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臺積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術(shù)藍圖 預(yù)計2010年第三季進行試產(chǎn)
臺積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術(shù)藍圖，預(yù)計于2010年第三季進行試產(chǎn)(Risk Production)。臺積電自2008年九月發(fā)表28納米技術(shù)以來，技術(shù)的發(fā)展與進入量產(chǎn)的時
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CMOS集成電路潛在缺陷的最小電壓檢測
引 言有潛在缺陷的芯片有可能通過生產(chǎn)測試，但是在實際應(yīng)用中卻會引起早期失效的問題，進而引起質(zhì)量問題。為了避免這個問題，就需要在產(chǎn)品賣給客戶之前檢測出這種有問題的芯片。一般的檢測技術(shù)包括Burn—in、IDDQ測試
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日本家電賣場將首次涉足二手手機銷售業(yè)務(wù)
據(jù)日本共同社報道，日本大型家電賣場“上新電機”18日宣布正式涉足二手手機銷售業(yè)務(wù)。據(jù)該公司透露，大型賣場銷售二手手機尚屬首次。報道稱，上新電機計劃于21日開始在關(guān)西地區(qū)的主要店鋪啟動手機收購及以
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水晶燈潮流趨勢：個性化定制受追捧
“目前，水晶燈仍然在扮演著它應(yīng)有的角色，雖然價格貴，但倍受高端客戶青睞。優(yōu)質(zhì)的國產(chǎn)一級水晶，由于價格便宜且質(zhì)量與進口水晶差別無幾，一直受到消費者的追寵?！敝幸馑粼O(shè)計師蘇盛昌深諳時下水晶燈的潮流趨勢
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三維電子晶體制造新工藝問世
日本京都大學大學院工學研究科的一個研究小組日前發(fā)布消息稱,他們開發(fā)出一種能夠大大縮短三維電子晶體制造時間的新工藝.三維電子晶體是一種能自由操縱光的新 型材料,可用來高速處理光信號以及制造超小型光集成電路片
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三維電子晶體制造新工藝問世
日本京都大學大學院工學研究科的一個研究小組發(fā)布消息稱,他們開發(fā)出一種能夠大大縮短三維電子晶體制造時間的新工藝.三維電子晶體是一種能自由操縱光的新 型材料,可用來高速處理光信號以及制造超小型光集成電路片,在下
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EVG開發(fā)出芯片與晶圓鍵合新方法，大幅度縮短層疊芯片的時間
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">奧地利EV Group（EVG）開發(fā)出了在采用TSV（硅通孔）的3維層疊上低成本實現(xiàn)芯片與晶圓鍵合的技術(shù)。該方法能夠大幅縮
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阻抗測量方法在傳感器技術(shù)中的應(yīng)用
實際應(yīng)用中的電路元件要比理想電阻復(fù)雜得多，并且呈現(xiàn)出阻性、容性和感性特性，它們共同決定了阻抗特性。阻抗與電阻的不同主要在于兩個方面。首先，阻抗是一種交流(AC)特性；其次，通常在某個特定頻率下定義阻抗
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非離子型活性劑在ULSl堿性Cu拋光液中的性能
使用四種非離子表面活性劑分別添加到以SiO2水溶膠為磨料、H202為氧化劑的堿性Cu拋光液中進行拋光實驗。結(jié)果表明，所選用的非離子型表面活性劑對材料去除率的影響不大，當烷基酚聚氧乙烯醚在質(zhì)量分數(shù)為0．25％時，拋光表面質(zhì)量提高，表面粗糙度(Ra)由1．354 nm下降到了0．897 6 nm，同時有效地減輕了Cu拋光表面的劃痕和腐蝕，其原因是聚氧乙烯鏈可以通過醚鍵與水分子形成氫鍵，在聚氧乙烯周圍形成一層溶劑化的水膜保護了被吸附表面。
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DoCoMo演示觸覺通信 有LTE就可以實現(xiàn)(圖)
NTT DoCoMo在Wireless Japan 2009上演示了通過網(wǎng)絡(luò)實時傳輸物體的手感及硬度等信息的“觸覺媒體”技術(shù)。這是“觸覺反饋”的一種，其特點是能夠跨越有延遲的網(wǎng)絡(luò)傳輸包括沖擊力等在內(nèi)的各種力學感
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巴斯夫拓展與IMEC為半導(dǎo)體行業(yè)開發(fā)工藝化學品
巴斯夫與歐洲領(lǐng)先的獨立納米技術(shù)研究機構(gòu)比利時弗拉芒校際微電子研究中心(IMEC)今天宣布繼續(xù)拓展聯(lián)合研發(fā)項目。作為進一步合作的領(lǐng)域之一，雙方計劃研發(fā)工藝化學品，這將提高半導(dǎo)體生產(chǎn)中的清洗化學品的性能。研究工
