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看三星半導(dǎo)體工藝路線圖！明年5nm，后年3nm！
隨著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進(jìn)半導(dǎo)體工藝研發(fā)、投資，全球有能力研發(fā)7nm及以下工藝的半導(dǎo)體公司就只剩下英特爾、臺(tái)積電及三星了，不過(guò)英特爾可以排除在代工廠之外，其他無(wú)晶圓公司可選的只
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臺(tái)積電邁向3nm進(jìn)程 投資6000億新臺(tái)幣建廠
臺(tái)灣地區(qū)環(huán)保部門(mén)15日初審?fù)ㄟ^(guò)臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開(kāi)發(fā)暨原一期基地變更計(jì)劃環(huán)差案，該案主要是科技部因應(yīng)臺(tái)積電3nm廠投資計(jì)劃提出環(huán)境差異分析報(bào)告。臺(tái)積電預(yù)計(jì)投資逾6000億元新臺(tái)幣(約合195億美元)以上興建3nm廠，2020年動(dòng)工，最快2022年底量產(chǎn)。
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臺(tái)積電預(yù)投195億美元興建3nm廠
根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電3nm案預(yù)計(jì)使用南科28公頃用地，并緊臨臺(tái)積電5nm廠，科技部預(yù)訂在2020年中交地給臺(tái)積電蓋廠房。
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臺(tái)媒：臺(tái)積電計(jì)劃2022年開(kāi)始量產(chǎn)3nm芯片
臺(tái)積電在8月14日宣布，公司董事會(huì)已批準(zhǔn)了一項(xiàng)約45億美元的資本預(yù)算。未來(lái)將會(huì)使用該預(yù)算來(lái)修建新的晶圓廠，而現(xiàn)在中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電計(jì)劃2020年開(kāi)始建造3nm制程的晶圓廠，希望能夠在2022年實(shí)現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)。
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線寬微縮總有極限 集成電路仍有發(fā)展空間
半導(dǎo)體工藝的線寬微縮總有一個(gè)極限，這也意味著指導(dǎo)半導(dǎo)體業(yè)界發(fā)展50多年的摩爾定律終歸有失效的時(shí)候，目前公認(rèn)的說(shuō)法是3nm以下就不再起作用了。不過(guò)線寬微縮只是集成電路發(fā)展的一個(gè)方向，集成電路依然有別的突破口。
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三星計(jì)劃2021年量產(chǎn)采用3nm制程節(jié)點(diǎn)的GAA電晶體
三星重申計(jì)畫(huà)在今年下半年開(kāi)始使用EUV微影技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的計(jì)劃，它將采用其7nm Low Power Plus制程進(jìn)行制造。三星預(yù)計(jì)將成為第一家將業(yè)界多年來(lái)寄予厚望的EUV投入商業(yè)化生產(chǎn)的晶片制造商。臺(tái)積電和Globalfoundries宣布計(jì)畫(huà)于2019年開(kāi)始使用EUV進(jìn)行商業(yè)化生產(chǎn)。
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Imec 與 Cadence 成功流片首款 3nm 測(cè)試芯片
全球領(lǐng)先的納米電子與數(shù)字技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新中心 imec 與楷登電子(美國(guó) Cadence 公司)今日聯(lián)合宣布，得益于雙方的長(zhǎng)期深入合作，業(yè)界首款 3nm 測(cè)試芯片成功流片。
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聯(lián)發(fā)科：摩爾定律的極限為3nm
摩爾定律是半導(dǎo)體的經(jīng)典理論之一，提出者是Intel聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾，他斷言“大約每?jī)赡?，晶體管密度就會(huì)增加1倍”。在今年9月份的“精尖制造日”上，Intel對(duì)外重申，摩爾定律在可觀察的未來(lái)都不會(huì)失效。同時(shí)，他們還將摩爾定律解釋為一種經(jīng)濟(jì)視角，即每?jī)赡?，單位晶體管的成本會(huì)縮減1半。
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臺(tái)積電已考慮3nm工藝，工廠將在臺(tái)灣地區(qū)建造
臺(tái)積電已經(jīng)成立30年了，之前我們也看到，蘋(píng)果的COO也出席了臺(tái)積電成立30周慶典，而杰夫·威廉姆斯還贊揚(yáng)了該企業(yè)與蘋(píng)果開(kāi)發(fā)A11仿生芯片之間的親密關(guān)系。 說(shuō)到A11仿
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臺(tái)積電擬斥資逾超200億美元建3納米工廠
臺(tái)積電（TSMC）要穩(wěn)坐產(chǎn)業(yè)龍頭位置，付出的成本將變得愈來(lái)愈高了。
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勢(shì)不可擋！臺(tái)積電宣布建設(shè)3nm晶圓廠
作為業(yè)界代工行業(yè)的領(lǐng)頭羊，臺(tái)積電之前就已經(jīng)宣布即將投產(chǎn)7nm制程工藝，而現(xiàn)在臺(tái)積電又宣布將會(huì)在臺(tái)灣建設(shè)全新的3nm晶圓廠，開(kāi)始沖擊半導(dǎo)體的物理極限。
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要想留住臺(tái)積電3nm廠，這些問(wèn)題不解決是不行滴
據(jù)了解，臺(tái)積電最尖端的3納米新廠擴(kuò)建計(jì)劃雖然要到明年上半年才會(huì)公布設(shè)廠地點(diǎn)，惟仍有環(huán)評(píng)、電力、用水、設(shè)廠地點(diǎn)等四大問(wèn)題需要政府盡速解決。
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臺(tái)積電自曝3nm工藝：首選臺(tái)灣 其次美國(guó)
作為全球第一大代工廠，臺(tái)積電無(wú)疑是臺(tái)灣的驕傲，但因?yàn)榉N種原因，臺(tái)積電正在考慮赴美建廠，尤其是未來(lái)的3nm工藝，有消息稱(chēng)很可能要移師美國(guó)，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀也曾明說(shuō)不排除在美國(guó)建廠的可能。不過(guò)今天，臺(tái)積電
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臺(tái)積電打算興建晶圓廠 目標(biāo)2022年率先導(dǎo)入3nm
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)表示，該公司打算興建下一座晶圓廠，目標(biāo)是在2022年領(lǐng)先市場(chǎng)導(dǎo)入5納米到3納米制程節(jié)點(diǎn)。
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臺(tái)積電投資5千億在3nm，5nm制程，或?qū)⒂?022年量產(chǎn)
近日，臺(tái)積電新聞發(fā)言人表示，新生產(chǎn)設(shè)施的投資額超過(guò)5000億元新臺(tái)幣(157億美元)，新工廠將能生產(chǎn)全世界最先進(jìn)的芯片。
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