根據(jù)國(guó)家發(fā)改委官網(wǎng)公告,3月27日,國(guó)家發(fā)展改革委主任鄭柵潔會(huì)見(jiàn)美國(guó)蘋(píng)果公司首席執(zhí)行官庫(kù)克一行。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道,高通公司的驍龍 8 Gen 4 處理器將由臺(tái)積電的 N3E 工藝量產(chǎn),即臺(tái)積電的第二代 3nm 制程工藝,這將為其帶來(lái)更高的性能以及更低的功耗。
近日,市場(chǎng)傳出臺(tái)積電為應(yīng)對(duì)成本上漲,計(jì)劃在下半年調(diào)整晶圓代工報(bào)價(jià)。這也是在半導(dǎo)體寒冬之后,晶圓代工費(fèi)用再次上漲,不過(guò)針對(duì)此消息,臺(tái)積電并沒(méi)有發(fā)表說(shuō)法。
盡管只是3月份,但最近關(guān)于蘋(píng)果A17處理器的爆料接踵而至,GeekBench跑分甚至已有兩輪。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息,近日天風(fēng)國(guó)際證券分析師郭明錤發(fā)表信息表示,全新一代的A17仿生芯片不出意外的話將出現(xiàn)在iPhone 15系列的兩個(gè)Pro版本上,該芯片將采用目前最先進(jìn)的3nm制程工藝,晶體管密度提升70%。
1 月 12 日消息,據(jù)臺(tái)媒中央社報(bào)道,臺(tái)積電 3 納米(N3)去年第四季度量產(chǎn),升級(jí)版 3 納米(N3E)制程將于今年第三季度量產(chǎn),預(yù)估今年 3 納米及升級(jí)版 3 納米將貢獻(xiàn)約 4% 至 6% 的營(yíng)收。魏哲家指出,3 納米及升級(jí)版 3 納米今年合計(jì)將貢獻(xiàn)中個(gè)數(shù)百分比(約 4% 至 6%)營(yíng)收,營(yíng)收貢獻(xiàn)將高于 5 納米制程量產(chǎn)第一年的貢獻(xiàn)。
為展現(xiàn)繼續(xù)在臺(tái)灣深耕的決心,晶圓代工龍頭臺(tái)積電今日在南部科學(xué)園區(qū)晶圓18 廠新建工程基地舉行3nm量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮。臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音表示,目前3nm良率與5nm量產(chǎn)同期相當(dāng),已大量生產(chǎn),市場(chǎng)需求非常強(qiáng)勁,預(yù)計(jì)每年帶來(lái)的收入都會(huì)大于同期的5nm。
2023年1月消息,據(jù)Semiwiki報(bào)道,臺(tái)積電在 2022 年 IEDM 上發(fā)表了兩篇關(guān)于 3nm 的論文:“關(guān)鍵工藝特性可實(shí)現(xiàn)3nm CMOS及更高技術(shù)的激進(jìn)接觸柵極間距縮放”和“3nm CMOS FinFlex為移動(dòng)SOC和高性能計(jì)算應(yīng)用提供增強(qiáng)的能效和性能的平臺(tái)技術(shù)”。
在三星宣布量產(chǎn)3nm GAA工藝半年之后,2022年12月29日,晶圓代工龍頭臺(tái)積電正式在南部科學(xué)園區(qū)晶圓18 廠新建工程基地舉行了3nm(N3)量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮,宣布其3nm正式量產(chǎn)。但是臺(tái)積電并未公布其3nm的良率,僅表示目前其3nm良率與5nm量產(chǎn)同期相當(dāng)。
1月10日消息,根據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)的報(bào)導(dǎo),市場(chǎng)消息人士表示,三星目前已經(jīng)大幅提高了其最尖端的3nm制程的良率與產(chǎn)量,用以相抗衡也已正式大規(guī)模量產(chǎn)3nm制程的晶圓代工龍頭臺(tái)積電。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道,臺(tái)積電上周曾表示3nm需求強(qiáng)勁,2023年將不畏全球半導(dǎo)體衰退并逆勢(shì)增長(zhǎng);昨日臺(tái)積電股價(jià)大漲12.5%,單日市值增加1297億新臺(tái)幣。
此前,三星早在6月份就已經(jīng)宣布開(kāi)啟3納米工藝制程生產(chǎn),而臺(tái)積電在原先的規(guī)劃中打算在9月正式量產(chǎn),但是因?yàn)橐恍┰蜓悠诘?2月份。
韓媒近日在報(bào)道中表示,在臺(tái)積電開(kāi)始量產(chǎn)3nm制程芯片的時(shí)間點(diǎn),三星電子已經(jīng)大幅提高了3nm制程芯片的生產(chǎn)良率,已經(jīng)達(dá)到了完美水準(zhǔn),同時(shí)認(rèn)為臺(tái)積電的3nm制程良率不超過(guò)50%。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息,上周臺(tái)積電在南部科學(xué)園區(qū)晶圓18廠新建工程基地舉行3nm量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮,臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音表示,目前3nm良率與5nm量產(chǎn)同期相當(dāng)并大量排產(chǎn),而且市場(chǎng)需求非常強(qiáng)勁,預(yù)計(jì)每年帶來(lái)的收入都會(huì)大于同期的5nm。
臺(tái)積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝,這是當(dāng)前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝,然而3nm這樣的工藝不僅成本極高,同時(shí)SRAM內(nèi)存還有無(wú)法大幅微縮的挑戰(zhàn),國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片,是全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC。
據(jù)悉,12月29日臺(tái)積電將在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的晶圓18廠新建工程基地,舉行3nm量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮,南科18廠是5nm及3nm生產(chǎn)基地,其中第五至九期廠房將投入量產(chǎn)3nm工藝。
據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電準(zhǔn)備開(kāi)始量產(chǎn)3nm芯片,蘋(píng)果作為臺(tái)積電的重要客戶將首先受益。
昨天,臺(tái)積電向業(yè)內(nèi)發(fā)出邀請(qǐng),本周將在臺(tái)灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)舉辦3nm量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮。
這一代的NVIDIA GPU,在數(shù)據(jù)中心和游戲顯卡,分別采用Hopper和Ada Lovelae兩套核心架構(gòu)。
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日,Intel副總裁兼技術(shù)開(kāi)發(fā)主管Ann·Kelleher在美國(guó)舊金山舉行的新聞發(fā)布會(huì)上透露,Intel將開(kāi)始量產(chǎn)4nm制程工藝并在明年下半年進(jìn)入3nm制程,未來(lái)有望重新奪回工藝領(lǐng)先地位。