DRAM

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

點(diǎn)陣式液晶字符反白和圖形顯示研究

本文采用以ST7920為控制器的YMl2864R構(gòu)成了自動(dòng)監(jiān)控型獨(dú)立通氣籠盒(Individually Ventilated Cages，IVC)系統(tǒng)的人機(jī)界面顯示部分；給出了點(diǎn)陣液晶顯示模塊與單片機(jī)之間的硬件接口設(shè)計(jì)；介紹了液晶模塊文本顯示和繪圖顯示的基本特性及實(shí)現(xiàn)，并重點(diǎn)介紹了任意字符反白和任意位置任意大小圖形顯示的方法。

模擬
2010-06-30

圖形顯示液晶點(diǎn)陣式 DRAM
Gartner預(yù)測DRAM內(nèi)存降價(jià)趨勢將持續(xù)到年底

由于芯片廠商提高產(chǎn)量和PC廠商堅(jiān)持反對(duì)價(jià)格進(jìn)一步上漲的強(qiáng)硬立場，DRAM內(nèi)存價(jià)格在今年 6月出現(xiàn)了一年以來的首次下降?！　?nèi)存芯片價(jià)格下降對(duì) 于每個(gè)購買新PC的用戶來說都很重要，因?yàn)榘嘿F的DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格是PC價(jià)格

智能硬件
2010-06-29

內(nèi)存內(nèi)存芯片 GARTNER DRAM
爾必達(dá)發(fā)布首款自行開發(fā)制造的圖形DRAM

爾必達(dá)內(nèi)存發(fā)布了首款自行開發(fā)制造的圖形DRAM——2Gbit GDDR（graphic double data rate）5型DRAM。除了游戲機(jī)及個(gè)人電腦的圖形處理用途之外，還面向科學(xué)計(jì)算、物理模擬及數(shù)字圖像處理等的GPU（圖形處理器）用途。將

智能硬件
2010-06-29

爾必達(dá) 奇夢(mèng)達(dá) GB DRAM
陸行之升4面板目標(biāo)價(jià)

花旗環(huán)球證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之昨（4）日一口氣調(diào)升友達(dá)（2409）、奇美電（3009）、達(dá)虹（8056）、聯(lián)詠（3034）等4文件面板概念股目標(biāo)價(jià)，但也提醒，友達(dá)因營業(yè)利率走跌與需提列面板價(jià)格控管費(fèi)用，去（20

顯示光電
2010-06-29

LED IDE 控管 DRAM
李志村：臺(tái)勝科全年滿載，產(chǎn)品漲價(jià)，逐季成長

臺(tái)塑集團(tuán)旗下的半導(dǎo)體硅晶圓廠商臺(tái)勝科(3532)于28日召開股東常會(huì)，董事長李志村表示，臺(tái)勝科今年以來不論在八吋廠或十二吋廠都是滿載生產(chǎn)，但目前還不夠的是「價(jià)格還需要再上漲」，李志村表示，臺(tái)勝科自今年1月起就恢

模擬
2010-06-28

晶圓代工晶圓廠硅晶圓 DRAM
蔡力行：臺(tái)日連手搶進(jìn)大陸

因應(yīng)大陸由世界工廠轉(zhuǎn)為全球市場，臺(tái)灣半導(dǎo)體協(xié)會(huì)理事長暨臺(tái)積電新事業(yè)總經(jīng)理蔡力行昨（25）日表示，臺(tái)灣居于有利地位，尤其臺(tái)灣半導(dǎo)體有很強(qiáng)的垂直整合供應(yīng)鏈，日本則具備先進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢，臺(tái)日連手有助搶進(jìn)大陸市場

模擬
2010-06-26

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 封裝 DRAM
借世界杯3D概念熱潮 3D芯片聯(lián)盟誕生

又一個(gè)3D(三維)芯片聯(lián)盟出世。CMP、CMCMicrosystems和Mosis合作推出一項(xiàng)3D多項(xiàng)目晶圓(MPW)服務(wù)，以Tezzaron公司的3D芯片技術(shù)和GlobalFoundries公司的130納米CMOS代工工藝為基礎(chǔ)。多年以來，Tezzaron一直在致力于研發(fā)

