CMOS
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主板常見故障分析及維修24例
如今主板的集成度越來越高，維修主板的難度也越來越大，往往需要借助專門的數(shù)字檢測設(shè)備才能完成。不過，有些主板常見故障并不需要專門的檢測設(shè)備，你自己即可動手解決，下面是一些最典型的主板故障維修實(shí)例，希望大
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高清監(jiān)控與一體化 網(wǎng)絡(luò)高速球技術(shù)分析
高清網(wǎng)絡(luò)高速球是在傳統(tǒng)模擬高速球的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，在其基礎(chǔ)上，增加高清一體化機(jī)芯、視音頻編碼模塊、網(wǎng)絡(luò)接入模塊，即可構(gòu)成一個(gè)基本的網(wǎng)絡(luò)型高速球，實(shí)現(xiàn)高清影音數(shù)據(jù)和控制數(shù)據(jù)通過網(wǎng)絡(luò)這一介質(zhì)進(jìn)行可靠傳輸。
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基于單片機(jī)CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器
基于單片機(jī)CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器引言汽車電子化程度現(xiàn)已成為國際衡量汽車先進(jìn)水平的重要標(biāo)準(zhǔn)，也正是由于這個(gè)原因推動和刺激當(dāng)前汽車電子這一行業(yè)不斷向前發(fā)展，各國都競相發(fā)展，不斷應(yīng)用高新技術(shù)，提高汽車電氣化性能
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拚FinFET聯(lián)電可能搶先臺積電
在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起FinFET構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在2014年
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拚FinFET 聯(lián)電可能搶先臺積電
在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競爭對手一步。 盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快
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主板常見故障分析及維修24例
主板常見故障分析及維修24例
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)（二）
3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設(shè)計(jì)為100ns-1000ns之間，而
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一，其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，特征尺寸越來越小，管子的柵氧層厚度越來越
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手機(jī)攝像頭的發(fā)展歷程和技術(shù)制約下的極限
手機(jī)攝像頭最早出現(xiàn)在日系的手機(jī)上，諾基亞7650是最早把手機(jī)攝像頭帶到全世界面前的產(chǎn)品。早期手機(jī)攝像頭只是玩具，記錄生活都是不夠格的，外出旅游數(shù)碼相機(jī)還是必須要帶的。但是隨著技術(shù)的發(fā)展，和摩爾定律的必然
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手機(jī)攝像頭的發(fā)展歷程和技術(shù)制約下的極限
手機(jī)攝像頭最早出現(xiàn)在日系的手機(jī)上，諾基亞7650是最早把手機(jī)攝像頭帶到全世界面前的產(chǎn)品。早期手機(jī)攝像頭只是玩具，記錄生活都是不夠格的，外出旅游數(shù)碼相機(jī)還是必須要帶的。但是隨著技術(shù)的發(fā)展，和摩爾定律的必然
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網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控大潮并不能撼動模擬監(jiān)控固有地位
相對于CCD傳感器的精細(xì)與昂貴，CMOS很好的解決了成本以及高清圖像的處理問題。因此，CMOS在網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控的大規(guī)模應(yīng)用也就變得不足為奇了。不過，難道"未來之星"的出現(xiàn)，就真的意味著CCD傳感器的退休嗎?難道在未來的網(wǎng)絡(luò)監(jiān)
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0.35μmCMOS光接收機(jī)前置放大器設(shè)計(jì)
近年來，隨著社會信息化程度不斷提高，信息交換量呈爆炸性增長，光纖通信干線系統(tǒng)以其高速、大容量的優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于電信網(wǎng)、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)。2．5 Gb/s超高速光纖通信系統(tǒng)已經(jīng)投入使用。作為光纖通信系統(tǒng)中光接收機(jī)的關(guān)
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Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場9%
市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement稍早前發(fā)布了一份針對3DIC與矽穿孔 ( TSV )的調(diào)查報(bào)告，指出過去一年來，所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(包括CMOS影像感測器、環(huán)境光感測器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等
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Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場9%
市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement稍早前發(fā)布了一份針對3DIC與矽穿孔 ( TSV )的調(diào)查報(bào)告，指出過去一年來，所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(包括CMOS影像感測器、環(huán)境光感測器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等
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Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場9%
市調(diào)機(jī)構(gòu)YoleDeveloppement稍早前發(fā)布了一份針對3DIC與矽穿孔(TSV)的調(diào)查報(bào)告，指出過去一年來，所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(包括CMOS影像感測器、環(huán)境光感測器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等產(chǎn)品產(chǎn)值
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拼FinFET 聯(lián)電可能搶先臺積電
在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺積電 ( TSMC )之后的聯(lián)電 ( UMC )，可望藉由率先采用FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先其競爭對手一步。 盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最
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CMOS PK CCD 圖像傳感器競爭也“瘋狂”
圖像傳感器包括CCD與CMOS兩種。其中，CCD是“電荷耦合器件”(Charge Coupled Device)的簡稱，CMOS是“互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的簡稱。CCD是1970年美國
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淺析CMOS與CCD在內(nèi)部結(jié)構(gòu)與原理的差異
標(biāo)簽：CMOS CCD無論任何產(chǎn)品，品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣，而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系，CCD和CMOS也既如此?；窘M成CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬&m
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CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應(yīng)用
未來幾年由于消費(fèi)者對傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測量并報(bào)告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
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基于CMOS電路的IDDQ測試電路設(shè)計(jì)
引言 測試CMOS電路的方法有很多種，測試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應(yīng)測試，即通常所說的功能測試。功能測試可診斷出邏輯錯誤，但不能檢查出晶體管常開故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路，互連橋短路
