DRAM

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瑞晶調(diào)整封測(cè)分配，華東賺到

日本DRAM大廠爾必達(dá)（Elpida）拿下瑞晶電子7成股權(quán)后，直接掌控瑞晶所有產(chǎn)能，瑞晶后段封測(cè)訂單分配也出現(xiàn)重大變化。據(jù)設(shè)備業(yè)者表示，瑞晶委由力成（6239）代工比重由5成提升至6成以上，但也調(diào)撥了2成至3成訂單下給華

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2010-01-13

爾必達(dá) DRAM DDR3 PID
瑞晶調(diào)整封測(cè)分配華東賺到

日本DRAM大廠爾必達(dá)（Elpida）拿下瑞晶電子7成股權(quán)后，直接掌控瑞晶所有產(chǎn)能，瑞晶后段封測(cè)訂單分配也出現(xiàn)重大變化。據(jù)設(shè)備業(yè)者表示，瑞晶委由力成（6239）代工比重由5成提升至6成以上，但也調(diào)撥了2成至3成訂單下給華

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2010-01-13

爾必達(dá) DRAM DDR3 PID
爾必達(dá)將在臺(tái)灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地與瑞晶等合作開發(fā)4F2技術(shù)

爾必達(dá)內(nèi)存將在臺(tái)灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地。計(jì)劃于2010年第一季度（1～3月）在與臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體（PSC）的合資公司臺(tái)灣瑞晶電子設(shè)立個(gè)人電腦通用DRAM開發(fā)基地。這是爾必達(dá)和瑞晶于1月5日在臺(tái)灣召開的新聞發(fā)布會(huì)上發(fā)布的（瑞

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2010-01-11

電子內(nèi)存爾必達(dá) DRAM
DRAM：材料與制程創(chuàng)新的領(lǐng)域

為數(shù)字消費(fèi)、家庭網(wǎng)絡(luò)、無線、通信和商業(yè)應(yīng)用提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)處理器架構(gòu)與內(nèi)核的領(lǐng)導(dǎo)廠商美普思科技公司（MIPSTechnologies）宣布，全球領(lǐng)先的數(shù)字電視IC供應(yīng)商晨星半導(dǎo)體（MStarSemiconductor）獲得其多線程MIPS32TM34

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2010-01-08

半導(dǎo)體數(shù)字電視 TV DRAM
威剛陳立白：今年DRAM市場(chǎng)多處于缺貨狀態(tài)

存儲(chǔ)器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進(jìn)1個(gè)股本的豐碩成績(jī)單，董事長(zhǎng)陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時(shí)間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價(jià)格維持平穩(wěn)，預(yù)計(jì)對(duì)于模塊產(chǎn)業(yè)絕對(duì)是好事，往年會(huì)是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會(huì)見

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2010-01-07

存儲(chǔ)器 ELECTRONICS NANDFLASH DRAM
爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光

一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達(dá)狀況更顯得困窘，在經(jīng)過近1年臥薪嘗膽后，爾必達(dá)2010年開春終于宣布，40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠順利完成試產(chǎn)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-01-07

美光 40納米爾必達(dá) DRAM
爾必達(dá)擬投資400億日?qǐng)A提高瑞晶產(chǎn)能

日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，日廠爾必達(dá)(Elpida)與臺(tái)廠力晶合資成立的瑞晶，計(jì)劃在2010年度內(nèi)將DRAM產(chǎn)能提高為目前的2倍。日經(jīng)報(bào)導(dǎo)，雙方將投資約400億日?qǐng)A(約4。3億美元)將瑞晶產(chǎn)線全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程，以提高生產(chǎn)效率。

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2010-01-06

ELECTRONICS 爾必達(dá) DRAM PID
臺(tái)12寸DRAM廠廢墟變黃金美日都覬覦

臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)成也12吋晶圓廠、敗也12吋晶圓廠！在金融風(fēng)暴期間，臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)身背2，000億元的負(fù)債，每天搖旗吶喊希望政府金援，否則整個(gè)產(chǎn)業(yè)面臨垮臺(tái)的命運(yùn)，根本原因就是過去幾年間，業(yè)者太容易拿到資本市場(chǎng)的資金