消費(fèi)電子
2010-06-25

晶圓 PID 3D芯片 DRAM
今年晶圓設(shè)備銷售成長率上看113%

隨著IC需求持續(xù)成長，市場研究機(jī)構(gòu)Gartner再度上調(diào)2010年全球晶圓制造廠資本支出預(yù)測值。由于各大晶圓廠快速擴(kuò)張45/40奈米制程，NANDFlash及DRAM制造業(yè)者轉(zhuǎn)型至3x節(jié)點(diǎn)(3xnode)制程，該機(jī)構(gòu)預(yù)測，2010年晶圓制造設(shè)備銷

模擬
2010-06-24

內(nèi)存晶圓晶圓制造 DRAM
Gartner：今年半導(dǎo)體設(shè)備市場急速膨脹

進(jìn)入2010年后，全球半導(dǎo)體接連擴(kuò)大設(shè)備投資，將使半導(dǎo)體設(shè)備市場急速膨脹。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)測統(tǒng)計(jì)，因全球半導(dǎo)體企業(yè)自2009年底開始為因應(yīng)逐漸轉(zhuǎn)好的市場情況，紛紛進(jìn)行大規(guī)模投資，2010年如光學(xué)設(shè)備等半導(dǎo)體制造

半導(dǎo)體
2010-06-22

半導(dǎo)體設(shè)備 GARTNER ELECTRONICS DRAM
爾必達(dá)將與聯(lián)華電子將研發(fā)新技術(shù)

「日本經(jīng)濟(jì)新聞」報(bào)導(dǎo)，日本半導(dǎo)體大廠爾必達(dá)公司將與臺(tái)灣的聯(lián)華電子及力成科技共同研發(fā)最尖端的「銅硅穿孔（TSV）」加工技術(shù)。報(bào)導(dǎo)指出，半導(dǎo)體的微細(xì)化技術(shù)已快達(dá)到極限，將來的研發(fā)焦點(diǎn)聚焦在芯片的垂直堆棧技術(shù)。

模擬
2010-06-22

CPU 爾必達(dá) 聯(lián)華電子 DRAM
新創(chuàng)公司企圖以STT-RAM取代今日主流內(nèi)存

今日主流內(nèi)存技術(shù)的末日即將來臨？一家專精自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取內(nèi)存(spin transfer torque random access memory， STT-RAM)的美國硅谷新創(chuàng)公司 Grandis 日前發(fā)表了更新的產(chǎn)品藍(lán)圖，并宣示以這種新一代 MARM 取代 D

智能硬件
2010-06-22

內(nèi)存 RAM ST DRAM
聯(lián)電私募傳爾必達(dá)策略結(jié)盟

聯(lián)電昨日與爾必達(dá)、力成簽訂直通硅晶穿孔（TSV）技術(shù)合作開發(fā)合約，市場則再度傳出，爾必達(dá)將是聯(lián)電私募案引進(jìn)策略合作伙伴的口袋名單之一，且雙方未來不排除朝向交叉持股的合作方向進(jìn)行。唯聯(lián)電及爾必達(dá)對(duì)此一市場消

模擬
2010-06-22

聯(lián)電爾必達(dá) DM DRAM
聯(lián)電爾必達(dá)力成合攻3D IC

聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方將結(jié)合在三維（3D）IC的設(shè)計(jì)、制造與封裝等優(yōu)勢，投入開發(fā)整合邏輯芯片及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）的3D IC完整解決方案，并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生

模擬
2010-06-22

聯(lián)電爾必達(dá) IC DRAM
聯(lián)電與力成及爾必達(dá)28奈米TSV技術(shù)合作最快2012年量產(chǎn)

晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)今天與DRAM模塊廠力成(6239-TW)日本爾必達(dá)(Elpida)(6665-JP)共同宣布針對(duì)包括28奈米先進(jìn)制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技術(shù)進(jìn)行合作。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，有鑒于摩爾定律的成長已經(jīng)趨緩

模擬
2010-06-21

聯(lián)電爾必達(dá) IC DRAM
簽訂3D IC技術(shù)合約蔡篤恭：技術(shù)到位后自然有市場需求

力成董事長蔡篤恭今日表示，只要3D IC的TSV技術(shù)率先達(dá)成熟階段，市場需求自然會(huì)浮現(xiàn)。(巨亨網(wǎng)記者蔡宗憲攝) 日本DRAM晶圓大廠爾必達(dá)(6665-JP)，臺(tái)灣晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)以及DRAM封測大廠力成(6239-TW)今(21

