臺積電作為全球最大的代工合同制造商,臺積電的主要客戶包括蘋果,高通和華為。預估計,臺積電明年開始風險生產3nm工藝節(jié)點。今年,蘋果和華為將分別交付其最先進的芯片,分別為A14 Bionic和HiSilicon Kirin 1020。
在7月16日舉行的臺積電第二季度業(yè)績說明會上,臺積電宣布,預計將于2021年上半年進行3nm的風險量產,2022年正式量產。
Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多,但是說起半導體前沿技術研究和儲備,Intel的實力仍是行業(yè)數(shù)一數(shù)二的。 在近日的國際超大規(guī)模集成電路會議上,Intel首席技術官、Intel實驗室總監(jiān)Mi
6月28日消息,據(jù)臺灣媒體報道,臺積電近日發(fā)布報告,公布了該公司去年研發(fā)方面的相關數(shù)據(jù)。 臺積電 臺積電去年全年研發(fā)費用為29億5,900萬美元,較前一年增長約4%,約占總營收8.5%。 臺積電研發(fā)
作為國內最大也是最重要的晶圓代工廠,中芯國際SMIC回歸A股只用了18天就過會了,創(chuàng)造了國內最快紀錄,由此可見他們是多么地受重視,畢竟他們是唯一一家量產了14nm工藝的國產晶圓廠。 與臺積電、三星等公
據(jù)臺灣電子時報報道,由于美國對華為實施了新的貿易制裁,臺積電2020年的業(yè)務表現(xiàn)面臨越來越多的不確定性,由此引發(fā)了市場猜測,這家代工巨頭是否會下調其2020年甚至是2021年的資本支出。 在今年4月的
1月16日,臺積電公司在2019年度Q4季度說法會上表示,Q4季度營收為103.9億美元,季增10.6%,年增10.6%,全年營收達346.32億美元,年增3.7%,稅后純了利潤為111.75億美元,
北京時間1月2日晚間消息,據(jù)韓國媒體報道,三星電子事實上的領導人李在镕(Lee Jae-yong)今日討論了三星利用全球首個3納米工藝制造芯片的戰(zhàn)略計劃。 該報道稱,李在镕今日參觀了三星電子位于京畿道
由于眾所周知的原因,美國正在收緊高科技的出口,日前美國政府制定了一份新的高科技出口禁令,包括量子計算機、3D打印及GAA晶體管技術等在內,這其中GAA晶體管技術是半導體行業(yè)的新一代技術關鍵。 大家都知
隨著高通驍龍865使用臺積電N7+工藝量產,臺積電的7nm工藝又多了一個大客戶,盡管三星也搶走了一部分7nm EUV訂單,不過整體來看臺積電在7nm節(jié)點上依然是搶占了最多的客戶訂單,遠超三星。 接下來
雖然半導體工藝提升越來越困難,但是被譽為天字一號代工廠的臺積電,這幾年卻仿佛打了雞血,進展神速,讓Intel、三星都望塵莫及。 現(xiàn)在,臺積電7mm工藝已經大范圍普及,幾乎成為旗艦乃至主流芯片的標配,率
在三星上周紙面預覽了其3nm工藝后,臺積電也毫不示弱,業(yè)內人士稱,臺積電年底前會敲定南部科技園的30公頃土地(30萬平米),隨后啟動3nm晶圓廠的建設。 目前,臺積電的12寸超大晶圓廠有六座,分別是總
盡管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產,但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議,公布了旗下新一代工藝的進展,其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。 三星在10n
隨著三星加快7nm EUV工藝量產,臺積電領先了一年的7nm先進工藝今年會迎來激烈競爭,IBM、NVIDIA以及高通都要加入三星的7nm EUV陣營了。 在先進工藝路線圖上,臺積電的7nm去年量產,7
本月4日起,日本宣布管制對韓國出口光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫這三種重要原材料,此舉使得韓國面板、半導體兩大支柱行業(yè)面臨危機,三星等公司更是急于獲得穩(wěn)定的原料來源,否則旗下的存儲芯片、面板生產都會停產
如今在半導體工藝上,臺積電一直十分激進,7nm EUV工藝已經量產,5nm馬上就來,3nm也不遠了。 臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露,臺積電的N3 3nm工
盡管 10 nm 以下芯片制造工藝的突破已經愈加艱難,但以臺積電為代表的業(yè)內領先企業(yè),并沒有因此而放緩研發(fā)的步伐。該公司上周表示,其 3nm 工藝的開發(fā)進展順利。目前看來,臺積電已經摸清了道路,且已經開始接觸早期客戶。在面向投資者和金融分析師的電話會議上,臺積電首席執(zhí)行官兼聯(lián)合主席 CC Wei 宣布了這一消息。
在先進制程的發(fā)展上,臺積電與三星一直有著激烈的競爭。雖然,臺積電已經宣布將在 2020 年正式量產 5 納米制程。不過,三星也不甘示弱,預計透過新技術的研發(fā),在 2021 年推出 3 納米制程的產品。根據(jù)三星表示,其將推出的 3 納米制程產品將比當前的 7 納米制程產品效能提升 35%,能耗也再降低 50%,而且芯片的面積也再減少 45%。
導語:近日,三星在Samsung Foundry Forum大會上,宣布了一個重磅炸彈,那就是其3nm Gate-All-Around(GAA)工藝已經在開發(fā)中了,與7nm技術相比,三星的3GAE工藝將減少45%
為了彌補存儲芯片降價周期帶來的影響,三星早就開始強化代工業(yè)務了,要趕超臺積電,而這就要跟后者搶先進工藝量產時間了。根據(jù)三星高管所說,他們今年下半年會量產7nm EUV工藝,2021年則會量產更先進的3nm GAA工藝。