DRAM

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存儲(chǔ)器價(jià)格回溫美光虧損11季后首度獲利

美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)公布2010會(huì)計(jì)年度第1季(2009年9~11月)財(cái)報(bào)，由于存儲(chǔ)器價(jià)格回溫，因此在連續(xù)虧損11季之后，終于由虧轉(zhuǎn)盈。第1季營(yíng)收為17。4億美元，較2009年度同期成長(zhǎng)約24%。凈利為2。04億美元，每股盈余

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2009-12-24

存儲(chǔ)器美光 APPLE DRAM
PC DRAM容量提升至2.92GB　DRAM現(xiàn)貨價(jià)大漲3%

沈寂已久的DRAM價(jià)格再度動(dòng)起來(lái)，存儲(chǔ)器廠對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂(lè)觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)搭載存儲(chǔ)器平均容量成長(zhǎng)16%至2。92GB，未來(lái)消費(fèi)性PC機(jī)種搭載DRAM容量可望升級(jí)至4GB，市場(chǎng)對(duì)于

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2009-12-24

PC GB 存儲(chǔ)器 DRAM
海力士發(fā)表40納米制程繪圖芯片DRAM

韓國(guó)存儲(chǔ)器廠海力士(Hynix)于2009年12月20日發(fā)表40納米制程2GbGDDR5繪圖芯片DRAM，工作頻寬為7Gbps，32位元I/O通道，數(shù)據(jù)處理速率每秒28GB/s，電壓為1。35V。新推出的GDDR5繪圖DRAM采用海力士40納米制程制造，體積

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2009-12-23

芯片 40納米海力士 DRAM
好羨慕！臺(tái)積電宣布明年起加薪15% 分紅獎(jiǎng)金全年獎(jiǎng)不完

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀宣布，2010年起全體員工本薪調(diào)漲15%。(巨亨網(wǎng)記者葉小慧攝) 晶圓代工市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，加上分紅制度費(fèi)用化沖擊，臺(tái)積電(TSMC；TSM-US；2330-TW)為鞏固人才誘因，董事長(zhǎng)暨執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀今(21)日宣布，

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2009-12-21

面板廠臺(tái)積電 TSMC DRAM
報(bào)告稱半導(dǎo)體市場(chǎng)今年縮水11％至2260億美元

據(jù)路透社報(bào)道，由于全球經(jīng)濟(jì)回暖，市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner于本周四修正了對(duì)2009年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的估計(jì)。根據(jù)其最新預(yù)測(cè)，2009年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將縮水11.4%，至2260億美元。而根據(jù)Gartner今年10月份的估計(jì)，2009年全

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-12-18

半導(dǎo)體市場(chǎng) 內(nèi)存 GARTNER DRAM
FormFactor推出全新12吋DRAM晶圓探針卡

全球先進(jìn)晶圓探針卡供貨商 FormFactor公司宣布針對(duì)DRAM市場(chǎng)，推出新一代12吋全晶圓接觸探針卡SmartMatrix 100探針卡解決方案，以持續(xù)穩(wěn)固龍頭地位，至于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手日商麥克尼克司（MJC）今年也將重振雄風(fēng)，希望可以重新

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2009-12-15

晶圓 FOR FACTOR DRAM
海力士2010年半導(dǎo)體生產(chǎn)開支將增加一倍

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，據(jù)《韓國(guó)時(shí)報(bào)》報(bào)道，內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體計(jì)劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬(wàn)億韓元（約20億美元），比2009年的資本開支增加一倍。這項(xiàng)開支有1.5萬(wàn)億韓元（大約13億美元）用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn)

智能硬件
2009-12-14

半導(dǎo)體海力士 PID DRAM
12月上旬合約價(jià)DRAM持平Flash下跌

12月上旬的存儲(chǔ)器合約價(jià)格中，DRAM合約價(jià)意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)廠急單涌入之故；而NANDFlash合約價(jià)格則反應(yīng)市場(chǎng)需求不佳，16Gb芯片價(jià)格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合

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2009-12-11

Flash GB NANDFLASH DRAM
爾必達(dá)蠶食臺(tái)12寸廠DRAM產(chǎn)能

日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄再度訪臺(tái)，8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長(zhǎng)陳民良聯(lián)合召開記者會(huì)，說(shuō)明雙方合作代工細(xì)節(jié)。由于坂本幸雄過(guò)去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過(guò)程頗耐人尋味，爾必達(dá)2

消費(fèi)電子
2009-12-11

爾必達(dá) 晶圓廠存儲(chǔ)器 DRAM
DRAM廠資本支出競(jìng)賽三星更勝臺(tái)廠一籌

臺(tái)系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出，估計(jì)包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺(tái)幣700億元，且主要支出集中在臺(tái)塑集團(tuán)身上，臺(tái)DRAM廠似乎又生龍活虎起來(lái)，開始擴(kuò)大投資規(guī)模，然相較于三星電子

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2009-12-07

三星 ELECTRONICS 存儲(chǔ)器 DRAM
臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”無(wú)力扭轉(zhuǎn)情勢(shì)　DRAM再造方案全面停擺

根據(jù)政府官員表示，日前“立法院”經(jīng)濟(jì)委員會(huì)通過(guò)決議，要求行政院國(guó)發(fā)基金不得用于「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫」一事，經(jīng)過(guò)“經(jīng)濟(jì)部”一再向立委溝通，確定未獲得立委同意，目前「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」已面臨全面停擺的情況。

