CMOS
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TTL與COMS電平,特性,比較及注意事項
1.CMOS電平：'1'邏輯電平電壓接近于電源電壓，'0'邏輯電平接近于0V。噪聲容限很大2.TTL電平：輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高
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TLC5615的特點是什么？
試說明TLC5615的特點。答:10位CMOS電壓輸出;5 V單電源工作;與微處理器3線串行接口(SPI);最大輸出電壓是基準電壓的2倍;輸出電壓具有和基準電壓相同的極性;建立時間12.5μs;內(nèi)部上電復位;低功耗，最高為l.75 mW;引腳
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一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結構小型化的片上天線
摘要：采用標準0．18μm CMOS工藝設計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結構的小型化片上天線。該片上天線由一根長1．6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結構構成。分別對該EBG結構以及片上
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CMOS和TTL電路簡單介紹
1，TTL電平：輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。2，CMOS電平：1邏輯電平電壓接近
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富士通半導體推出CMOS轉換器解決方案系列之首款28nm ADC產(chǎn)品
21ic訊 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，高速數(shù)據(jù)轉換器的市場領軍供應商富士通半導體歐洲(FSEU)在高速ADC上取得最新突破，這將使得在世界范圍內(nèi)大規(guī)模部署單波長100Gbps的光傳輸系統(tǒng)成為可能。結合富士通在混合
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意法半導體通過CMP提供130納米H9A模擬CMOS制程
21ic訊 意法半導體(STMicroelectronics)與CMP(Circuits Multi Projets®)攜手宣布即日起通過CMP向大學、研究實驗室和設計企業(yè)提供意法半導體的H9A CMOS制程(130納米光刻技術節(jié)點)，該樣片試制服務可提供大量模
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東芝擴充CMOS-LDO穩(wěn)壓器集成電路陣容
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)已經(jīng)憑借300mA單輸出"TCR3DF系列"擴充了其專為移動設備打造的CMOS-LDO穩(wěn)壓器集成電路的陣容。"TCR3DF系列"具有低壓差、低輸出噪音和高速負載瞬態(tài)響應等特性。該系列的樣品將于
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佳能研發(fā)出以35mm CMOS為基礎的超高感度傳感器
盡管各廠現(xiàn)有的全片幅旗艦機在低光的表現(xiàn)都有著相當恐怖的表現(xiàn)，但在錄像時由于受制于快門速度的限制，所以現(xiàn)有感光組件的低光能力，還是很難表現(xiàn)出幾近黑暗下的拍攝場合 -- 事實上，若是想要在低光下拍攝凝結的照片
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Aptina與LFoundry合作規(guī)劃CMOS成像傳感器未來
Aptina日前宣布與LFoundry建立牢固的戰(zhàn)略合作關系，LFoundry在收購Micron的半導體制造工廠后將繼續(xù)在意大利阿韋扎諾生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。LFoundry帶來了豐富的特種設備代工經(jīng)驗與客戶至上的堅定理念，以此來鞏固阿韋
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8TCMOS地位性飛躍 網(wǎng)絡高清助CMOS叫板CCD？
一直以來，關于CMOS與CCD在視頻成像領域里的爭論從未間斷。有人表示，以CMOS的資歷它根本無法撼動CCD的，也有人認為，CCD已經(jīng)成長多年，太多的技術已經(jīng)形成定式，從而不利于它的更新。總之，伴隨著CCD與CMOS在傳感器
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Aptina與LFoundry攜手規(guī)劃CMOS成像未來
21ic訊 Aptina日前宣布與LFoundry建立牢固的戰(zhàn)略合作關系，LFoundry在收購Micron的半導體制造工廠后將繼續(xù)在意大利阿韋扎諾生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。LFoundry帶來了豐富的特種設備代工經(jīng)驗與客戶至上的堅定理念，以此來鞏
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EDI CON盛會3月登陸北京
由世界著名的Microwave Journal及其中文版《微波雜志》主辦的EDI CON(電子設計創(chuàng)新會議)將于2013年3月12~14日首次登陸北京，在北京國際會議中心隆重舉行。EDI CON是為開發(fā)當今的通信、計算、RFID、無線、導航、航空航
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CCD圖像傳感器逐漸被CMOS取代，市場份額被蠶食
CMOS傳感器和CCD圖像傳感器在安防領域具有重要應用，并占據(jù)著一定的市場份額。盡管CCD圖像傳感器在安防市場中曾經(jīng)占有重要地位，但隨著市場發(fā)展需要，性能更好、成本更低、集成度更高的CMOS傳感器憑借諸多優(yōu)勢逐漸在
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PIC硬件死鎖問題
使用 PIC 單片機 去設計工控電路,最頭痛的問題,就是 PIC 單片機在受干擾后經(jīng)常硬件死鎖,大部份人歸咎于 “CMOS的可控硅效應” 因而產(chǎn)生死鎖現(xiàn)象,一般都認為 ‘死鎖后硬件復位都是無效的.只有斷電。&r
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GF推出強化型55納米CMOS邏輯制程
GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強化型(LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一支持ARM1.0
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GLOBALFOUNDRIES 推出先進 55nm CMOS 邏輯制程
GLOBALFOUNDRIES 宣布將公司的 55 奈米 (nm) 低功率強化 (LPe) 制程技術平臺持續(xù)向上提升，推出具備 ARM 合格的新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V。55nm LPe 1V 是業(yè)界首創(chuàng)唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實體 I
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東芝開發(fā)出智能手機用CMOS功率放大器的電源控制技術
東芝于日前宣布開發(fā)出了智能手機CMOS功率放大器的電源控制技術，能夠用來改善智能手機發(fā)送WCDMA及LTE等信號時所必需的 CMOS功率放大器的電力效率。該技術可根據(jù)發(fā)送功率水平
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1Hz分辨率 50MHz電路圖
對數(shù)字頻率計數(shù)器來說，CMOS和TTL器件的連接降低了芯片總數(shù)，提供1Hz解決方案將原來低于20Hz提高到50MHz。采用文中給出的10:1預定標器，將范圍擴大到大于300MHz，解決方案10Hz。
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GLOBALFOUNDRIES推出強化型55納米CMOS邏輯制程
GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強化型(LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一支持ARM1.0/1.2V物理I
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GLOBALFOUNDRIES推強化型55納米CMOS邏輯制程
近日，GLOBALFOUNDRIES宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強化型 (LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯
