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美版4nm工藝！AMD首次在美國(guó)臺(tái)積電生產(chǎn)Zen5 EPYC
4月15日消息，除了宣布首次采用臺(tái)積電N2 2nm級(jí)工藝制造Zen6架構(gòu)的下代Venice EPYC處理器，AMD還意外宣布，首次完成了“AMD EPYC芯片美國(guó)制造”。
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替代高通！華為暢享80回歸麒麟平臺(tái)
12月25日消息，博主數(shù)碼閑聊站爆料，華為最快會(huì)在1月份推出暢享80系列新品，該系列搭載麒麟7系平臺(tái)，替代高通驍龍芯片。
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高通高端PC芯片驍龍X Elite參數(shù)曝光：性能兩倍提升
10月23日消息，前不久高通宣布了其為PC設(shè)計(jì)的下一代芯片計(jì)劃，正式推出了全新命名體系——驍龍X系列。
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高通官宣驍龍X系列芯片：對(duì)標(biāo)酷睿i9
10月11日消息，高通今天宣布了其為PC設(shè)計(jì)的下一代芯片計(jì)劃，正式推出了全新命名體系——驍龍X系列。
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臺(tái)積電擬向美國(guó)鳳凰城工廠再增資 45 億美金
業(yè)內(nèi)最新消息，昨天臺(tái)灣投審會(huì)通過(guò)了臺(tái)積電以 45 億美金增資位于美國(guó)亞利桑那鳳凰城的工廠，作為包含運(yùn)營(yíng)資金在內(nèi)等 8 項(xiàng)主要投資項(xiàng)目，這是臺(tái)積電時(shí)隔半年后向該工廠的再次增資，上次是今年 3 月首次向該廠增資約 35 億美金。
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高通聯(lián)合NXP等推RISC-V汽車芯片
8月6日消息，在CPU領(lǐng)域，x86、Arm兩大架構(gòu)占據(jù)了高性能及低功耗市場(chǎng)，但是RISC-V憑借開放、免費(fèi)的優(yōu)勢(shì)成為第三大架構(gòu)，而且不斷侵蝕Arm市場(chǎng)，現(xiàn)在高通聯(lián)合多家公司共推RISC-V架構(gòu)汽車芯片，進(jìn)一步掏空Arm。
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韓媒：三星 3nm、4nm 制程良率已達(dá) 60%、75%！
韓國(guó)媒體最新報(bào)導(dǎo)，三星的 3nm、4nm 制程工藝良率已從年初的大約五成迅速提升至 60% 和 75%，更先進(jìn)的 2nm 制程也在加急與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，晶圓代工事業(yè)不斷追趕臺(tái)積電，后續(xù)將準(zhǔn)備搶臺(tái)積電的先進(jìn)制程訂單。
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高通發(fā)布全新驍龍 4 Gen 2，放棄臺(tái)積電采用三星 4nm！
據(jù)業(yè)內(nèi)信息，本周高通公司正式發(fā)布新一代入門級(jí)移動(dòng)芯片組驍龍(Snapdragon) 4 Gen 2，據(jù)說(shuō)本次將放棄了上一代的臺(tái)積電 6nm 工藝，而采用三星代工 4nm 工藝，業(yè)內(nèi)分析人士認(rèn)為該芯片將為入門級(jí)智能手機(jī)市場(chǎng)帶來(lái)較大性能升級(jí)。
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高通發(fā)布二代驍龍4：升級(jí)4nm
6月27日消息，高通今天正式發(fā)布了第二代驍龍4移動(dòng)平臺(tái)(驍龍4 Gen2)，為入門級(jí)智能手機(jī)帶來(lái)了新工藝、更高頻率、更快內(nèi)存與存儲(chǔ)、更強(qiáng)基帶。
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采用臺(tái)積電 4nm 工藝，聯(lián)發(fā)科發(fā)布全新旗艦芯片天璣 9200+
據(jù) 21ic 獲悉，昨天聯(lián)發(fā)科召開新品發(fā)布會(huì)，推出了全新的旗艦芯片天璣 9200+，該芯片在天璣 9200 基礎(chǔ)上采用了臺(tái)積電最新的 4nm 制程工藝打造，提升了 CPU/GPU 主頻以獲得更高性能。
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三星 4nm 制程工藝良率提升，蘋果或?qū)呐_(tái)積電轉(zhuǎn)移部分訂單
