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DRAM

我要報(bào)錯(cuò)

  • 華亞科現(xiàn)金增資案過關(guān)

    2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好，臺(tái)系DRAM廠忙著搶錢擴(kuò)大產(chǎn)能，華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資，預(yù)計(jì)再募資超過新臺(tái)幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計(jì)2010年資本支出上看450億元，與同為臺(tái)塑集團(tuán)的南亞科合計(jì)資

  • 力成毛利率可望提升

    美國(guó)封裝專利業(yè)者Tessera控告國(guó)內(nèi)外DRAM業(yè)者侵權(quán)案，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）終判Tessera敗訴，原本有付Tessera權(quán)利金的封測(cè)廠力成科技（6239）指出，若未來(lái)不需要再繳交權(quán)利金予Tessera，力成代工價(jià)格將更具優(yōu)勢(shì)，

    模擬
    2009-12-31
    TE SE TC DRAM

  • 海力士調(diào)高資本支出 規(guī)模逼近華亞科

    國(guó)際DRAM廠相繼傳來(lái)調(diào)高資本支出的消息，韓國(guó)大廠海力士(Hynix)宣布調(diào)高2010年資本支出，預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1.5兆韓元，相當(dāng)于12.7億美元，雖然以全球的角度來(lái)看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經(jīng)此一調(diào)高

  • DDR3注定要奪取DRAM王座

    2009年即將結(jié)束，DDR2作為DRAM市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2還不算過時(shí)，而且未來(lái)一段時(shí)間之內(nèi)也不會(huì)過時(shí)，它

  • 海力士調(diào)高資本支出規(guī)模逼近華亞科

    國(guó)際DRAM廠相繼傳來(lái)調(diào)高資本支出的消息，韓國(guó)大廠海力士（Hynix）宣布調(diào)高2010年資本支出，預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1。5兆韓元，相當(dāng)于12。7億美元，雖然以全球的角度來(lái)看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經(jīng)此一

  • 臺(tái)灣當(dāng)局續(xù)推DRAM再造研擬產(chǎn)業(yè)再生立法

    臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)”施顏祥29日表示，若“立法院”三讀通過否決“國(guó)發(fā)基金”投資DRAM再造，“經(jīng)濟(jì)部”已研擬三個(gè)替代方案，包括由民間資金投資、橫向整合、參考日本產(chǎn)業(yè)再生法，建立法制基礎(chǔ)，繼續(xù)推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)的再造。

    模擬
    2009-12-30
    DRAM

  • DRAM內(nèi)存芯片2010年將嚴(yán)重缺貨廠商受益

    由于消費(fèi)者需求增長(zhǎng)，以及企業(yè)進(jìn)入PC更換周期，2010年下半年DRAM內(nèi)存將嚴(yán)重缺貨。 2009年，DRAM芯片價(jià)格在大部分時(shí)間內(nèi)都呈增長(zhǎng)趨勢(shì)，因?yàn)槭芙?jīng)濟(jì)低迷影響許多廠商都削減了產(chǎn)量，只是在剛剛過去的兩個(gè)月內(nèi)趨于穩(wěn)定。

  • 基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)

    1、引言 當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的帶寬，本文就如何設(shè)計(jì)一種符合當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的高效存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行研究。 本文第二部分介紹當(dāng)代D

  • NAND閃存芯片價(jià)格本月逐步趨于平穩(wěn)

    根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計(jì)，12月后半個(gè)月的MLC NAND閃存芯片價(jià)格和前半月相比持平，高密度芯片價(jià)格則將下降1-5%。其中，16Gb芯片期貨價(jià)格下降2-7%，32Gb芯片價(jià)格持平或下降3%，兩種芯片后半個(gè)月的平均

  • 硅晶圓漲 崇越臺(tái)勝科樂

    半導(dǎo)體硅晶圓價(jià)格「漲」聲響起，崇越（5434）已順勢(shì)調(diào)高售價(jià)一成，明年第一季再漲5%，持續(xù)推升獲利；臺(tái)勝科 （3532）產(chǎn)線沖上滿載，朝轉(zhuǎn)盈之路邁進(jìn)，明年第一季跟進(jìn)漲價(jià)，對(duì)明年前三季市況看法樂觀。 全球前兩大半導(dǎo)