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2009-12-07

爾必達(dá) PID DRAM
三星焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向Flash 打算全面稱霸內(nèi)存市場(chǎng)

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷1年冰河期，今年第3季終于春暖花開。更值得注意的是，三星日前宣布30奈米3-bit MLC NAND Flash開始量產(chǎn)，顯示三星關(guān)注焦點(diǎn)不再是DRAM，且稱霸內(nèi)存企圖心十足。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，DRAM產(chǎn)業(yè)原已因供過(guò)于求

消費(fèi)電子
2009-12-05

三星 Flash 內(nèi)存市場(chǎng) DRAM
韓國(guó)海力士社長(zhǎng)稱，1-3月DRAM銷售跌幅料小于往年水準(zhǔn)

韓國(guó)海力士半導(dǎo)體(000660。KS：行情)社長(zhǎng)金鍾甲周三表示，該公司預(yù)期1-3月動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)營(yíng)收的季度跌幅將小于往年水準(zhǔn)。海力士為全球第二大記憶體廠商。金鍾甲在日本千葉半導(dǎo)體設(shè)備貿(mào)易展場(chǎng)邊表示，與

半導(dǎo)體
2009-12-04

微軟海力士 BSP DRAM
三星焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向Flash 打算全面稱霸內(nèi)存市場(chǎng)

12月3日消息，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷1年冰河期，今年第3季終于春暖花開。更值得注意的是，三星在11月30日晚間宣布，30奈米3-bit MLC NAND Flash開始量產(chǎn)，顯示三星關(guān)注焦點(diǎn)不再是DRAM，且稱霸內(nèi)存企圖心十足。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)

智能硬件
2009-12-04

三星 Flash 內(nèi)存市場(chǎng) DRAM
力晶第4季DRAM產(chǎn)出大躍進(jìn)季增率挑戰(zhàn)30~40%

臺(tái)系DRAM廠為抓準(zhǔn)DRAM價(jià)格復(fù)蘇的時(shí)間點(diǎn)，開始大量增加投片量，其中力晶增產(chǎn)的幅度將居冠，傳出第4季位元成長(zhǎng)率將較第3季明顯大增30~40%，力晶11月出貨量大幅成長(zhǎng)，也將反映在11月營(yíng)收上，出現(xiàn)大幅度成長(zhǎng)；再者，除了

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2009-11-30

芯片晶圓廠 DDR3 DRAM
臺(tái)DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率惟制程進(jìn)度仍落后

經(jīng)歷上一波DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，臺(tái)系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價(jià)格反彈到現(xiàn)金成本之上，開始全力擴(kuò)產(chǎn)找回過(guò)去失落的市占率，惟即使目前臺(tái)系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來(lái)追趕，傳出三星電子(SamsungElectronic

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2009-11-30

芯片爾必達(dá) DDR3 DRAM
臺(tái)DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率惟制程進(jìn)度仍落后

經(jīng)歷上一波DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，臺(tái)系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價(jià)格反彈到現(xiàn)金成本之上，開始全力擴(kuò)產(chǎn)找回過(guò)去失落的市占率，惟即使目前臺(tái)系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來(lái)追趕，傳出三星電子 (Samsung Electron

智能硬件
2009-11-30

芯片爾必達(dá) DDR3 DRAM
與臺(tái)灣DRAM廠合作之后傳爾必達(dá)將進(jìn)軍大陸市場(chǎng)

日本DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)目前正在評(píng)估進(jìn)軍中國(guó)大陸市場(chǎng)的相關(guān)事宜。報(bào)導(dǎo)指出，爾必達(dá)已于2009年11月中旬前透過(guò)和臺(tái)灣4家DRAM廠進(jìn)行業(yè)務(wù)合作的方式來(lái)擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能，惟為了和全球DRAM龍頭三星電子等南韓廠商相抗衡，

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2009-11-26

半導(dǎo)體爾必達(dá) PID DRAM

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DRAM

存儲(chǔ)器價(jià)格回溫美光虧損11季后首度獲利

PC DRAM容量提升至2.92GB　DRAM現(xiàn)貨價(jià)大漲3%

海力士發(fā)表40納米制程繪圖芯片DRAM

好羨慕！臺(tái)積電宣布明年起加薪15% 分紅獎(jiǎng)金全年獎(jiǎng)不完

報(bào)告稱半導(dǎo)體市場(chǎng)今年縮水11％至2260億美元

FormFactor推出全新12吋DRAM晶圓探針卡

海力士2010年半導(dǎo)體生產(chǎn)開支將增加一倍

12月上旬合約價(jià)DRAM持平Flash下跌

爾必達(dá)蠶食臺(tái)12寸廠DRAM產(chǎn)能

DRAM廠資本支出競(jìng)賽三星更勝臺(tái)廠一籌

臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”無(wú)力扭轉(zhuǎn)情勢(shì)　DRAM再造方案全面停擺

三星焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向Flash 打算全面稱霸內(nèi)存市場(chǎng)

韓國(guó)海力士社長(zhǎng)稱，1-3月DRAM銷售跌幅料小于往年水準(zhǔn)

三星焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向Flash 打算全面稱霸內(nèi)存市場(chǎng)

力晶第4季DRAM產(chǎn)出大躍進(jìn)季增率挑戰(zhàn)30~40%

臺(tái)DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率惟制程進(jìn)度仍落后

臺(tái)DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率惟制程進(jìn)度仍落后

與臺(tái)灣DRAM廠合作之后傳爾必達(dá)將進(jìn)軍大陸市場(chǎng)

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