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DRAM第一季度表現(xiàn)強(qiáng)勁，預(yù)示2010年好光景

DRAM產(chǎn)業(yè)第一季度表現(xiàn)強(qiáng)勁，令iSuppli公司憧憬2010年可能是該產(chǎn)業(yè)有史以來(lái)產(chǎn)業(yè)最好的一年。第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的銷(xiāo)售收入達(dá)到95億美元，高于iSuppli公司預(yù)測(cè)的86億美元。DRAM產(chǎn)業(yè)不僅保持銷(xiāo)售收入環(huán)比增長(zhǎng)勢(shì)頭，而且創(chuàng)

消費(fèi)電子
2010-05-27

DRAM ISUPPLI 器件控制
臺(tái)媒：三星壓境帶給臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)思考

歷經(jīng)2008-2009年金融風(fēng)暴后，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)快速反彈回升的跡象，下游終端應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，亦從供過(guò)于求轉(zhuǎn)為供不應(yīng)求。據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)與資策會(huì)MIC預(yù)測(cè)，2008與2009年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)連續(xù)2年陷入衰退，分別

半導(dǎo)體
2010-05-27

三星半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) SAMSUNG DRAM
DRAM第一季度表現(xiàn)強(qiáng)勁預(yù)示2010年好光景

DRAM產(chǎn)業(yè)第一季度表現(xiàn)強(qiáng)勁，令iSuppli公司憧憬2010年可能是該產(chǎn)業(yè)有史以來(lái)產(chǎn)業(yè)最好的一年。第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的銷(xiāo)售收入達(dá)到95億美元，高于iSuppli公司預(yù)測(cè)的86億美元。DRAM產(chǎn)業(yè)不僅保持銷(xiāo)售收入環(huán)比增長(zhǎng)勢(shì)頭，而且創(chuàng)

智能硬件
2010-05-26

BSP DRAM ISUPPLI 器件
擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置

為了擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，三星電子(Samsung Electronics)變更半導(dǎo)體制作產(chǎn)線的營(yíng)運(yùn)方式，將原本一座工廠內(nèi)設(shè)置兩條產(chǎn)線的方式，變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營(yíng)運(yùn)體系。據(jù)南韓MT News報(bào)導(dǎo)，三星23日動(dòng)工的京畿道華城半導(dǎo)體

智能硬件
2010-05-26

半導(dǎo)體三星 Flash DRAM
迎戰(zhàn)三星臺(tái)塑集團(tuán)準(zhǔn)備好了

南韓三星電子大張旗鼓擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關(guān)注。臺(tái)塑集團(tuán)總裁王文淵日前于內(nèi)部會(huì)議表示，原先預(yù)期三星明年下半年啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，其進(jìn)度比預(yù)期快得多，惟集團(tuán)與美光合作的30納米制程已完成開(kāi)發(fā)，今年將切入50、42納米制

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2010-05-25

三星三星電子 NAND DRAM
產(chǎn)業(yè)全面復(fù)蘇應(yīng)用材料2季度訂單上升29％

在剛剛公布的VLSI全球PV設(shè)備廠商排名中，應(yīng)用材料依然穩(wěn)坐頭把交椅。不過(guò)和其太陽(yáng)能業(yè)務(wù)相比，IC和TFT－LCD業(yè)務(wù)為應(yīng)用材料今年第2季度的貢獻(xiàn)更值得稱(chēng)頌。在截至到5月2日的Q2財(cái)季，應(yīng)用材料總銷(xiāo)售額達(dá)到了23億美元，較

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2010-05-24

光伏 IC LSI DRAM
韓系廠商出狠招內(nèi)存價(jià)格將會(huì)大幅下挫

三星是依靠在疲軟的市場(chǎng)環(huán)境下，不惜成本的加大投資，憑借韓國(guó)匯率貶值和政府無(wú)限貸款來(lái)拖垮競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，以惡性競(jìng)爭(zhēng)的手段搶占市場(chǎng)。其重點(diǎn)是DRAM、NAND閃存和液晶面板等科技產(chǎn)品必備的原材料業(yè)務(wù)。韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》20

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2010-05-21

LCD 內(nèi)存三星電子 DRAM
訂單滿(mǎn)手力成擴(kuò)資本支出

內(nèi)存封測(cè)龍頭力成（6239）訂單滿(mǎn)手，因應(yīng)客戶(hù)旺盛需求，將透過(guò)自行提升產(chǎn)能及委外代工并進(jìn)方式，擴(kuò)大生產(chǎn)量，幅度約在兩成。配合擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，力成也將提高今年資本支出，由原本預(yù)估的90億元，上修到120億元。這也

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2010-05-21

內(nèi)存 SPANSION DRAM
英飛凌與日本爾必達(dá)籍專(zhuān)利交叉達(dá)成和解

北京時(shí)間5月21日凌晨消息（舒允文）歐洲第二大半導(dǎo)體制造商德國(guó)英飛凌（Infineon）21日宣布，公司與日本爾必達(dá)（Elpida Memory）已通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)專(zhuān)利交叉許可，就專(zhuān)利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解，雙方均同意撤銷(xiāo)所有未決專(zhuān)利

通信技術(shù)
2010-05-21

英飛凌爾必達(dá) 專(zhuān)利侵權(quán) DRAM
最新DRAM廠商排名出爐三星市占優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市場(chǎng)份額公司排名情況。在Q1排名中市場(chǎng)份額擴(kuò)大的優(yōu)勝者是三星，美光及力晶及茂德。Q1市場(chǎng)份額減少的失意者為海力士，爾必達(dá)，南亞和威邦。Q1的市場(chǎng)排名中依銷(xiāo)售額計(jì)，三

