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華為稀缺旗艦手機再度開賣了，華為5G麒麟有望獲新生 ！
沒有5G的華為手機，就算是搭載麒麟芯片，給消費者的感覺依然有一些缺憾。華為稀缺旗艦手機華為Mate40Pro，從上市以來就一直處于需要搶購的狀態(tài)，經(jīng)常是就算加價也一機難求。
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新I/O技術有望成為實現(xiàn)3D芯片堆疊的最佳路徑
【導讀】低成本有機基板搭配新的I/O技術有望成為實現(xiàn)3D芯片堆疊的最佳路徑，NVIDIA公司首席科學家兼研發(fā)副總裁William Dally表示。 摘要： 低成本有機基板搭配新的I/O技術有望成為實現(xiàn)3D芯片堆疊的最佳路徑，NVI
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3D芯片封測準備就緒但成本需降低
近日消息，來自全球11個國家、超過200位的半導體封裝技術專家，近日齊聚一堂探討能有助于維持半導體技術創(chuàng)新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術;專家們的結(jié)論是， 3D芯片堆疊技術已經(jīng)準備就緒，但有需要再進一步降
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硅通孔的3D芯片堆疊并非最新技術
據(jù)報道，目前最先進的技術應該是使用硅通孔的3D芯片堆疊，幾乎主要的半導體公司都在研究這種技術。去年舉行的國際固態(tài)電路會議上，三星公開宣布了其2.5D技術，據(jù)稱這種2.5D技術非常適合位于在系統(tǒng)級芯片上進行帶硅通
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3D芯片堆疊并非最新技術
據(jù)報道，目前最先進的技術應該是使用硅通孔的3D芯片堆疊，幾乎主要的半導體公司都在研究這種技術。 去年舉行的國際固態(tài)電路會議上，三星公開宣布了其2.5D技術，據(jù)稱這種2.5D技術非常適合位于在系統(tǒng)級芯片上進行帶硅
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GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具以實現(xiàn)20nm及更尖端工藝的3D芯片堆疊
GLOBALFOUNDRIES日前宣布，在為新一代移動和消費電子應用實現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術平臺上的半導體
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3D芯片堆疊時代即將到來？GF晶圓廠更新
GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎的下一代移動和消費應用芯片制造道路上達成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司
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3D芯片堆疊技術現(xiàn)狀
盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術到底有沒有可能付諸實用，而且這項技術的實際發(fā)展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段
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3D芯片堆疊漸流行！GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具以實現(xiàn)20納米及3D芯片堆疊
GLOBALFOUNDRIES今天宣布，在為新一代移動和消費電子應用實現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術平臺上的半導體
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GLOBALFOUNDRIES將啟用3D芯片堆疊技術
公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎的下一代移動和消費應用芯片制造道路上達成重要的里程碑。表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司領先的20nm技術平臺，在半導體晶圓處
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GLOBALFOUNDRIES將啟用3D芯片堆疊技術
【IT168 資訊】GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎的下一代移動和消費應用芯片制造道路上達成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊
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GLOBALFOUNDRIES Fab 8實現(xiàn)20納米的3D芯片堆疊
21ic訊 GLOBALFOUNDRIES日前宣布，在為新一代移動和消費電子應用實現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術平臺上
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GLOBALFOUNDRIES Fab8晶圓廠啟用3D芯片堆疊技術
GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎的下一代移動和消費應用芯片制造道路上達成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司
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3D芯片堆疊技術現(xiàn)狀
盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術到底有沒有可能付諸實用，而且這項技術的實際發(fā)展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段
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半導體業(yè)界呼吁半年內(nèi)制定出3D芯片堆疊標準
一位高通（Qualcomm）公司的主管稍早前表示，若要在2013年如期量產(chǎn)3D芯片，就必須在半年內(nèi)制定出3D芯片堆疊標準?！ 『孟⑹荍EDEC在今年一月初公布了對移動應用處理器來說至關重要的Wide I/O存儲器初始標準。壞
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先進3D芯片堆疊的精細節(jié)距微凸點互連
電子工業(yè)越來越關注采用硅通孔（TSV）的高密度3D集成，以便應對未來世代IC不斷增長的提高微細化和性能的產(chǎn)品需求。這引起了用傳統(tǒng)引線鍵合芯片堆疊封裝無法達到的高帶寬連接。3D集成要求如芯片-芯片（D2D）或芯片-晶
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臺積電或搶先英特爾一步推出3-D芯片堆疊產(chǎn)品
據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片代工巨頭臺積電（TSMC）有望超過intel，在2011年底推出業(yè)內(nèi)首款采用3-D芯片堆疊技術的半導體芯片產(chǎn)品。 TAITRA的報告援引了一則匿名消息： Intel曾于今年5月表示，他們將于
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臺積電或搶先英特爾一步推出3-D芯片堆疊產(chǎn)品
據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片代工巨頭臺積電（TSMC）有望超過intel，在2011年底推出業(yè)內(nèi)首款采用3-D芯片堆疊技術的半導體芯片產(chǎn)品。 TAITRA的報告援引了一則匿名消息： Intel曾于今年5月表示，他們將于
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臺積電年底有望推出首款3D芯片
據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片業(yè)代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業(yè)內(nèi)首款采用3D芯片堆疊技術的半導體芯片產(chǎn)品。Intel 則曾于今年五月份表示，他們將于今年年底前開始量產(chǎn)結(jié)合了三門晶體管技術(臺
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臺積電年底有望推出首款3D芯片 能耗可降低50%
臺積電年底有望推出首款3D芯片 能耗可降低50%
