CMOS

關(guān)注人關(guān)注

我要報錯

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

CMOS單片集成電路MT8816AE各種相關(guān)知識解析方案

1、引言小型會議系統(tǒng)或語音群聊系統(tǒng)是由多路音頻電路組成的.為了使通話井然有序,需要通過音頻交換電路來控制各路音頻信號的輸出。音頻交換電路主要用于完成語音信號的切換。以實現(xiàn)同頻終端的話音通信。經(jīng)對可靠性、經(jīng)

單片機(jī)
2012-06-29

CMOS 單片集成集成電路 MT
AMD明年轉(zhuǎn)產(chǎn)CMOS芯片 SOI將成為歷史

AMD首席技術(shù)官佩珀馬斯特證實，AMD公司從明年開始將全面轉(zhuǎn)為28nm工藝CMOS芯片，而曾立下汗馬功勞的SOI（絕緣硅片工藝）技術(shù)也將成為歷史。十年之前，基于SOI技術(shù)的Athlon64系列產(chǎn)品曾幫助AMD在芯片市場上大獲成功。但

智能硬件
2012-06-27

芯片芯片市場 AMD CMOS
CMOS攝像機(jī),什么是CMOS攝像機(jī)

CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10Lux以下基本沒用，因此大量應(yīng)用的所有攝像機(jī)都是用了

工業(yè)控制
2012-06-26

半導(dǎo)體攝像機(jī) CMOS傳感器 CMOS
索尼向圖像傳感器工廠投資800億日元提高CMOS產(chǎn)量

據(jù)國外媒體報道，索尼宣布，作為提升數(shù)字成像業(yè)務(wù)營收戰(zhàn)略的一部分，索尼將向圖像傳感器工廠投資800億日元(約合9.97億美元)，以提高CMOS成像傳感器產(chǎn)量。在截至3月31日的財年內(nèi)，索尼凈虧損創(chuàng)下歷史新高。公司新任CE

工業(yè)控制
2012-06-25

索尼圖像傳感器數(shù)字成像 CMOS
CMOS攝像機(jī),什么是CMOS攝像機(jī)

CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10Lux以下基本沒用，因此大量應(yīng)用的所有攝像機(jī)都是用了

數(shù)字電源
2012-06-23

半導(dǎo)體攝像機(jī) CMOS傳感器 CMOS
OLEDoS技術(shù)的發(fā)展趨勢與應(yīng)用

以CMOS制程制造具備OLED發(fā)光源，以及可看透的半透明型的雙向微型顯示器，除了應(yīng)用在駕駛的導(dǎo)航資訊提供、軍事的追蹤目標(biāo)之外，也能運(yùn)用作為微型投影的應(yīng)用。來自德國Fraunhofer IPMS光電微系統(tǒng)研究所，所進(jìn)行的HYPOL

顯示光電
2012-06-21

OLED IP DOS CMOS
2013年AMD或?qū)⒂?8nm CMOS芯片制造工藝

6月19日消息，據(jù)媒體報道，AMD公司高級副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變

消費(fèi)電子
2012-06-20

AMD GPU 芯片制造工藝 CMOS
2013年AMD或?qū)⒂?8nm CMOS芯片制造工藝

6月19日消息，據(jù)媒體報道，AMD公司高級副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變

消費(fèi)電子
2012-06-20

AMD GPU 芯片制造工藝 CMOS
圖像傳感器CMOS和CCD優(yōu)劣勢的對比分析

據(jù)悉，隨著數(shù)字網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)的發(fā)展和普及，圖像傳感器正逐漸從CCD獨(dú)大向CCD和CMOS并舉的態(tài)勢轉(zhuǎn)變。先不去探討此觀點的正確性，下面筆者先參照上文中提及的圖像傳感器技術(shù)指標(biāo)，來具體比較CCD和CMOS兩者的優(yōu)劣勢。據(jù)蘇州

工業(yè)控制
2012-06-20

圖像傳感器 CCD CMOS
OLEDoS技術(shù)的發(fā)展趨勢與應(yīng)用

以CMOS制程制造具備OLED發(fā)光源，以及可看透的半透明型的雙向微型顯示器，除了應(yīng)用在駕駛的導(dǎo)航資訊提供、軍事的追蹤目標(biāo)之外，也能運(yùn)用作為微型投影的應(yīng)用。來自德國Fraunhofer IPMS光電微系統(tǒng)研究所，所進(jìn)行的HYPOL

電源-LED驅(qū)動
2012-06-18

OLED IP DOS CMOS
IMEC探討10nm以下制程的不同 CMOS技術(shù)將持續(xù)微縮

在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru

模擬
2012-06-12

ST GEN FINFET CMOS
聯(lián)電與星國微電子開發(fā)CMOS影像感測器TSV技術(shù)

聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布，將合作進(jìn)行應(yīng)用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術(shù)開發(fā)，透過這項技術(shù)，包括智慧手機(jī)、數(shù)位相機(jī)與個人平板電腦等行動電子產(chǎn)品，里面所采用的數(shù)百萬像素影像

工業(yè)控制
2012-06-08

感測器微電子影像 CMOS
IMEC探討10nm以下制程變異，CMOS技術(shù)將持續(xù)微縮

在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru

工業(yè)控制
2012-06-08

ST GEN CMOS
一種新型高速CMOS全差分運(yùn)算放大器設(shè)計

摘要：設(shè)計了一種基于流水線模／數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用的低壓高速CMOS全差分運(yùn)算放大器。該運(yùn)放采用了折疊式共源共柵放大結(jié)構(gòu)與一種新型連續(xù)時間共模反饋電路相結(jié)合以達(dá)到高速度及較好的穩(wěn)定性。設(shè)計基于SMIC 0．25μm CM

模擬
2012-06-08

運(yùn)算放大器放大器設(shè)計 BSP CMOS
IMEC探討10nm以下制程變異

在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru

消費(fèi)電子
2012-06-08

ST GEN FINFET CMOS
聯(lián)電與新加坡合作開發(fā)新一代CMOS影像感測器TSV技術(shù)

聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)與新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research，A*Star)旗下之微電子研究院(Institute of Microelectronics，IME)日前共同宣布，雙方已協(xié)議合作進(jìn)行應(yīng)用于背面照度式

模擬
2012-06-08

感測器影像新加坡 CMOS
驅(qū)動容性負(fù)載的動態(tài)功耗分析

邏輯電路每一次跳變，都要消耗超過它正常靜態(tài)功耗之外的額外的額外功率。當(dāng)以一個恒定速率循環(huán)時，動態(tài)功耗等于功耗=周期頻率*每個周期額外的功率動態(tài)功耗最常見的兩個起因是負(fù)載電容和疊加的偏置電流。圖2.2說明了驅(qū)

模擬
2012-06-06

電阻驅(qū)動電路 BSP CMOS
IMEC探討10nm以下制程變異

在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru

模擬
2012-06-06

ST GEN FINFET CMOS
聯(lián)電攜手新加坡IME開發(fā)TSV技術(shù)CMOS應(yīng)用

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research)旗下微電子研究院(Institute of Microelectronics, IME)今(5)日共同宣布，雙方已協(xié)議合作進(jìn)行應(yīng)用于背面照度式CMOS影像感測器

模擬
2012-06-05

聯(lián)電影像新加坡 CMOS
采用CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設(shè)計

D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計數(shù)器或移位寄存器。然而，只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進(jìn)，根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨(dú)特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路，對脈沖信號的寬度進(jìn)行識別

消費(fèi)電子
2012-06-01

電路設(shè)計脈沖寬度雙D觸發(fā)器 CMOS

首頁上一頁 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 下一頁尾頁

www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

CMOS

CMOS單片集成電路MT8816AE各種相關(guān)知識解析方案

AMD明年轉(zhuǎn)產(chǎn)CMOS芯片 SOI將成為歷史

CMOS攝像機(jī),什么是CMOS攝像機(jī)

索尼向圖像傳感器工廠投資800億日元提高CMOS產(chǎn)量

CMOS攝像機(jī),什么是CMOS攝像機(jī)

OLEDoS技術(shù)的發(fā)展趨勢與應(yīng)用

2013年AMD或?qū)⒂?8nm CMOS芯片制造工藝

2013年AMD或?qū)⒂?8nm CMOS芯片制造工藝

圖像傳感器CMOS和CCD優(yōu)劣勢的對比分析

OLEDoS技術(shù)的發(fā)展趨勢與應(yīng)用

IMEC探討10nm以下制程的不同 CMOS技術(shù)將持續(xù)微縮

聯(lián)電與星國微電子開發(fā)CMOS影像感測器TSV技術(shù)

IMEC探討10nm以下制程變異，CMOS技術(shù)將持續(xù)微縮

一種新型高速CMOS全差分運(yùn)算放大器設(shè)計

IMEC探討10nm以下制程變異

聯(lián)電與新加坡合作開發(fā)新一代CMOS影像感測器TSV技術(shù)

驅(qū)動容性負(fù)載的動態(tài)功耗分析

IMEC探討10nm以下制程變異

聯(lián)電攜手新加坡IME開發(fā)TSV技術(shù)CMOS應(yīng)用

采用CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設(shè)計

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