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臺(tái)系DRAM廠3Q虧損175億元　4Q可望飛越損平點(diǎn)

受惠DRAM價(jià)格谷底翻身，臺(tái)系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小，合計(jì)力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺(tái)幣175億元，累計(jì)前3季虧損731億元，其中茂德虧損最多，華亞科虧損金額最小，展望第4季，DRAM價(jià)格持續(xù)走強(qiáng)

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2009-11-03

DRAM 存儲(chǔ)器晶圓廠 ELECTRONICS
海力士半導(dǎo)體預(yù)期第四季DRAM價(jià)格上揚(yáng) 明年市場(chǎng)趨緊

韓國(guó)海力士半導(dǎo)體預(yù)估，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)晶片市場(chǎng)將在第四季維持強(qiáng)勁，并指出合約價(jià)格可能在11月進(jìn)一步揚(yáng)升，12月時(shí)趨穩(wěn)。海力士公司主管在投資人電話會(huì)議中稱，由于產(chǎn)業(yè)供應(yīng)增長(zhǎng)有限，2010年料出現(xiàn)DRAM短

半導(dǎo)體
2009-10-29

半導(dǎo)體海力士 BSP DRAM
英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù)。這兩家公司稱，這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本?！　∮⑻貭栄芯繂T和內(nèi)存

智能硬件
2009-10-29

英特爾內(nèi)存 NAND閃存 DRAM
宣明智：DRAM年年都要過冬　該做的就做

盡管上周南亞科及華亞科法說會(huì)時(shí)，公司對(duì)于DRAM市場(chǎng)多抱持樂觀看法，不過臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)董事長(zhǎng)宣明智26日上午參觀臺(tái)灣寬頻通訊展時(shí)卻表達(dá)保守看法，認(rèn)為DRAM年年都要過冬，對(duì)DRAM景氣沒有那么樂觀，針對(duì)DR

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2009-10-28

通訊 DRAM 存儲(chǔ)器
爾必達(dá)連虧8季首次獲利

日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida) 2010會(huì)計(jì)年度第2季(7~9月)出現(xiàn)連虧8季以來的首度由虧轉(zhuǎn)盈，營(yíng)收960億日?qǐng)A(約10.66億美元)，營(yíng)業(yè)利益5億日?qǐng)A，加上日前1Gb容量 DDR2價(jià)格沖上2.5美元價(jià)位， DRAM廠營(yíng)運(yùn)狀況大幅轉(zhuǎn)好，更開始

半導(dǎo)體
2009-10-27

美光爾必達(dá) BSP DRAM
iSuppli：DRAM業(yè)復(fù)蘇 2010年可望延續(xù)

研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，第2、第3季DRAM銷售額與價(jià)格連續(xù)增長(zhǎng)的幅度，至少創(chuàng)下5年來之最。該機(jī)構(gòu)遂看好產(chǎn)業(yè)后市，2010年也將持續(xù)復(fù)蘇。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，根據(jù)iSuppli初步預(yù)測(cè)，第3季全球DRAM銷售額季增35%，第2季則增

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2009-10-26

三星美光 ISUPPLI DRAM
南亞科、華亞科沖刺50納米　明年資本支出逾600億新臺(tái)幣

臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準(zhǔn)備沖刺先進(jìn)制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉(zhuǎn)換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標(biāo)2010年第2季全數(shù)轉(zhuǎn)至50納米制程，屆時(shí)將全

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-10-23

GB DDR3 DRAM 晶圓廠
華邦電退出臺(tái)塑集團(tuán)DRAM整合計(jì)劃書難產(chǎn)

臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科的DRAM整合策略再度大轉(zhuǎn)彎，從原本堅(jiān)持一定要送件，以爭(zhēng)取與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)同等待遇的補(bǔ)助款，19日改口考慮不一定會(huì)送件；業(yè)者透露，原本臺(tái)塑在計(jì)劃書中提議要整合的對(duì)象

智能硬件
2009-10-21

美光 DRAM 存儲(chǔ)器
力晶擬涉足FLASH產(chǎn)業(yè) 已申請(qǐng)9.5億元補(bǔ)助

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣DRAM制造大廠--力晶半導(dǎo)體表示，已向臺(tái)灣當(dāng)局遞交文件，初步申請(qǐng)45億元新臺(tái)幣（合約9.518億元人民幣）補(bǔ)助。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁指出，力晶也提議設(shè)立快閃記憶體(Flash)廠。在DRAM晶片供給嚴(yán)重失衡

智能硬件
2009-10-21

半導(dǎo)體晶片 Flash DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)面臨整合強(qiáng)者愈強(qiáng)弱者愈弱

在上世紀(jì)80年代，DRAM產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一次整合。今年或明年可能將在發(fā)生一次這樣的整合，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商Samsung表示。德國(guó)DRAM制造商Qimonda已在今年隕落。下一個(gè)很可能是臺(tái)灣制造商。臺(tái)灣DRAM制造商“沒有足夠的資金

智能硬件
2009-10-20

MOS SAMSUNG CHIP DRAM
DRAM報(bào)價(jià)高檔不墜　爾必達(dá)8季以來首次獲利

日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida) 2010會(huì)計(jì)年度第2季(7~9月)出現(xiàn)連虧8季以來的首度由虧轉(zhuǎn)盈，營(yíng)收960億日?qǐng)A(約10.66億美元)，營(yíng)業(yè)利益5億日?qǐng)A，加上日前1Gb容量 DDR2價(jià)格沖上2.5美元價(jià)位， DRAM廠營(yíng)運(yùn)狀況大幅轉(zhuǎn)好，更開始

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2009-10-19

美光爾必達(dá) DRAM 存儲(chǔ)器
內(nèi)存瘋閃存噴存儲(chǔ)業(yè)界漲勢(shì)深度分析

9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4%最近幾個(gè)月來，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已

智能硬件
2009-10-19

內(nèi)存 Flash SSD DRAM

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DRAM

臺(tái)系DRAM廠3Q虧損175億元　4Q可望飛越損平點(diǎn)

海力士半導(dǎo)體預(yù)期第四季DRAM價(jià)格上揚(yáng) 明年市場(chǎng)趨緊

英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限

宣明智：DRAM年年都要過冬　該做的就做

爾必達(dá)連虧8季首次獲利

iSuppli：DRAM業(yè)復(fù)蘇 2010年可望延續(xù)

南亞科、華亞科沖刺50納米　明年資本支出逾600億新臺(tái)幣

華邦電退出臺(tái)塑集團(tuán)DRAM整合計(jì)劃書難產(chǎn)

力晶擬涉足FLASH產(chǎn)業(yè) 已申請(qǐng)9.5億元補(bǔ)助

DRAM產(chǎn)業(yè)面臨整合強(qiáng)者愈強(qiáng)弱者愈弱

DRAM報(bào)價(jià)高檔不墜　爾必達(dá)8季以來首次獲利

內(nèi)存瘋閃存噴存儲(chǔ)業(yè)界漲勢(shì)深度分析

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