西安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資

封測(cè)需求增力成華東受惠

英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

40納米成DRAM廠(chǎng)流行口號(hào)

DRAM走出黑暗年底陽(yáng)光燦爛

DRAM走出黑暗年底陽(yáng)光燦爛

英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

機(jī)臺(tái)交期延DRAM廠(chǎng)制程微縮絆腳石

機(jī)臺(tái)交期延　DRAM廠(chǎng)制程微縮絆腳石

DRAM忙擴(kuò)產(chǎn) 封測(cè)漲價(jià)在即

美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米4大DRAM陣營(yíng)火藥味濃

南亞科擴(kuò)建12寸廠(chǎng)全球市占挑戰(zhàn)10%

爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光

美光爭(zhēng)取華亞科主導(dǎo)權(quán)　臺(tái)塑拒絕成瑞晶翻版

美光第一財(cái)季扭虧盈利2.04億美元

存儲(chǔ)器價(jià)格回溫美光虧損11季后首度獲利

美光公司將轉(zhuǎn)板納斯達(dá)克上市

集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收季增率高達(dá)40.7％

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