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內(nèi)存瘋閃存噴存儲(chǔ)業(yè)界漲勢(shì)深度分析

9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4%最近幾個(gè)月來(lái)，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已

智能硬件
2009-10-19

內(nèi)存 DRAM SSD Flash
DRAM價(jià)格再攻新高點(diǎn)！力晶想為瑞晶贖身

日系DRAM制造大廠爾必達(dá)(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導(dǎo)權(quán)，讓瑞晶成為名符其實(shí)的日系公司，惟存儲(chǔ)器業(yè)者透露，當(dāng)初力晶因?yàn)閭鶆?wù)問(wèn)題，將瑞晶持股賣給爾必達(dá)時(shí)，設(shè)下「買回期限」，在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持股買回

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2009-10-16

存儲(chǔ)器爾必達(dá) DDR DRAM
DRAM價(jià)格再攻新高點(diǎn) 力晶想為瑞晶贖身

日系DRAM制造大廠爾必達(dá)(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導(dǎo)權(quán)，讓瑞晶成為名符其實(shí)的日系公司，惟存儲(chǔ)器業(yè)者透露，當(dāng)初力晶因?yàn)閭鶆?wù)問(wèn)題，將瑞晶持股賣給爾必達(dá)時(shí)，設(shè)下「買回期限」，在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持股買回

智能硬件
2009-10-16

存儲(chǔ)器爾必達(dá) DDR DRAM
新技術(shù)導(dǎo)入封測(cè)角色更吃重

趁著DRAM價(jià)格直線飆漲之際，全球DRAM廠已展開(kāi)50奈米微縮大作戰(zhàn)，新制程與過(guò)去相較最大的不同，就是DRAM將首度導(dǎo)入浸潤(rùn)式微影（immersion lithography）及銅制程導(dǎo)線（copper interconnect）等兩大新技術(shù)。由于技

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2009-10-14

三星美光基板 DRAM
爭(zhēng)議不斷的TMC政策是該檢討了

在金融海嘯、全球經(jīng)濟(jì)不景氣期間，由劉內(nèi)閣所推出的半導(dǎo)體業(yè)整并計(jì)劃，最近又出現(xiàn)了新的變化。由于當(dāng)局規(guī)劃整合的TMC公司選擇與日商爾必達(dá)合作，引起美商美光公司不悅，狀告美國(guó)參議員，聲言這是不公平競(jìng)爭(zhēng)，將要求美

半導(dǎo)體
2009-10-13

美光爾必達(dá) DRAM
茂德努力與爾必達(dá)、臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存合作

美林證券最新出爐的報(bào)告，茂德股價(jià)慘跌，技術(shù)遲遲沒(méi)有更新，目前正致力于重整，管理高層表示，內(nèi)部將研發(fā)72納米的技術(shù)來(lái)制作 1GB，采用日本內(nèi)存芯片大廠爾必達(dá)(Elpida) 65納米的技術(shù)，但是這項(xiàng)協(xié)議還在洽談之中，目前

消費(fèi)電子
2009-10-13

爾必達(dá) GB 內(nèi)存 DRAM
宣明智：TIMC營(yíng)運(yùn)計(jì)畫不變　朝利基型市場(chǎng)挺進(jìn)

TIMC成立至今尚未正式獲得政府的資金挹注，然美光(Micron)透過(guò)美國(guó)政府和WTO施壓，引發(fā)外界認(rèn)為TIMC投資爾必達(dá) (Elpida)的計(jì)畫是否會(huì)生變?宣明智5日認(rèn)為，此事與TIMC成立規(guī)畫和投資爾必達(dá)的計(jì)畫之間沒(méi)有關(guān)連性，不明

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-10-12

存儲(chǔ)器爾必達(dá) DRAM
爾必達(dá)的臺(tái)灣子公司9月季度扭虧為盈

日本PC 存儲(chǔ)芯片企業(yè)爾必達(dá)存儲(chǔ)公司(TYO:6665) 表示，因動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)價(jià)格上揚(yáng)，其下屬的生產(chǎn)公司臺(tái)灣瑞晶電子公司已在7-9月扭虧為盈。預(yù)計(jì)瑞晶本季度的凈利潤(rùn)將達(dá)到近10億日元，這是瑞晶五個(gè)季度以來(lái)第一

半導(dǎo)體
2009-10-10

爾必達(dá) 扭虧為盈 BSP DRAM
溫度自適應(yīng)性DRAM刷新時(shí)鐘電路

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)需要通過(guò)刷新來(lái)保持內(nèi)部的數(shù)據(jù)。為降低存儲(chǔ)器刷新過(guò)程的電路功耗，設(shè)計(jì)一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新控制電路。根據(jù)二極管的電流在閾值電壓附近的溫度特性，利用電容充放電的結(jié)構(gòu)，提出一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新時(shí)鐘電路，使存儲(chǔ)器刷新頻率隨電路溫度變化而變化，其趨勢(shì)符合動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的刷新要求。仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，新的電路在保證DRAM信息得到及時(shí)刷新的前提下，有效地降低了其刷新過(guò)程中的功耗。

模擬
2009-10-10

溫度時(shí)鐘電路 BSP DRAM
制程差距擴(kuò)大臺(tái)灣DRAM廠隱憂

臺(tái)灣DRAM大廠南科（2408）宣布8億股現(xiàn)金增資計(jì)劃，預(yù)計(jì)籌措100億元以上資金，全數(shù)投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現(xiàn)貨價(jià)格已站上每顆2美元，時(shí)間點(diǎn)來(lái)得比預(yù)期早，國(guó)內(nèi)DRAM廠暫時(shí)度過(guò)最艱困的時(shí)刻，但三星半

模擬
2009-09-30

半導(dǎo)體三星 40納米 DRAM
三星半導(dǎo)體部門第3季營(yíng)業(yè)利益重回1兆韓元

三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體部門可望再創(chuàng)2年9個(gè)月來(lái)未見(jiàn)的1兆韓元(約8.2億美元)營(yíng)業(yè)利益。據(jù)韓國(guó)證券業(yè)與相關(guān)業(yè)者表示，三星電子2009年第3季合并營(yíng)業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間，且可能超越上述區(qū)間。

半導(dǎo)體
2009-09-26

半導(dǎo)體三星 BSP DRAM
IC資本支出依然謹(jǐn)慎供應(yīng)收緊價(jià)格上漲

分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場(chǎng)供應(yīng)收緊，價(jià)格可能隨之上漲，但可能會(huì)發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導(dǎo)體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)

半導(dǎo)體
2009-09-24

芯片 IC INSIGHT DRAM

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DRAM

內(nèi)存瘋閃存噴存儲(chǔ)業(yè)界漲勢(shì)深度分析

DRAM價(jià)格再攻新高點(diǎn)！力晶想為瑞晶贖身

DRAM價(jià)格再攻新高點(diǎn) 力晶想為瑞晶贖身

新技術(shù)導(dǎo)入封測(cè)角色更吃重

爭(zhēng)議不斷的TMC政策是該檢討了

茂德努力與爾必達(dá)、臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存合作

宣明智：TIMC營(yíng)運(yùn)計(jì)畫不變　朝利基型市場(chǎng)挺進(jìn)

爾必達(dá)的臺(tái)灣子公司9月季度扭虧為盈

溫度自適應(yīng)性DRAM刷新時(shí)鐘電路

制程差距擴(kuò)大臺(tái)灣DRAM廠隱憂

三星半導(dǎo)體部門第3季營(yíng)業(yè)利益重回1兆韓元

IC資本支出依然謹(jǐn)慎供應(yīng)收緊價(jià)格上漲

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