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2010-01-05

微軟奇夢(mèng)達(dá) 晶圓廠 DRAM
2010年全球DRAM市場(chǎng)展望

全球DRAM廠商自2006年紛紛投入“擴(kuò)廠競(jìng)賽”以來，DRAM市場(chǎng)嚴(yán)重供過于求的陰霾就揮之不去，在這樣心理預(yù)期下，DRAM價(jià)格持續(xù)性下跌也就顯得理所當(dāng)然。所幸，金融海嘯的發(fā)生，迫使除三星電子(SamsungElectronics)外的

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2010-01-05

PC SAMSUNG ELECTRONICS DRAM
半導(dǎo)體月報(bào)：4季度依然強(qiáng)勁，1季度可能“淡季不淡”

主要電子指數(shù)11月上漲：11月份，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上漲4。5%，道瓊斯指數(shù)上漲6。5%，臺(tái)灣的電子零組件指數(shù)上漲3。6%，臺(tái)灣加權(quán)指數(shù)上漲3。3%，而大陸的CSRC電子行業(yè)指數(shù)則上漲16%，滬深300指數(shù)上漲7。1%。中國(guó)大陸電子股

半導(dǎo)體
2010-01-05

半導(dǎo)體半導(dǎo)體市場(chǎng) BSP DRAM
iSuppli：DDR3將是2010年的搖錢大樹

2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)?！　DR2 還不算過時(shí)，而且未來一段時(shí)間

智能硬件
2010-01-05

BSP ISUPPLI DRAM DDR3
美光爭(zhēng)取華亞科主導(dǎo)權(quán)　臺(tái)塑拒絕成瑞晶翻版

華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資，南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認(rèn)購現(xiàn)增額度，但近期傳出美光向臺(tái)塑集團(tuán)攤牌，希望能增加認(rèn)購比例，爭(zhēng)取華亞科更多股權(quán)，惟臺(tái)塑集團(tuán)回決此提議，認(rèn)為目前「等權(quán)共治」策略較

智能硬件
2010-01-05

美光 Flash 爾必達(dá) DRAM
臺(tái)12寸DRAM廠廢墟變黃金　美日都覬覦

臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)成也12吋晶圓廠、敗也12吋晶圓廠！在金融風(fēng)暴期間，臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)身背2,000億元的負(fù)債，每天搖旗吶喊希望政府金援，否則整個(gè)產(chǎn)業(yè)面臨垮臺(tái)的命運(yùn)，根本原因就是過去幾年間，業(yè)者太容易拿到資本市場(chǎng)的資金

智能硬件
2010-01-05

微軟奇夢(mèng)達(dá) 晶圓廠 DRAM
集邦：DDR3將居主流，下半年封測(cè)產(chǎn)能將吃緊

根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，由于去年第四季歐美感恩節(jié)與圣誕節(jié)銷售暢旺，加上經(jīng)濟(jì)景氣復(fù)蘇及Windows7帶動(dòng)下，PC銷售表現(xiàn)一路旺到年底，展望今年，Windows7 效益持續(xù)，PC表現(xiàn)暢旺，零組件將出現(xiàn)短缺，且由于

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2010-01-05

測(cè)試機(jī) 爾必達(dá) DRAM DDR3
集邦：上半年DDR3封測(cè)產(chǎn)能更吃緊

受惠微軟操作系統(tǒng)Windows 7滲透率持續(xù)提升，及計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠大幅拉高DDR3機(jī)種比重，DRAM廠DDR3新產(chǎn)能已陸續(xù)開出，但因后段封測(cè)產(chǎn)能提升速度較慢，集邦科技預(yù)估，今年上半年DDR3封測(cè)產(chǎn)能吃緊情況更加嚴(yán)重，且可能因此影

