2010年臺DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù),但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上,而在于浸潤式微顯影(Immersion Scanner)機臺設(shè)備采購是否能跟上腳步,近期業(yè)界傳出瑞晶機臺原本2月要交貨,但目前交期已遞延至4月,南亞科和華
據(jù)國外媒體報道,三星公司和Rambus公司1月19日宣布雙方已達成和解協(xié)議,此前所有爭端已得到解決,并且三星還得到了Rambus的授權(quán),以使三星能在其產(chǎn)品上使用Rambus的專利技術(shù)。 在此協(xié)議下,三星將向Rambus初步支付2
半導(dǎo)體測試設(shè)備與解決方案大廠惠瑞捷(Verigy)接橥今年四大發(fā)展目標,除了計劃提升既有測試機臺的影響力外,惠瑞捷也藉由并購Touchdown取得半導(dǎo)體探針卡(probe card)技術(shù),同時惠瑞捷并計劃在18個月內(nèi)把RF測試的
上海芯片代工廠中芯國際自新任CEO王寧國掌權(quán)后,包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能,已自今年元月起,全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。由于中芯過去兩年以SDRAM填補產(chǎn)能,成為國內(nèi)消費性電子產(chǎn)品及家電市
雖然三星、海力士、美光等3大廠仍未釋出封測訂單委外代工,但占全球DRAM產(chǎn)能逾4成的臺灣DRAM廠及日本爾必達,封測訂單卻是源源不絕釋出,所以臺灣DRAM業(yè)者如力成、華東、福懋科、泰林等,今年來產(chǎn)能利用率維持95%以
DRAM封測大廠力成(6239)已敲定在2月4日舉行法說會,公布去年第四季和全年財報。法人預(yù)期,力成第四季單季毛利率將持續(xù)成長,有機會超過26%,續(xù)優(yōu)于第三季的水平。 隨著半導(dǎo)體景氣持續(xù)復(fù)蘇,帶動內(nèi)存IC封測廠營
全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報,隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫,海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。 2009年第4季海力士營收為2。8兆韓元(約24。7億美元),較第3季大幅成長32%,海力士營收成
嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案
2010年4大DRAM陣營三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場直接拉到40納米世代!繼爾必達跳過50納米制程,大舉轉(zhuǎn)換至45納米后,美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。
南亞科將逆勢擴建旗下12寸廠,從現(xiàn)有3萬片擴增至5萬~6萬片,成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后,首家擴產(chǎn)的臺系DRAM廠。值得注意的是,南亞科單月產(chǎn)能(加計華亞科)約9。5萬片,以目前全球單月12寸廠產(chǎn)能約100萬片計算,南亞科擴
據(jù)國外媒體報道,三星公司和Rambus公司1月19日宣布雙方已達成和解協(xié)議,此前所有爭端已得到解決,并且三星還得到了Rambus的授權(quán),以使三星能在其產(chǎn)品上使用Rambus的專利技術(shù)。 在此協(xié)議下,三星將向Rambus初步支付
據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo),海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-KapKim)表示,2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品,同時,海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率,并倍增NANDFlash的產(chǎn)能。 根據(jù)研究機構(gòu)iSup
全球DRAM市場正加速進行世代交替,DDR3芯片因缺貨使得價格持續(xù)上漲,DDR2價格卻嚴重下跌,且累積庫存越來越多,近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略,希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購買DDR3
全球DRAM市場正加速進行世代交替,DDR3芯片因缺貨使得價格持續(xù)上漲,DDR2價格卻嚴重下跌,且累積庫存越來越多,近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略,希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購買DDR3
據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo),海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示,2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品,同時,海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率,并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。根據(jù)研究機構(gòu)iSup
DDR2和DDR31月上旬合約價走勢迥異,DDR2合約價大跌,DDR3卻大漲,凸顯世代交替已提前來臨,將加速DDR2需求急速降溫,快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上,近期臺系DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3,尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和
DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異,DDR2合約價大跌,DDR3卻大漲,凸顯世代交替已提前來臨,將加速DDR2需求急速降溫,快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上,近期臺系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3,尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶
2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭,年初1顆DRAM均價還在0.5美元,當(dāng)時生產(chǎn)成本還在2美元,可見虧損有多嚴重,各廠只好宣布停工、減產(chǎn),巨額虧損的問題延伸至臺、美、日DRAM廠大整合階段,也演變成國與國之間的戰(zhàn)
存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬,使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標??v觀DRAM發(fā)展的歷史,
爾必達內(nèi)存將在臺灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地。計劃于2010年第一季度(1~3月)在與臺灣力晶半導(dǎo)體(PSC)的合資公司臺灣瑞晶電子設(shè)立個人電腦通用DRAM開發(fā)基地。這是爾必達和瑞晶于1月5日在臺灣召開的新聞發(fā)布會上發(fā)布的(瑞