據(jù) 21ic 業(yè)內(nèi)獲悉，近日三星的晶圓代工事業(yè) 4nm 制程工藝良率提升較為明顯，韓國(guó)媒體報(bào)道其良率已經(jīng)接近臺(tái)積電。據(jù)稱該信息已經(jīng)引起蘋果在內(nèi)部會(huì)議中的關(guān)注，鑒于三星的的優(yōu)惠價(jià)格以及目前臺(tái)積電的訂單壟斷，蘋果或?qū)⒖紤]將部分晶圓代工訂單轉(zhuǎn)單三星。
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臺(tái)積電 3nm 工藝良率 63%，正在追趕自家 4nm 良率
據(jù) 21ic 信息報(bào)道，臺(tái)積電的第一代 3nm 工藝(N3)仍采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管架構(gòu)制程工藝，在去年最后的幾天在南科廠正式投入開始商業(yè)量產(chǎn)，隨后產(chǎn)能在不斷提升。有報(bào)道稱已經(jīng)量產(chǎn)了一個(gè)季度的臺(tái)積電 3nm(N3)制程工藝目前的良率約為 63%，正在追趕自家 4nm 良率。
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4nm工藝，三星發(fā)布最新5G基帶芯片Exynos 5300
本周，三星發(fā)布旗下最新5G基帶芯片Exynos 5300。
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采用自家 4nm 工藝，三星發(fā)布新調(diào)制解調(diào)器 Exynos 5300
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，昨天三星發(fā)布了新一代的調(diào)制解調(diào)器 Exynos 5300，采用自家 4nm 制程工藝打造。
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臺(tái)積電鳳凰城晶圓廠明年 4nm 量產(chǎn)，高通成首批客戶
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那鳳凰城的晶圓廠預(yù)計(jì)從明年開始量產(chǎn) 4nm，近日高通全球資深副總裁暨首席營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)陳若文表示，高通將是臺(tái)積電鳳凰城晶圓廠 4nm 的首批客戶。
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三星主攻 4nm 制程工藝以求力壓臺(tái)積電
根據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，隨著臺(tái)積電 3nm~5nm 制程工藝的流片和排產(chǎn)，三星半導(dǎo)體在晶圓代工先進(jìn)制程壓力山大，因此準(zhǔn)備在今年上半年開始量產(chǎn)第三代 4nm 制程工藝以求力壓臺(tái)積電。
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高通新品發(fā)布會(huì)定檔：3月17日見 驍龍7+或?qū)⒌菆?chǎng)
高通今日官宣，驍龍移動(dòng)平臺(tái)新品發(fā)布會(huì)將于3月17日正式舉行，預(yù)計(jì)發(fā)布新一代驍龍7系芯片。
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對(duì)標(biāo)高通驍龍8 Gen2 聯(lián)發(fā)科天璣9200超頻版首曝
2月23日消息，博主數(shù)碼閑聊站透露，聯(lián)發(fā)科天璣9200有超頻版本?？紤]到去年聯(lián)發(fā)科推出過(guò)天璣9000的超頻版—天璣9000+，因此，天璣9200的超頻版可能會(huì)命名為天璣9200+。
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采用二代 4nm 工藝，聯(lián)發(fā)科發(fā)布天璣 7200 處理器
據(jù)業(yè)內(nèi)信息，聯(lián)發(fā)科昨天通過(guò)官微發(fā)布天璣 7200 處理器，該處理器采用臺(tái)積電第二代 4nm 制程工藝。
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特斯拉Hardware 4.0將采用臺(tái)積電4nm制程
據(jù)業(yè)內(nèi)消息，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那鳳凰城工廠已經(jīng)得到了來(lái)自特斯拉的4nm自動(dòng)駕駛芯片大單。
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