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2010-05-20

三星存儲(chǔ)器 GARTNER DRAM
最新DRAM廠商排名出爐三星市占優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市場(chǎng)份額公司排名情況。在Q1排名中市場(chǎng)份額擴(kuò)大的優(yōu)勝者是三星，美光及力晶及茂德。Q1 市場(chǎng)份額減少的失意者為海力士，爾必達(dá)，南亞和威邦。Q1的市場(chǎng)排名中依銷(xiāo)售額計(jì)，

智能硬件
2010-05-20

三星存儲(chǔ)器美光 DRAM
歐盟罰操縱內(nèi)存芯片價(jià)格10家公司4.03億美元

歐盟委員會(huì)星期三宣布對(duì)包括三星電子在內(nèi)的10家內(nèi)存芯片廠商合謀操縱內(nèi)存芯片價(jià)格一共處以3.31億歐元(4.03億美元)。歐盟委員會(huì)稱(chēng)，這些公司(多數(shù)是非歐洲的公司)在1998年至2002年期間共享秘密信息使他們能夠制定價(jià)格

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-05-20

半導(dǎo)體三星電子內(nèi)存芯片 DRAM
擴(kuò)大市占海力士2012年前擬投資近80億美元

韓國(guó)媒體KoreaTimes獨(dú)家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲(chǔ)器廠商提高投資，預(yù)料競(jìng)爭(zhēng)將加劇。除提高投資外，該份名為「財(cái)務(wù)穩(wěn)健中期策

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2010-05-19

海力士 FOR NANDFLASH DRAM
三星斥156億美元巨資擴(kuò)大產(chǎn)能競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手咋舌

三星電子前日宣布，今年的擴(kuò)張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計(jì)劃將以11兆韓元擴(kuò)充內(nèi)存芯片產(chǎn)能，還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器(LCD)，以及電視與手機(jī)業(yè)務(wù)。此外，加上研發(fā)支出，預(yù)計(jì)三星今

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2010-05-19

三星內(nèi)存芯片 GSA DRAM
擴(kuò)大市占　海力士2012年前擬投資近80億美元

韓國(guó)媒體Korea Times獨(dú)家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲(chǔ)器廠商提高投資，預(yù)料競(jìng)爭(zhēng)將加劇。除提高投資外，該份名為「財(cái)務(wù)穩(wěn)健中期策

智能硬件
2010-05-19

Flash 海力士 FOR DRAM
三星巨額投資計(jì)劃恐對(duì)全球DRAM業(yè)投下震撼彈

三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長(zhǎng)權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來(lái)臺(tái)公開(kāi)呼吁DRAM同業(yè)應(yīng)該要節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來(lái)規(guī)模最大的

智能硬件
2010-05-19

三星 LCD PC市場(chǎng) DRAM
5月DRAM合約價(jià)出爐DDR2持平DDR3小漲

原本進(jìn)入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價(jià)終于開(kāi)出，一如市場(chǎng)預(yù)期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價(jià)最后持平開(kāi)出，而DDR3合約價(jià)則是小漲2~3%；DRAM業(yè)者認(rèn)為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果，算是滿(mǎn)意，

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2010-05-18

終端 PC DDR3 DRAM
三星電子2010年整體投資將達(dá)26兆韓元

三星電子在16號(hào)半導(dǎo)體生產(chǎn)線開(kāi)工儀式上表示，2010年整體投資將達(dá)到26兆韓元。該生產(chǎn)線位于韓國(guó)華城，將主要用于生產(chǎn)下一代存儲(chǔ)產(chǎn)品，2011年建成投產(chǎn)后預(yù)計(jì)能月產(chǎn)12英寸半導(dǎo)體晶片20萬(wàn)片以上。2010年三星電子26兆韓元

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-05-18

半導(dǎo)體三星電子 AMOLED DRAM
光刻設(shè)備交貨延期推遲DRAM40納米戰(zhàn)局

全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)(ImmersionScanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計(jì)劃年底前旗下8萬(wàn)片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的目標(biāo)，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)本周

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2010-05-13

40納米光刻 MICRON DRAM
美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

美光科技(MicronTechnologyInc.)7日宣布完成收購(gòu)NORFlash大廠恒憶(NumonyxB.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金FranciscoPart

半導(dǎo)體
2010-05-11

美光 NAND TECHNOLOGY DRAM

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DRAM

DRAM第一季度表現(xiàn)強(qiáng)勁，預(yù)示2010年好光景

臺(tái)媒：三星壓境帶給臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)思考

DRAM第一季度表現(xiàn)強(qiáng)勁預(yù)示2010年好光景

擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置

迎戰(zhàn)三星臺(tái)塑集團(tuán)準(zhǔn)備好了

產(chǎn)業(yè)全面復(fù)蘇應(yīng)用材料2季度訂單上升29％

韓系廠商出狠招內(nèi)存價(jià)格將會(huì)大幅下挫

訂單滿(mǎn)手力成擴(kuò)資本支出

英飛凌與日本爾必達(dá)籍專(zhuān)利交叉達(dá)成和解

最新DRAM廠商排名出爐三星市占優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大

最新DRAM廠商排名出爐三星市占優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大

歐盟罰操縱內(nèi)存芯片價(jià)格10家公司4.03億美元

擴(kuò)大市占海力士2012年前擬投資近80億美元

三星斥156億美元巨資擴(kuò)大產(chǎn)能競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手咋舌

擴(kuò)大市占　海力士2012年前擬投資近80億美元

三星巨額投資計(jì)劃恐對(duì)全球DRAM業(yè)投下震撼彈

5月DRAM合約價(jià)出爐DDR2持平DDR3小漲

三星電子2010年整體投資將達(dá)26兆韓元

光刻設(shè)備交貨延期推遲DRAM40納米戰(zhàn)局

美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

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