  • 2010年下半年存儲(chǔ)器芯片供給料出現(xiàn)短缺

    行業(yè)研究公司DRAMeXchange稱，電腦存儲(chǔ)芯片或?qū)⒃诿髂晗掳肽瓿霈F(xiàn)供應(yīng)不足，因消費(fèi)者需求升溫，且公司將開始進(jìn)行推遲了的電腦更新工作。 DRAMeXchange周四預(yù)計(jì)，明年個(gè)人電腦出貨量將增長(zhǎng)13%，其中筆記本增長(zhǎng)22。5%至

  • 三星成臺(tái)灣科技業(yè)公敵 前十大科技公司均拼不過

    臺(tái)灣《商業(yè)周刊》日前撰文稱，三星像糖果也像毒藥，從來(lái)沒有一刻像今日，它能夠全面影響臺(tái)灣的電子科技股，讓張忠謀、郭臺(tái)銘與施崇棠等人，都必須找出一套抗星策略。臺(tái)灣前十大科技公司拼不過一家三星電子，三星已成

  • DDR3將成主流，后段封測(cè)廠設(shè)備將跟著升級(jí)

    全球最大美國(guó)消費(fèi)性電子展CES即將在明年1月7日到10日登場(chǎng)，芯片龍頭廠英特爾將在展中推出新架構(gòu)Nehalem、Westmere、以筆記計(jì)算機(jī)為主的Atom系列的處理器及芯片組，并全面支持DDR3，將推升DDR3成為明年度主流產(chǎn)品。由

  • 2010年下半年內(nèi)存芯片將會(huì)嚴(yán)重短缺

    據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，行業(yè)跟蹤公司DRAMeXchange認(rèn)為，隨著消費(fèi)者需要更多的容量和企業(yè)開始更換電腦，計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片在明年下半年將可能會(huì)短缺。 由于受到經(jīng)濟(jì)衰退影響，內(nèi)存芯片廠商減少生產(chǎn)能力和資本開支，引起內(nèi)存芯

  • 海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求

    據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)表現(xiàn)，將提升資本支出并擴(kuò)張產(chǎn)能。 海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-KapKim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010

  • DRAMeXchange：2010年下半年存儲(chǔ)器芯片供給料出現(xiàn)短缺

    行業(yè)研究公司DRAMeXchange稱，電腦存儲(chǔ)芯片或?qū)⒃诿髂晗掳肽瓿霈F(xiàn)供應(yīng)不足，因消費(fèi)者需求升溫，且公司將開始進(jìn)行推遲了的電腦更新工作。 DRAMeXchange周四預(yù)計(jì)，明年個(gè)人電腦出貨量將增長(zhǎng)13%，其中筆記本增長(zhǎng)22。5%至

  • 2010年下半年內(nèi)存芯片將會(huì)嚴(yán)重短缺

    據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，行業(yè)跟蹤公司DRAMeXchange認(rèn)為，隨著消費(fèi)者需要更多的容量和企業(yè)開始更換電腦，計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片在明年下半年將可能會(huì)短缺。 由于受到經(jīng)濟(jì)衰退影響，內(nèi)存芯片廠商減少生產(chǎn)能力和資本開支，引起內(nèi)存芯

  • DDR3時(shí)代來(lái)臨 封測(cè)受惠最大

    英特爾將在明年初美國(guó)消費(fèi)性電子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3處理器及芯片組，可望推動(dòng)DDR3在明年登上市場(chǎng)主流位置。國(guó)內(nèi)外DRAM廠主流產(chǎn)品線已由70奈米DDR2快速轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米DDR3，隨

  • 京元電、硅格 爆發(fā)力強(qiáng)

    看好明年 封測(cè)景氣回溫，京元電明年?duì)I收有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)歷史新高。圖為京元電董事長(zhǎng)李金恭。 記者何易霖／攝影 二線封測(cè)廠接單熱，京元電（2449）第三季轉(zhuǎn)盈后，本季業(yè)績(jī)持續(xù)向上，明年?duì)I收將挑戰(zhàn)2007年的歷史新高

  • 2010年DRAM制造商資本支出將猛增80%

    據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測(cè)，2010年DRAM制造商資本支出總額將達(dá)到78.5億美元，較2009年的43億美元增長(zhǎng)80%。雖然增長(zhǎng)迅猛，但較2007年的214億美元還是有一定差距。　　2011年和2012年全球DRAM制造商資本支出預(yù)算將達(dá)到100億