模擬
2010-06-21

聯(lián)電爾必達(dá) IC DRAM
力晶首季銷售激增逾8成躍居全球第5大DRAM供應(yīng)商

研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，力晶2010年首季銷售季成長81%，已躍居全球第5大DRAM供應(yīng)廠。全球DRAM產(chǎn)業(yè)首季營收比前1季成長8.8%，根據(jù)iSuppli的資料，前5大DRAM廠約占全球整體DRAM產(chǎn)業(yè)營收的91%，前2大廠三星電子(SamsungEl

模擬
2010-06-21

三星電子海力士 ISUPPLI DRAM
海力士：無錫封測廠可月產(chǎn)1億顆1GB DRAM

全球第2大內(nèi)存制造商HynixSemiconductorInc.17日宣布，該公司已與大陸廠商無錫太極實(shí)業(yè)(WuxiTaijiIndustryCo.)合作在江蘇省無錫市建成第二座內(nèi)存廠房，名稱為「高科技半導(dǎo)體封裝測試公司(HitechSemiconductorPackage

模擬
2010-06-21

海力士 NI GB DRAM
聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片

聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）、力成（6239）等3家半導(dǎo)體大廠今（21）日將宣布策略合作，據(jù)了解，3家業(yè)者將針對(duì)銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術(shù)進(jìn)行合作開發(fā)，除了針對(duì)3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作

模擬
2010-06-21

聯(lián)電爾必達(dá) 3D芯片 DRAM
海力士中國大陸第2座存儲(chǔ)器封測工廠落成

韓聯(lián)社(Yonhap)報(bào)導(dǎo)，海力士(Hynix Semiconductor)在中國大陸的第2座存儲(chǔ)器封測工廠已落成。這座廠房名為Hitech半導(dǎo)體封裝測試公司，位于江蘇無錫，是與無錫太極實(shí)業(yè)合資的企業(yè)，由海力士持有45%股權(quán)，太極實(shí)業(yè)擁有剩

智能硬件
2010-06-18

存儲(chǔ)器海力士 NI DRAM
南亞科、瑞晶40納米6月導(dǎo)入全面反制三星大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫

繼三星電子(SamsungElectronics)宣布大手筆資本支出，臺(tái)系DRAM廠亦不甘示弱，臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和爾必達(dá)(Elpida)集團(tuán)旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入42及45納米制程，較原訂計(jì)畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示，

模擬
2010-06-17

三星美光 40納米 DRAM

首頁上一頁 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 下一頁尾頁

www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

DRAM

點(diǎn)陣式液晶字符反白和圖形顯示研究

Gartner預(yù)測DRAM內(nèi)存降價(jià)趨勢將持續(xù)到年底

爾必達(dá)發(fā)布首款自行開發(fā)制造的圖形DRAM

陸行之升4面板目標(biāo)價(jià)

李志村：臺(tái)勝科全年滿載，產(chǎn)品漲價(jià)，逐季成長

蔡力行：臺(tái)日連手搶進(jìn)大陸

借世界杯3D概念熱潮 3D芯片聯(lián)盟誕生

今年晶圓設(shè)備銷售成長率上看113%

Gartner：今年半導(dǎo)體設(shè)備市場急速膨脹

爾必達(dá)將與聯(lián)華電子將研發(fā)新技術(shù)

新創(chuàng)公司企圖以STT-RAM取代今日主流內(nèi)存

聯(lián)電私募傳爾必達(dá)策略結(jié)盟

聯(lián)電爾必達(dá)力成合攻3D IC

聯(lián)電與力成及爾必達(dá)28奈米TSV技術(shù)合作最快2012年量產(chǎn)

簽訂3D IC技術(shù)合約蔡篤恭：技術(shù)到位后自然有市場需求

力晶首季銷售激增逾8成躍居全球第5大DRAM供應(yīng)商

海力士：無錫封測廠可月產(chǎn)1億顆1GB DRAM

聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片

海力士中國大陸第2座存儲(chǔ)器封測工廠落成

南亞科、瑞晶40納米6月導(dǎo)入全面反制三星大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