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2010-01-05

英特爾內(nèi)存 DRAM DDR3
福懋科去年Q4營(yíng)收優(yōu)于預(yù)期

DRAM封測(cè)廠福懋科（8131）昨（4）日公布去年12月營(yíng)收約達(dá)9.4億元，第4季營(yíng)收達(dá)27.24億元，季增率10.1％，略高于市場(chǎng)預(yù)期，而福懋科2009年全年?duì)I收達(dá)89.56億元，與2008年的101.93億元相較，年減率約12.1％。法人預(yù)估，

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2010-01-05

晶圓 DRAM DDR3
2010年DRAM資本支出將猛增80%

據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測(cè)，2010年DRAM制造商的資本支出將同比增長(zhǎng)80至78.5億美元。2009年DRAM制造商的支出額為43億美元?！　∪欢撝С鏊饺匀坏陀谶^去十年的平均支出，比2006年和2007年的高峰值也低許多?！　?/p>
半導(dǎo)體
2010-01-04

電腦 BSP EXCHANGE DRAM
韓國(guó)FTC：NANDFlash大廠無操控價(jià)格

據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)公平貿(mào)易委員會(huì)(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NANDFlash存儲(chǔ)器大廠有任何操控價(jià)格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國(guó)FTC表示，至目前為止所有和存儲(chǔ)器市場(chǎng)相關(guān)的操控價(jià)格調(diào)查皆已完成，包括DRA

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2010-01-04

SRAM TC NANDFLASH DRAM
ITC判Tessera控侵權(quán)敗訴，力成毛利率可望提升

美國(guó)封裝專利業(yè)者Tessera控告國(guó)內(nèi)外DRAM業(yè)者侵權(quán)案，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）終判Tessera敗訴，原本有付Tessera權(quán)利金的封測(cè)廠力成科技（6239）指出，若未來不需要再繳交權(quán)利金予Tessera，力成代工價(jià)格將更具優(yōu)勢(shì)，

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2009-12-31

TE SE TC DRAM
記取DRAM再造失敗教訓(xùn)臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”擬推動(dòng)“產(chǎn)業(yè)再造法”

臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”主導(dǎo)的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎已確定翻案無望，“經(jīng)濟(jì)部”長(zhǎng)施顏祥29日首度松口表示，若國(guó)發(fā)基金無法投資臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)，或許可改由民間資金投入。由于產(chǎn)業(yè)經(jīng)常會(huì)遇到再造的需求，“經(jīng)濟(jì)部

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2009-12-31

爾必達(dá) DRAM PID

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DRAM

瑞晶調(diào)整封測(cè)分配，華東賺到

瑞晶調(diào)整封測(cè)分配華東賺到

爾必達(dá)將在臺(tái)灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地與瑞晶等合作開發(fā)4F2技術(shù)

DRAM：材料與制程創(chuàng)新的領(lǐng)域

威剛陳立白：今年DRAM市場(chǎng)多處于缺貨狀態(tài)

爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光

爾必達(dá)擬投資400億日?qǐng)A提高瑞晶產(chǎn)能

臺(tái)12寸DRAM廠廢墟變黃金美日都覬覦

2010年全球DRAM市場(chǎng)展望

半導(dǎo)體月報(bào)：4季度依然強(qiáng)勁，1季度可能“淡季不淡”

iSuppli：DDR3將是2010年的搖錢大樹

美光爭(zhēng)取華亞科主導(dǎo)權(quán)　臺(tái)塑拒絕成瑞晶翻版

臺(tái)12寸DRAM廠廢墟變黃金　美日都覬覦

集邦：DDR3將居主流，下半年封測(cè)產(chǎn)能將吃緊

集邦：上半年DDR3封測(cè)產(chǎn)能更吃緊

福懋科去年Q4營(yíng)收優(yōu)于預(yù)期

2010年DRAM資本支出將猛增80%

韓國(guó)FTC：NANDFlash大廠無操控價(jià)格

ITC判Tessera控侵權(quán)敗訴，力成毛利率可望提升

記取DRAM再造失敗教訓(xùn)臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”擬推動(dòng)“產(chǎn)業(yè)再造法”

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