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名家觀點(diǎn):臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)大有可為

臺(tái)灣芯片產(chǎn)業(yè)正走在十字路口上，今天的決定可能影響業(yè)界未來多年的方向與活力。目前臺(tái)灣的DRAM公司太多，又都債臺(tái)高筑，政府急于整合DRAM產(chǎn)業(yè)，因而創(chuàng)設(shè)臺(tái)灣記憶體公司（TMC），推動(dòng)整合。政府也終于處理迫切需要改變

半導(dǎo)體
2009-08-19

DRAM 臺(tái)積電晶片
美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米　為明年大戰(zhàn)暖身

三星電子(Samsung　Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn)，爾必達(dá)(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計(jì)劃年底在新加坡12寸廠率先導(dǎo)入40納米制程，將成為美光旗下第1個(gè)導(dǎo)入40納米制程

模擬
2009-08-18

美光 40納米新加坡 DRAM
DRAM市場(chǎng)觸底，Q3出貨成長(zhǎng)有望超過30%

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research 指出，2008年下半在全球金融海嘯沖擊下，終端消費(fèi)市場(chǎng)需求快速萎縮，造成DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)報(bào)價(jià)在這半年間下跌幅度超過50%，連帶使得原本就虧損累累、財(cái)務(wù)體質(zhì)日漸惡化的DRAM制造廠商營(yíng)運(yùn)

消費(fèi)電子
2009-08-18

美光海力士 TIMES DRAM
亞洲晶圓廠領(lǐng)軍, 09下半年資本支出持續(xù)改善

今年初，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)了急劇衰退，SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，從2008年第四季到2009年第一季，全球前段制造設(shè)備資本支出下降26%，達(dá)32億美元。然而，該報(bào)告也指出，在2009年第二季，資本支出將走出谷底，整個(gè)供應(yīng)

消費(fèi)電子
2009-08-18

節(jié)點(diǎn) 晶圓廠 SEMI DRAM
爾必達(dá)：計(jì)劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)

據(jù)透露，為了防止在與韓國(guó)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)中落在后面，日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計(jì)劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達(dá)將采用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達(dá)公司剛剛在65nm制

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-08-17

晶圓爾必達(dá) 制程技術(shù) DRAM
矽品將投資臺(tái)灣新成立DRAM公司TMC

臺(tái)灣新成立DRAM公司——臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)擬于第四季投入市場(chǎng)的計(jì)劃正進(jìn)入沖刺階段，臺(tái)灣半導(dǎo)體封測(cè)廠矽品周四表示，董事會(huì)通過將投資TMC普通股，金額10-20億臺(tái)幣，為首家表態(tài)將投資TMC的企業(yè)。矽品發(fā)言人江

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2009-08-14

半導(dǎo)體聯(lián)電爾必達(dá) DRAM
耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲(chǔ)器

耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp （SRC）稱利用鐵電材料制作存儲(chǔ)器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個(gè)毫秒就刷新一下，而鐵電存儲(chǔ)器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。耶魯大學(xué)和SRC的研究

智能硬件
2009-08-14

節(jié)點(diǎn) 鐵電存儲(chǔ)器 RC DRAM
亞洲晶圓廠領(lǐng)軍, 09下半年資本支出持續(xù)改善

今年初，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)了急劇衰退，SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，從2008年第四季到2009年第一季，全球前段制造設(shè)備資本支出下降26%，達(dá)32億美元。然而，該報(bào)告也指出，在2009年第二季，資本支出將走出谷底，整個(gè)供應(yīng)

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2009-08-13

節(jié)點(diǎn) 晶圓廠 SEMI DRAM
韓國(guó)半導(dǎo)體內(nèi)存產(chǎn)品在國(guó)際市場(chǎng)上占有率創(chuàng)歷史新高

KBS報(bào)道，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMEXchange的報(bào)告顯示，今年第一、二季度三星電子和海力士在國(guó)際市場(chǎng)上半導(dǎo)體內(nèi)存的占有率達(dá)到55.50%和53.1%，創(chuàng)歷史新高。去年一至三季度，這兩家半導(dǎo)體公司的占有率持續(xù)維持在49%的水平。

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2009-08-13

半導(dǎo)體內(nèi)存 EXCHANGE DRAM
各界看DRAM業(yè)市場(chǎng)及因應(yīng)之道

DDR3需求暢旺，市場(chǎng)缺口本季仍無法滿足，南科、華亞科、力晶等本土DRAM廠陸續(xù)放大DDR3投片量，搶食商機(jī)?！　≡谟⑻貭朇ULV平臺(tái)帶動(dòng)需求下，DDR3價(jià)格走勢(shì)凌厲。根據(jù)集邦科技(DRAMe change)報(bào)價(jià)，1Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)格已從

智能硬件
2009-08-12

電腦 ISUPPLI DDR3 DRAM
DRAM廠40納米開戰(zhàn)　50納米恐曇花一現(xiàn)

臺(tái)系DRAM廠身陷財(cái)務(wù)泥淖且制程停留在70納米制程，然國(guó)際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(dá)(Elpida)這次

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2009-08-11

美光 40納米制程技術(shù) DRAM

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DRAM

名家觀點(diǎn):臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)大有可為

美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米　為明年大戰(zhàn)暖身

DRAM市場(chǎng)觸底，Q3出貨成長(zhǎng)有望超過30%

亞洲晶圓廠領(lǐng)軍, 09下半年資本支出持續(xù)改善

爾必達(dá)：計(jì)劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)

矽品將投資臺(tái)灣新成立DRAM公司TMC

耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲(chǔ)器

亞洲晶圓廠領(lǐng)軍, 09下半年資本支出持續(xù)改善

韓國(guó)半導(dǎo)體內(nèi)存產(chǎn)品在國(guó)際市場(chǎng)上占有率創(chuàng)歷史新高

各界看DRAM業(yè)市場(chǎng)及因應(yīng)之道

DRAM廠40納米開戰(zhàn)　50納米恐曇花一現(xiàn)

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